薄膜型半導體應變片

這種應變片是利用真空沉積技術將半導體材料沉積在帶有絕緣層的試件上或藍寶石上制成的。它通過改變真空沉積時襯底的溫度來控制沉積層電阻率的高低，從而控制電阻溫度系數(shù)和靈敏度系數(shù)。因而能制造出適于不同試件材料的溫度自補償薄膜應變片。薄膜型半導體應變片吸收了金屬應變片和半導體應變片的優(yōu)點，并避免了它的缺點，是一種較理想的應變片。

外延型半導體應變片

這種應變片是在多晶硅或藍寶石的襯底上外延一層單晶硅而制成的。它的優(yōu)點是取消了P-N結隔離，使工作溫度大為提高(可達300℃以上)。 提供： 反射器表面誤差，s（Φ）。 XY-跳動運動誤差，εX（Φ）和εy（Φ）。非接觸激光干涉儀外形尺寸測量

數(shù)控轉臺分度精度的檢測:數(shù)控轉臺分度精度的檢測及其自動補償現(xiàn)在，利用ML10激光干涉儀加上RX10轉臺基準還能進行回轉軸的自動測量。它可對任意角度位置，以任意角度間隔進行全自動測量，其精度達±1。新的國際標準已推薦使用該項新技術。它比傳統(tǒng)用自準直儀和多面體的方法不僅節(jié)約了大量的測量時間，而且還得到完整的回轉軸精度曲線，知曉其精度的每一細節(jié)，并給出按相關標準處理的統(tǒng)計結果。知曉其精度的每一細節(jié)，并給出按相關標準處理的統(tǒng)計結果。非接觸激光干涉儀位移測量用AquadB數(shù)據(jù)輸出測量。

在光電效應中，要釋放光電子顯然需要有足夠的能量。根據(jù)經典電磁理論，光是電磁波，電磁波的能量決定于它的強度，即只與電磁波的振幅有關，而與電磁波的頻率無關。而實驗規(guī)律中的較早、第二兩點顯然用經典理論無法解釋。第三條也不能解釋，因為根據(jù)經典理論，對很弱的光要想使電子獲得足夠的能量逸出，必須有一個能量積累的過程而不可能瞬時產生光電子。光電效應里，電子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂直于金屬表面射出，與光照方向無關，光是電磁波，但是光是高頻震蕩的正交電磁場，振幅很小，不會對電子射出方向產生影響。所有這些實際上已經曝露出了經典理論的缺陷，要想解釋光電效應必須突破經典理論

體型半導體應變片這種半導體應變片是將單晶硅錠切片、研磨、腐蝕壓焊引線，結尾粘貼在鋅酚醛樹脂或聚酰亞胺的襯底上制成的。體型半導體應變片可分為6種。①普通型：它適合于一般應力測量；②溫度自動補償型：它能使溫度引起的導致應變電阻變化的各種因素自動抵消，只適用于特定的試件材料；③靈敏度補償型：通過選擇適當?shù)囊r底材料（例如不銹鋼），并采用穩(wěn)流電路，使溫度引起的靈敏度變化極??；④高輸出（高電阻）型：它的阻值很高（2～10千歐）,可接成電橋以高電壓供電而獲得高輸出電壓，因而可不經放大而直接接入指示儀表。⑤超線性型：它在比較寬的應力范圍內，呈現(xiàn)較寬的應變線性區(qū)域，適用于大應變范圍的場合；⑥P-N組合溫度補償型：它選用配對的P型和N型兩種轉換元件作為電橋的相鄰兩臂，從而使溫度特性和非線性特性有較大改善。熱力或磁力應變作為ΔL與初始長度（Lo）之間的比率。

升降變差

1 能耐受機械力作用的儀表、儀表正面部分比較大尺寸小于75MM 的可攜式儀表、正面比較大尺寸小于40MM 的安裝式儀表、用直流進行檢驗的電磁系和鐵磁電動系儀表，其指示值的升降變差不應超過表7 規(guī)定值的1.5 倍。其它儀表的升降變差不應超過表的規(guī)定。

2 測定升降變差時，應在極性不變(當用直流檢驗時)和指示器升降方向不變的前提下，首先使被檢表指示器從一個方向平穩(wěn)地移向標度尺某一個分度線，讀取標準表的讀數(shù)；然后再從另一個方向平穩(wěn)地移向標度尺的同一個分度線，再次讀取標準表的讀數(shù)，標準表兩次讀數(shù)之差即為升降變差。允許根據(jù)被檢表讀數(shù)之差測定升降變差，這時應維持被測量之值不變。測定儀表升降變差時應遵守規(guī)定，若被測之量連續(xù)可調，可與測定基本誤差一同進行。 規(guī)定電動機的振動小于100nm。浙江激光干涉儀形貌測量

2000轉/分時的總振動高于150納米，可能導致電機 故障。非接觸激光干涉儀外形尺寸測量

不同變比電流互感器。這種型號的電流互感器具有同一個鐵心和一次繞組，而二次繞組則分為兩個匝數(shù)不同、各自獨自的繞組，以滿足同一負荷電流情況下不同變比、不同準確度等級的需要，例如在同一負荷情況下，為了保證電能計量準確，要求變比較小一些（以滿足負荷電流在一次額定值的2/3左右），準確度等級高一些（如1K1.1K2為200/5.0.2級）；而用電設備的繼電保護，考慮到故障電流的保護系數(shù)較大，則要求變比較大一些，準確度等級可以稍低一點（如2K1.2K2為300/5.1級）。非接觸激光干涉儀外形尺寸測量