實現(xiàn)交流調(diào)壓、電機調(diào)速、交流開關、路燈自動開啟與關閉、溫度控制、臺燈調(diào)光、舞臺調(diào)光等多種功能，它還被用于固態(tài)繼電器(SSR)和固態(tài)接觸器電路中。雙向可控硅產(chǎn)品區(qū)別編輯可控硅(SCR:SiliconControlledRectifier)是可控硅整流器的簡稱?？煽毓栌袉蜗?、雙向、可關斷和光控幾種類型它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點，被用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉換的場合。單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關斷變?yōu)閷ǎ坏?，外部信號就無法使其關斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控硅是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結的二極管相比，單向可控硅正向導通受控制極電流控制；與具有兩個PN結的三極管相比，差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用?？刂茦O觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。上海貿(mào)易Mitsubishi三菱可控硅模塊供應

    1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對一電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號（圖5a）。雙向可控硅觸發(fā)導通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時雙向可控硅觸發(fā)導通規(guī)律是按第二象限的特性進行的，又因為觸發(fā)信號是正向的，所以把這種觸發(fā)叫做“一象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式。(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發(fā)導通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“一象限的負觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號，雙向可控硅導通后，通態(tài)電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。(4)兩個主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發(fā)信號(圖5d)，雙向可控硅導通后，通態(tài)電流仍從T1流向T2。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式。雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式，但由于負信號觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小。工作比較可靠，因此在實際使用時，負觸發(fā)方式應用較多?？煽毓杼匦跃庉嫵Ｓ玫挠凶枞菀葡鄻蛴|發(fā)電路、單結晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等。浙江Mitsubishi三菱可控硅模塊供應商其通斷狀態(tài)由控制極G決定。

    黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào)，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進一步測量，對于單向可控硅，閉合開關K，燈應發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。對于雙向可控硅，閉合開關K，燈應發(fā)亮，斷開K，燈應不息滅。然后將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞[3]。

    符號英文單詞參數(shù)中文參數(shù)說明單位IT(AV)AVERAGEON-STATECURRENT通態(tài)平均電流838電子838電子國標規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40oC和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結溫不超過額定結溫時所允許流過的大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標稱其額定電流的參數(shù)。同電力二極管一樣，這個參數(shù)是按照正向電流造成的器件本身的通態(tài)損耗的發(fā)熱效應來定義的。因此在使用時同樣應按照實際波形的電流與通態(tài)平均電流所造成的發(fā)熱效應相等，即有效值相等的原則來選取晶閘管的此項電流定額，并應留一定的裕量。一般選取其通態(tài)平均電流為按此原則所得計算結果的。AVTMPeakon-statevoltagedrop通態(tài)峰值電壓指器件通過規(guī)定正向峰值電流IFM(整流管)或通態(tài)峰值電流ITM(晶閘管)時的峰值電壓也稱峰值壓降該參數(shù)直接反映了器件的通態(tài)損耗特性影響著器件的通態(tài)電流額定能力。VIDRMMaximumforwardorreverseleakagecurrent斷態(tài)重復峰值漏電流為晶閘管在阻斷狀態(tài)下承受斷態(tài)重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM時流過元件的正反向峰值漏電流該參數(shù)在器件允許工作的高結溫Tjm下測出。mAIRRMMaximumreverseleakagecurrent反向重復峰值漏電流mAIDSM斷態(tài)不重復平均電流門極斷路時。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

    晶閘管)回到導通狀態(tài)。為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關于轉換電流變化率當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉換電流變化率變高，這種情況易在感性負載的情況下發(fā)生，很容易導致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4、關于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通。這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰?？煽毓枋荘1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結。浙江Mitsubishi三菱可控硅模塊供應商

一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路。上海貿(mào)易Mitsubishi三菱可控硅模塊供應

    金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。(五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。雙向可控硅封裝形式編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。雙向可控硅構造原理編輯盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實際上它是由7只晶體管和多只電阻構成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V)、BCM3AM(3A/600V)、2N6075(4A/600V)，MAC218-10(8A/800V)等。大功率雙向可雙向可控硅控硅大多采用RD91型封裝。雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通，故除門極G以外的兩個電極統(tǒng)稱為主端子，用T1、T2表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點是，當G極和T2極相對于T1，的電壓均為正時，T2是陽極，T1是陰極。反之。上海貿(mào)易Mitsubishi三菱可控硅模塊供應