微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，多定位閘閥。多定位閘閥是一種利用壓縮空氣或氮氣控制閘閥位置的閥門。它在閥門的頂部有一個內(nèi)置控制器，可以在本地和遠程模式下操作。它還具有緊急關閉功能，以應對泵停止或CDA壓縮干空氣丟失的情況。其特點之一是能夠遠程檢查閥門狀態(tài)，并可用于具有不同法蘭類型的各種工藝。多定位閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動方式操作，適用于需要壓力控制的所有加工領域。采用手動調(diào)節(jié)控制裝置控制，用戶可直接控制閘門的開啟和關閉，以調(diào)節(jié)壓力。微泰半導體多定位閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。該閘閥由上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰咎峁?。為特定的真空系統(tǒng)和工藝選擇適當尺寸和類型的真空閘閥對于確保高效運行和可靠的真空完整性至關重要。氣動閘閥TRANSFER VALVE

微泰半導體閘閥具有獨特的三重保護保護環(huán)機能：采用鋁質(zhì)材料，減輕重量的同時提高保護環(huán)內(nèi)部粗糙度，有效防止工程副產(chǎn)物的堆積黏附；通過提升保護環(huán)內(nèi)部流速設計，且保護環(huán)逐步收窄，進一步提升流速，防止粉塵黏附；采用三元系 O 型圈，確保保護環(huán)驅(qū)動穩(wěn)定，可保證 30 萬次驅(qū)動。該閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設備上，能夠替代 HVA 閘閥、VAT 閘閥。此閘閥由上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰咎峁?。全真空閘閥Global Foundries真空閘閥的設計具有獨特的特征。它們具有堅固的結構，通常使用不銹鋼或鋁等材料來抵抗真空條件。

微泰半導體閘閥的特點：插板閥主滑閥的球機構方式-在量產(chǎn)工藝設備上的性能驗證-由半永久性鋼球陶瓷和板簧組成，陶瓷和金屬觸摸驅(qū)動無顆粒-已向中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備，設備廠批量供貨，已得到品質(zhì)認可，已完成對半導體Utility設備和批量生產(chǎn)設備的驗證，而其他廠家閘閥金屬和金屬觸摸驅(qū)動產(chǎn)生大量顆粒。使用鋼陶瓷球，與金屬摩擦時不會損壞，金屬與陶瓷球之間不會產(chǎn)生Particle，半永久板簧（SUS鋼板）的應用確保閥門驅(qū)動同步性，采用了固定球?qū)蚱骱弯撎沾?。微泰半導體閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上?？商娲鶫VA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰尽?/p>

微泰，超高壓閘閥應用于? Evaporation? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? 蝕刻? Diffusion?CVD等設備上。期特點是*陶瓷球機構產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:研發(fā)和工業(yè)中的UHV隔離。高壓閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：CF、連接方式：焊接波紋管（AM350或STS316L）、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：銅墊圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 14? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次維護前可用次數(shù)：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 150 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。正確安裝、定期維護以及遵守制造商指南對于這些閥門的性能發(fā)揮和使用壽命至關重要。

微泰控制系統(tǒng)閥門是安裝在半導體CVD設備中的主要閥門?？刂葡到y(tǒng)閥門起到調(diào)節(jié)腔內(nèi)壓力的作用，通過控制系統(tǒng)自動調(diào)節(jié)閘板的開啟和關閉。精確控制腔內(nèi)壓力的閥門分為三類：控制系統(tǒng)閘閥、蝶閥、多定位閘閥。控制系統(tǒng)和蝶閥使用步進電機操作，而多定位閘閥使用氣動控制操作。一、控制系統(tǒng)閘閥?？刂葡到y(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動方式操作，可以在高真空環(huán)境中實現(xiàn)精確的壓力控制。如半導體等高真空工藝應用?？刂葡到y(tǒng)閘閥是自動控制到用戶指定的值，通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。二、蝶閥。該蝶閥具有緊湊的設計和堅固的不銹鋼結構，通過閘板旋轉操作。蝶閥可以實現(xiàn)精確的壓力控制和低真空環(huán)境。例如半導體和工業(yè)過程。蝶閥通過控制器和步進電機自動控制到用戶指定的值，保持一致的真空壓力。三、多定位閘閥。多定位閘閥是一種利用壓縮空氣或氮氣控制閘閥位置的閥門。它在閥門的頂部有一個內(nèi)置控制器，可以在本地和遠程模式下操作。它還具有緊急關閉功能，以應對泵停止或CDA壓縮干空氣丟失的情況。介質(zhì)可向兩側任意方向流動，易于安裝。閘閥通道兩側是對稱的。超真空閘閥L型轉移閥

微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，三重防護閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）等設備。氣動閘閥TRANSFER VALVE

微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，三重防護閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。有-屏蔽閘閥：防止氣體和粉末進入閥內(nèi)的隔離閥，-三重防護閘閥：屏蔽1和2+保護環(huán)的3重隔離系統(tǒng)，還有步進電機閘閥和鋁閘閥，屏蔽門閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?響應時間：0.2秒~3秒；三級預防閘閥，三重防護閘閥：產(chǎn)品范圍：4~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?包括屏蔽功能；步進電機閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?包括屏蔽功能；步進電機閘閥；鋁閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓氣動?維護前可用次數(shù)：10萬次?響應時間：0.2秒~3秒；有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績，可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。氣動閘閥TRANSFER VALVE