在恢復電流快速衰減時，由于外電路電感的作用，會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零，到反向恢復電流衰減至接近于零的時間，就是晶閘管的反向阻斷恢復時間t。[1]反向恢復過程結束后，由于載流子復合過程比較慢，晶閘管要恢復其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時間，這叫做反向阻斷恢復時間tgr。在反向阻斷恢復時間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓，晶閘管會重新正向導通，而不受門極電流控制而導通。所以在實際應用中，需對晶閘管施加足夠長時間的反壓，使晶閘管充分恢復其對正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關斷時間t定義為t與t之和，即t=t+t除了開通時間t、關斷時間t及觸發(fā)電流IGT外，本文比較關注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：斷態(tài)（反向）重復峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的正向（反向）峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標值作為該器件的額定電壓。通態(tài)平均電流I：國際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結溫不超過額定結溫時所允許流過的**大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標稱其額定電流的參數(shù)。讓輸出電壓變得可調(diào)，也屬于晶閘管的一個典型應用。山東本地瑞士ABB晶閘管模塊代理商

4．可關斷晶閘管可關斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點是，當門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前，大功率可關斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管，是一種光敏器件。由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K），結構與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構成。圖2光控晶閘管符號圖當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負向電壓時，控晶閘管可以等效成的電路。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的，只是它對光源的波長有一定的要求，有選擇性。波長在0．8——0．9um的紅外線及波長在1um左右的激光，都是光控晶閘管較為理想的光源。晶閘管的應用晶閘管是一種開關元件，具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作。它基本的用途就是可控整流，其工作過程可以控制，具有體積小、輕、功耗低、效率高、開關迅速等優(yōu)點?；谏鲜鎏攸c。山東本地瑞士ABB晶閘管模塊代理商晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極。

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經(jīng)可以達到180kA/30us，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us。但是此種開關所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件，通過門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關斷，導通后控制極即不再起作用，要關斷必須切斷電源，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關斷不可控的特性，必須另外配以由電感、電容及輔助開關器件等組成的強迫換流電路，從而使裝置體積增大，成本增加，而且系統(tǒng)更為復雜、可靠性降低。二是因為此類器件立足于分立元件結構，開通損耗大，工作頻率難以提高，限制了其應用范圍。1970年代末，隨著可關斷晶閘管（GTO）日趨成熟，成功克服了普通晶閘管的缺陷，標志著電力電子器件已經(jīng)從半控型器件發(fā)展到全控型器件。

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應留出適當裕量。推薦選擇如下：阻性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2、導通角要求模塊在較小導通角時（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此，要求模塊應在較大導通角下（100度以上）工作。3、控制電源要求（1）電壓為DC12V±；紋波電壓≤30mV；輸出電流≥1A；（2）可以采用開關電源，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩(wěn)壓電源）。開關電源外殼應帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口，嚴禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求（1）工作場所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃。（2）模塊周圍應干燥、通風、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。

家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風扇、冷暖空調(diào)器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響組合、聲控電路、定時控制器、感應燈、圣誕燈控制器、自動門電路、以及玩具裝置、電動工具產(chǎn)品、無線電遙控電路、攝像機等工業(yè)控制領域等都大量使用了可控硅器件。在這些技術應用系統(tǒng)電路中，可控硅元件可以多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關進行如何有效保護晶閘管在行業(yè)應用晶閘管越來越廣，作為行業(yè)增加應用范圍。晶閘管的功能更加。但有時，在晶閘管的過程中會造成一定的傷害。為了保證晶閘管的生活，我們?nèi)绾胃玫乇Ｗo區(qū)晶閘管呢？1、過電壓保護晶閘管對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態(tài)重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發(fā)電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及抑制過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的主要原因是所提供的電力或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化，使系統(tǒng)轉換太晚，或系統(tǒng)中積累的電磁能量來不及消散。主要發(fā)現(xiàn)開關開閉引起的雷擊和沖擊電壓等外部沖擊引起的過電壓有兩種類型。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰。1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上第1晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。遼寧貿(mào)易瑞士ABB晶閘管模塊工廠直銷

其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。山東本地瑞士ABB晶閘管模塊代理商

引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，抑制了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標稱電壓：當參考壓敏電阻直流1mA電流流動，它兩端的電壓值。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形進行沖擊以及電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標稱工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以內(nèi)的大經(jīng)濟沖擊產(chǎn)生電流值來表示。因為企業(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過一定程度大小的放電容量和放電次數(shù)，標稱電壓值不會隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降，而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降，當大到某一部分電流時，標稱電壓下降到0，壓敏電阻可以出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此我們必須進行限定通流數(shù)據(jù)容量。漏電流：將標稱直流電壓的一半加到壓敏電阻上測量的電流。由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低，抑制過電壓能力強；平時漏電流小，放電后不會有續(xù)流，元件的標稱電壓等級多，便于用戶選擇；伏安特性是對稱的，可用于交、直流或正負浪涌；因此用途較廣。過電流保護由于半導體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結溫必須受到嚴格的控制。山東本地瑞士ABB晶閘管模塊代理商