EAP配置中低電容ESD保護(hù)二極管：它由三個二極管組成：低電容二極管1和二極管2（電容分別為C(1)和C(2)）和高電容二極管3（電容為C(3)）。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積小，反向擊穿電壓（V(BR)）高，而二極管3的pn結(jié)面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（V(BR)）。加到陽極的ESD電流沿正向流過二極管1，加到陰極的ESD電流沿正向流過二極管2，然后反向流過二極管3，因?yàn)槎O管3的V(BR)低于二極管1。通常，二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結(jié)面積較小，因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而，ESD保護(hù)二極管配置如圖3.5（a）所示時，ESD電流不會反向流過二極管1和二極管2。因此，這個電路整體上提高了ESD抗擾度。圖3.5（b）顯示這個ESD保護(hù)二極管的等效電容電路。低電容二極管2和高電容二極管3串聯(lián)，可以減小組合電容。此外，由于該電路V(BR)由二極管3的V(BR)決定，因此可以根據(jù)被保護(hù)的信號線調(diào)整二極管3的V(BR)，從而提高ESD抗擾度。齊納二極管在超過其齊納電壓時導(dǎo)通，用于限制電壓峰值。深圳標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR12D3BL型號報價

         總電容由二極管結(jié)電容和封裝中的寄生電容組成。其中很大一部分是結(jié)電容。反向偏置時，二極管因pn結(jié)（p:p型半導(dǎo)體，n:n型半導(dǎo)體）形成耗盡層產(chǎn)生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數(shù)載流子通過。降低半導(dǎo)體區(qū)摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結(jié)面積或提高反向擊穿電壓（V(BR)），但任何一種方式都會導(dǎo)致ESD抗擾度下降。當(dāng)兩個二極管串聯(lián)時，它們的組合電容減小。此外，二極管反向ESD能量耐受性比正向差。東芝低電容（C(t)）ESD保護(hù)二極管采用ESD二極管陣列工藝（EAP）制造，多個二極管組合在一起減小電容，不影響ESD抗擾度。深圳星河微/SReleicsESD保護(hù)二極管SR08D3BL型號多少錢星河微ESD靜電保護(hù)二極管可在各種環(huán)境下工作，包括高溫、低溫、高濕度、低濕度等條件下。

      反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。當(dāng)pn結(jié)反向偏置時，耗盡層延伸穿過pn結(jié)。電場造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應(yīng)，電子從p型區(qū)價帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。齊納擊穿如圖1.3所示。當(dāng)pn反向偏置時，少量電子通過pn結(jié)。這些電子在耗盡層被電場加速，獲得較大動能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產(chǎn)生電子空穴。這些原子的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶并脫離，成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞，產(chǎn)生更多的電子-空穴對，導(dǎo)致電子進(jìn)一步脫離的過程。這種現(xiàn)象稱為雪崩擊穿。

       保護(hù)二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護(hù)二極管，還可以用作穩(wěn)壓器。保護(hù)二極管專門用于保護(hù)電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下，用于穩(wěn)壓的齊納二極管擊穿模式下保持導(dǎo)通。保護(hù)二極管用作浪涌保護(hù)電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過大時導(dǎo)通。當(dāng)小電流（IZ）從陰極（K）流到陽極（A）時，二極管兩端的電壓可用作恒壓源（VZ）?？捎霉β适芏O管允許功耗及安裝板允許功耗的限制。ESD保護(hù)二極管插在信號線與GND之間，保護(hù)受保護(hù)器件（DUP）免受電壓浪涌的影響。正常工作模式下（即沒有ESD浪涌情況），除極少量電流（IR）流過二極管使其反向擊穿電壓（VBR）高于信號線電壓之外，幾乎沒有電流流過ESD保護(hù)二極管。當(dāng)高于反向擊穿電壓 （VBR）的浪涌電壓進(jìn)入信號線時，ESD保護(hù)二極管將大量電流分流到GND，從而抑制浪涌電壓低于反向擊穿電壓（VBR）。ESD保護(hù)二極管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件，它們通過快速響應(yīng)和導(dǎo)通。

        ESD保護(hù)二極管通常放在信號線與GND之間。因此，這些二極管在穩(wěn)態(tài)下充當(dāng)電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護(hù)二極管會造成插入損耗（IL），降低信號質(zhì)量，取決其速度（特別是USB 3.0和USB 3.1等高速信號質(zhì)量）。當(dāng)浪涌或外部噪聲通過連接器進(jìn)入系統(tǒng)時，對后面器件（如IC）的影響很大程度上取決于是否有ESD保護(hù)二極管。沒有ESD保護(hù)二極管，浪涌電流全部直接流入敏感器件，造成器件故障或損壞。如果電路有ESD保護(hù)二極管，大部分浪涌電流通過它們分流到GND。ESD保護(hù)二極管動態(tài)電阻（Rdyn）表示浪涌電流分流到GND的難易程度。低動態(tài)電流ESD保護(hù)二極管能將更多浪涌電流分流到GND。這種二極管也有助于降低動態(tài)電阻，即端子之間電阻的電壓（稱為鉗位電壓）。ESD保護(hù)二極管動態(tài)電阻低，可減小流入受保護(hù)器件（DUP）的浪涌電流，從而為DUP提供更可靠保護(hù)。DW05DLC-B-S：東沃品牌的型號，工作電壓為 5V，保護(hù)線路數(shù)為單路。廣州定制ESD保護(hù)二極管SR24D3BL型號多少錢

ESD 保護(hù)二極管可以在靜電放電瞬間迅速導(dǎo)通，將靜電電流引導(dǎo)到地，從而保護(hù)電子設(shè)備中的敏感元件。深圳標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR12D3BL型號報價

        高低鉗位電壓（VC）ESD保護(hù)二極管的波形效果。這些波形采集于受保護(hù)器件（DUP）輸入端。具有低VC的ESD保 護(hù)二極管在30ns和60ns處鉗位電壓低于具有高VC的ESD保護(hù)二極管。ESD波形曲線下的面積越小，受保護(hù)器件（DUP）受到的損壞越小。因此，具有低VC的ESD保護(hù)二極管可提供更好的ESD脈沖保護(hù)。此外，一些ESD保護(hù)二極管在ESD進(jìn)入后不會立即響應(yīng)。因此，如果ESD脈沖***峰值電壓高于ESD保護(hù)二極管的VC，則可能施加到受保護(hù)器件，造成故障或破壞。ESD保護(hù)二極管響應(yīng)速度高于其他類型保護(hù)器件。此外，東芝正在優(yōu)化芯片工藝和內(nèi)部器件結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低***個峰值電壓，從而在初始階段對ESD峰值電壓提供更可靠的保護(hù)。深圳標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR12D3BL型號報價