當(dāng)pn結(jié)反向偏置時，耗盡層延伸穿過pn結(jié)。電場造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應(yīng)，電子從p型區(qū)價帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。當(dāng)pn反向偏置時，少量電子通過pn結(jié)。這些電子在耗盡層被電場加速，獲得較大動能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產(chǎn)生電子空穴。這些原子的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶并脫離，成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞，產(chǎn)生更多的電子-空穴對，導(dǎo)致電子進一步脫離的過程。這種現(xiàn)象稱為雪崩擊穿。采用多級保護電路，可以有效地提高保護效果。常規(guī)ESD保護二極管SR08D3BL型號近期價格

      ESD保護二極管適用于各種電子設(shè)備，包括半導(dǎo)體工業(yè)、集成電路、分立器件、計算機電路、通訊設(shè)備和雷達設(shè)備等。半導(dǎo)體工業(yè)與集成電路：在芯片生產(chǎn)、組裝和運輸過程中，ESD保護二極管能夠有效防止靜電對芯片的損害。通訊設(shè)備與雷達設(shè)備：在天線罩的金屬屏蔽層中使用ESD保護二極管，可以保護設(shè)備免受靜電放電的影響。電子儀器儀表：在精密電位差計、高精度的標(biāo)準(zhǔn)信號發(fā)生器等需要精確測量的場合，ESD保護二極管能夠確保測量的準(zhǔn)確性。電子設(shè)備中的電容器與濾波器：作為電容器元件或抗干擾濾波器，ESD保護二極管能夠抑制共模干擾等不利因素。新型ESD保護二極管SR15D3BL和SR18D3BL是常見的ESD保護二極管，具有響應(yīng)速度快低電容和低電感良好的ESD保護效果。

      高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁帶（E(g)）寬度減小，從而產(chǎn)生齊納效應(yīng)。此外，隨著溫度升高，半導(dǎo)體晶格振動增加，載流子遷移率相應(yīng)下降。因此，不太可能發(fā)生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小，而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常，大多數(shù)情況下，齊納擊穿電壓約為6V以下，雪崩擊穿電壓約為6V以上。請注意，即使同一產(chǎn)品系列的二極管，溫度特性也不一樣。

        ESD保護二極管動態(tài)電阻與流入受保護器件的電流： 如何計算ESD保護二極管的動態(tài)電阻（R(DYN)），以及ESD電擊時浪涌電流的流向。如果ESD保護二極管阻抗（即動態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流到地（GND），從而減少流入受保護器件的電流。因此，ESD保護二極管有助于防止手保護啊器件因ESD沖擊而損壞。傳輸線脈沖（TLP）測試用于納秒級寬度短脈沖，根據(jù)隨時間變化的電流-電壓關(guān)系可研究二極管的電流-電壓（I-V）特性。下圖中，TLP I和TLP V分別**電流和電壓。高效保護：ESD靜電保護管采用了多種保護措施，可以有效地防止靜電放電對電子元器件造成的損害。

      低動態(tài)電阻（RDYN）低鉗位電壓（VC）和***峰值電壓ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理 ，ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（VBR）時，漏電流增加。電壓接近VBR時，漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流（IR）隨反向電壓（VR）成指數(shù)增長。選擇VRWM高于被保護信號線振幅的ESD保護二極管非常重要。二極管在正常工作期間不導(dǎo)通。此時，pn結(jié)交界面形成耗盡層，耗盡層在電氣上起電容的作用。因此，除非在考慮被保護信號線頻率的基礎(chǔ)上，正確選擇ESD保護二極管，否則信號質(zhì)量會下降。溫度循環(huán)測試：評估二極管在不同溫度下的性能穩(wěn)定性。廣東標(biāo)準(zhǔn)ESD保護二極管SR12D3BL型號近期價格

PESD12VL1BA：具有低鉗位電壓和快速響應(yīng)的特點，適用于保護敏感的集成電路。常規(guī)ESD保護二極管SR08D3BL型號近期價格

      反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。當(dāng)pn結(jié)反向偏置時，耗盡層延伸穿過pn結(jié)。電場造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應(yīng)，電子從p型區(qū)價帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。齊納擊穿如圖1.3所示。當(dāng)pn反向偏置時，少量電子通過pn結(jié)。這些電子在耗盡層被電場加速，獲得較大動能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產(chǎn)生電子空穴。這些原子的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶并脫離，成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞，產(chǎn)生更多的電子-空穴對，導(dǎo)致電子進一步脫離的過程。這種現(xiàn)象稱為雪崩擊穿。常規(guī)ESD保護二極管SR08D3BL型號近期價格