TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，在關(guān)斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時(shí)，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失，這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大，這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓（換相過電壓）。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側(cè)過電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過程，會(huì)產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間，由于初次級(jí)之間存在分布電容，初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí)，出現(xiàn)瞬時(shí)過電壓。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。上海優(yōu)勢(shì)Mitsubishi三菱IGBT模塊報(bào)價(jià)

    為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種igbt驅(qū)動(dòng)電路，包括限壓電路、控制電路和限流電路。，所述限壓電路、所述控制電路和所述限流電路相并聯(lián)。，所述限壓電路包括：一齊納二極管；第二齊納二極管，所述第二齊納二極管與所述一齊納二極管串聯(lián)。，所述控制電路包括限壓電路控制輸入lp、電阻r2、下拉電阻r3和控制管n3，所述限壓電路控制輸入lp與所述電阻r2串聯(lián)，所述電阻r2與所述控制管n3相串聯(lián)，所述下拉電阻r3并聯(lián)在所述電阻r2與所述控制管n3之間。，所述限流電路包括電阻r1和正向二極管n22，所述電阻r1與所述正向二極管n22相串聯(lián)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明將分立器件實(shí)現(xiàn)的限壓電路集成在芯片中，節(jié)省了面積，降低了成本，將限壓電路與igbt的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)合在一個(gè)功能塊里進(jìn)一步節(jié)省了面積和成本，同時(shí)借助igbt的驅(qū)動(dòng)電路中的電阻限制了限壓支路的電流，降低了功耗，保護(hù)了驅(qū)動(dòng)芯片的安全，lp接收到mcu的信號(hào)置高時(shí)，限壓電路開始工作，a點(diǎn)電壓被限壓在設(shè)定所需要的電壓u1，如希望igbt驅(qū)動(dòng)輸出限制在12v，此時(shí)a電壓的設(shè)定u1＝12v+vbe，b點(diǎn)電壓為u2＝12v+2vbe，終c點(diǎn)電壓為12v，此時(shí)限壓部分的支路電流被限制在(vcc-u2)/r1以下。上海優(yōu)勢(shì)Mitsubishi三菱IGBT模塊報(bào)價(jià)IGBT在關(guān)斷過程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍?/p>

    IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來越多見。IGBT模塊連接圖IGBT模塊的安裝：為了使接觸熱阻變小，推薦在散熱器與IGBT模塊的安裝面之間涂敷散熱絕緣混合劑。涂敷散熱絕緣混合劑時(shí)，在散熱器或IGBT模塊的金屬基板面上涂敷。如圖1所示。隨著IGBT模塊與散熱器通過螺釘夾緊，散熱絕緣混合劑就散開，使IGBT模塊與散熱器均一接觸。上圖：兩點(diǎn)安裝型模塊下圖：一點(diǎn)安裝型模塊圖1散熱絕緣混合劑的涂敷方法涂敷同等厚度的導(dǎo)熱膏（特別是涂敷厚度較厚的情況下）可使無銅底板的模塊比有銅底板散熱的模塊的發(fā)熱更嚴(yán)重，引至模塊的結(jié)溫超出模塊的安全工作的結(jié)溫上限（Tj《125℃或125℃）。因?yàn)樯崞鞅砻娌黄秸鸬膶?dǎo)熱膏的厚度增加，會(huì)增大接觸熱阻，從而減慢熱量的擴(kuò)散速度。IGBT模塊安裝時(shí)，螺釘?shù)膴A緊方法如圖2所示。另外，螺釘應(yīng)以推薦的夾緊力矩范圍予以夾緊。

