TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）的主要電氣特性：正常工作狀態(tài)（無ESD事件）的主要特性由于ESD保護(hù)二極管反向連接，正常工作時(shí)，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（V(BR)）。因此，ESD保護(hù)二極管正常工作時(shí)不導(dǎo)通。此時(shí)，pn結(jié)形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護(hù)二極管時(shí)，以下三個(gè)注意事項(xiàng)適用于正常工作狀態(tài)：正常工作狀態(tài)（無ESD事件）的主要特性。ESD保護(hù)二極管反向擊穿電壓（V(BR)）是否充分高于被保護(hù)信號(hào)線的振幅（最大電壓），ESD保護(hù)二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（V(BR)）時(shí)，漏電流增加。電壓接近V(BR)時(shí)，漏電流可能使保護(hù)信號(hào)線的波形失真。反向電流（I(R)）隨反向電壓（V(R)）成指數(shù)增長。選擇V(RWM)高于被保護(hù)信號(hào)線振幅的ESD保護(hù)二極管非常重要。ESD保護(hù)二極管用于通信接口：如USB、HDMI、RS-485等，這些接口在連接和斷開時(shí)容易產(chǎn)生靜電放電。深圳常規(guī)ESD保護(hù)二極管

     SR18D3BL型號(hào)是一種18V的ESD保護(hù)二極管，其峰值脈沖電流為5A，反向漏電流為0.1μA。該型號(hào)采用SOD-323封裝，體積小、重量輕，適合用于小型電子設(shè)備中。SR18D3BL型號(hào)的主要特點(diǎn)如下：工作電壓范圍廣，可適用于多種電路，高峰值脈沖電流，能有效保護(hù)電路免受靜電放電的影響，低反向漏電流，不會(huì)對電路產(chǎn)生過大的影響。SR18D3BL型號(hào)適用于需要保護(hù)的電路電壓在18V以下的場景，如手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MP3等小型電子設(shè)備。SR24D3BL型號(hào)是一種24V的ESD保護(hù)二極管，其峰值脈沖電流為5A，反向漏電流為0.1μA。深圳ESD保護(hù)二極管SR08D3BL型號(hào)怎么樣星河微ESD靜電保護(hù)二極管可以在各種環(huán)境下工作，包括高溫、低溫、高濕度、低濕度等條件下。

       低鉗位電壓（V(C)）和***峰值電壓：采用IEC 61000-4-2規(guī)定ESD波形時(shí)，高低鉗位電壓（V(C)）ESD保護(hù)二極管的波形效果。這些波形采集于受保護(hù)器件（DUP）輸入端。具有低V(C )的ESD保護(hù)二極管在30ns和60ns處鉗位電壓低于具有高V(C)的ESD保護(hù)二極管。ESD波形曲線下的面積越小，受保護(hù)器件（DUP）受到的損壞越小。因此，具有低V(C)的ESD保護(hù)二極管可提供更好的ESD脈沖保護(hù)。此外，一些ESD保護(hù)二極管在ESD進(jìn)入后不會(huì)立即響應(yīng)。因此，如果ESD脈沖***峰值電壓高于ESD保護(hù)二極管的V(C)，則可能施加到受保護(hù)器件，造成故障或破壞。ESD保護(hù)二極管響應(yīng)速度高于其他類型保護(hù)器件。此外，東芝正在優(yōu)化芯片工藝和內(nèi)部器件結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低***個(gè)峰值電壓，從而在初始階段對ESD峰值電壓提供更可靠的保護(hù)。

        高低鉗位電壓（VC）ESD保護(hù)二極管的波形效果。這些波形采集于受保護(hù)器件（DUP）輸入端。具有低VC的ESD保 護(hù)二極管在30ns和60ns處鉗位電壓低于具有高VC的ESD保護(hù)二極管。ESD波形曲線下的面積越小，受保護(hù)器件（DUP）受到的損壞越小。因此，具有低VC的ESD保護(hù)二極管可提供更好的ESD脈沖保護(hù)。此外，一些ESD保護(hù)二極管在ESD進(jìn)入后不會(huì)立即響應(yīng)。因此，如果ESD脈沖***峰值電壓高于ESD保護(hù)二極管的VC，則可能施加到受保護(hù)器件，造成故障或破壞。ESD保護(hù)二極管響應(yīng)速度高于其他類型保護(hù)器件。此外，東芝正在優(yōu)化芯片工藝和內(nèi)部器件結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低***個(gè)峰值電壓，從而在初始階段對ESD峰值電壓提供更可靠的保護(hù)。低成本：ESD靜電保護(hù)管的成本相對較低，可在各種電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用。

        ESD保護(hù)二極管是一種齊納二極管，專門用來保護(hù)電路免受過壓浪涌，特別是靜電放電（ESD）事件的影響。ESD保護(hù)二極管主要用于ESD短脈沖，以及脈沖寬度幾微秒以下的雷電感應(yīng)和開關(guān)浪涌保護(hù)。專門用于脈沖寬度大于ESD浪涌保護(hù)的齊納二極管，稱為浪涌保護(hù)齊納二極管。這些齊納二極管適用于雷電感應(yīng)和開關(guān)浪涌引起的、脈沖寬度大于幾微秒的過壓脈沖電路保護(hù)。ESD保護(hù)二極管專門用于過壓浪涌，特別是ESD放電電路保護(hù)，而不會(huì)影響信號(hào)線波形。ESD保護(hù)二極管電容為0.12pF至100pF。浪涌保護(hù)齊納二極管具有寬結(jié)，以便吸收大量浪涌能量。這類二極管的總電容為100pF至600pF，適用于雷電感應(yīng)和開關(guān)浪涌的保護(hù)。盡量減少ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)線路以及GND之間的串聯(lián)走線電感。定制ESD保護(hù)二極管

星河微ESD靜電保護(hù)二極管采用了優(yōu)越的技術(shù)和材料可以快速地吸收和釋放靜電放電，從而保護(hù)設(shè)備免受損害。深圳常規(guī)ESD保護(hù)二極管

       高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時(shí)，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁帶（Eg）寬度減小，從而產(chǎn)生齊納效應(yīng)。此外，隨著溫度升高，半導(dǎo)體晶格振動(dòng)增加，載流子遷移率相應(yīng)下降。因此，不太可能發(fā)生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小，而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常，大多數(shù)情況下，齊納擊穿電壓約為6V以下，雪崩擊穿電壓約為6V以上。請注意，即使同一產(chǎn)品系列的二極管，溫度特性也不一樣。深圳常規(guī)ESD保護(hù)二極管