    可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。

    由形成于半導(dǎo)體襯底表面的一導(dǎo)電類型輕摻雜區(qū)組成。第二導(dǎo)電類型摻雜的阱區(qū)，形成于所述漂移區(qū)表面。在所述漂移區(qū)的底部表面形成有由第二導(dǎo)電類重?fù)诫s區(qū)組成的集電區(qū)。電荷存儲(chǔ)層，所述電荷存儲(chǔ)層形成于所述漂移區(qū)的頂部區(qū)域且位于所述漂移區(qū)和所述阱區(qū)交界面的底部，所述電荷存儲(chǔ)層具有一導(dǎo)電類重?fù)诫s；所述電荷存儲(chǔ)層用于阻擋第二導(dǎo)電類載流子從所述漂移區(qū)中進(jìn)入到所述阱區(qū)中。多個(gè)溝槽，各所述溝槽穿過所述阱區(qū)和所述電荷存儲(chǔ)層且各所述溝槽的進(jìn)入到所述漂移區(qū)中；一個(gè)所述igbt器件的單元結(jié)構(gòu)中包括一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)以及形成于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)，在所述柵極結(jié)構(gòu)的每一側(cè)包括至少一個(gè)所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)。所述柵極結(jié)構(gòu)包括形成于一個(gè)對(duì)應(yīng)的所述溝槽中的一屏蔽多晶硅和多晶硅柵的疊加結(jié)構(gòu)，所述一屏蔽多晶硅組成一屏蔽電極結(jié)構(gòu)。所述多晶硅柵位于所述一屏蔽多晶硅的頂部，所述一屏蔽多晶硅和對(duì)應(yīng)的所述溝槽的底部表面和側(cè)面之間通過一屏蔽介質(zhì)層隔離，所述一屏蔽多晶硅和所述多晶硅柵之間通過多晶硅間介質(zhì)層隔離，所述多晶硅柵和所述溝槽的側(cè)面之間通過柵介質(zhì)層隔離。所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)由填充于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述溝槽中的第二屏蔽多晶硅組成。62mm封裝(俗稱“寬條”):IGBT底板的銅極板增加到62mm寬度。上海優(yōu)勢(shì)Mitsubishi三菱IGBT模塊報(bào)價(jià)

IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線。上海優(yōu)勢(shì)Mitsubishi三菱IGBT模塊報(bào)價(jià)

    2）IGBT模塊的散熱器應(yīng)根據(jù)使用條件和環(huán)境及IGBT模塊參數(shù)進(jìn)行匹配選擇，以保證GBT模塊工作時(shí)對(duì)散熱器的要求。為了減少接觸熱阻，推薦在散熱器與IGBT模塊之間涂上一層很薄的導(dǎo)熱硅脂。3）IGBT模塊安裝到散熱片上時(shí)，要先在模塊的反面涂上散熱絕緣混合劑（導(dǎo)熱膏），再用推薦的夾緊力距充分旋緊。另外，散熱片上安裝螺絲的位置之間的平坦度應(yīng)控制在100μm以下，表面粗糙度應(yīng)控制在10μm以下。散熱器表面如有凹陷，會(huì)導(dǎo)致接觸熱阻（Rth（c—f）的增加。另外，散熱器表面的平面度在上述范圍以外時(shí)，IGBT模塊安裝時(shí)（夾緊時(shí)）會(huì)給IGBT模塊內(nèi)部的芯片與位于金屬基板間的絕緣基板增加應(yīng)力，有可能產(chǎn)生絕緣破壞。4）IGBT模塊底板為銅板的模塊，在散熱器與IGBT模塊均勻受力后，從IGBT模塊邊緣可看出有少許導(dǎo)熱硅脂擠出為佳。IGBT模塊底板為DBC基板的模塊，散熱器表面必須平整、光潔，采用絲網(wǎng)印刷或圓滾滾動(dòng)的方法涂敷一薄層導(dǎo)熱硅脂后，使兩者均勻壓接。IGBT模塊直接固定在散熱器上時(shí)，每個(gè)螺釘需按說明書中給出的力矩旋緊，螺釘一定要受力均勻，力矩不足導(dǎo)致熱阻增加或運(yùn)動(dòng)中出現(xiàn)螺釘松動(dòng)。兩點(diǎn)安裝緊固螺絲時(shí)，一個(gè)和第二個(gè)依次緊固額定力矩的1/3，然后反復(fù)多次使其達(dá)到額定力矩。上海優(yōu)勢(shì)Mitsubishi三菱IGBT模塊報(bào)價(jià)