可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類(lèi)2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號(hào)可控硅模塊分類(lèi)編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。可控硅模塊優(yōu)點(diǎn)編輯體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。按引腳和極性分類(lèi)：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。遼寧Mitsubishi三菱可控硅模塊供應(yīng)商

    進(jìn)入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過(guò)J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合，雪崩擊穿，進(jìn)入N1區(qū)的電子與進(jìn)入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉，這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結(jié)果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結(jié)變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性。這時(shí)J1、J2、J3三個(gè)結(jié)均處于正偏，可控硅便進(jìn)入正向?qū)щ姞顟B(tài)---通態(tài)，此時(shí)，它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似。雙向可控硅檢測(cè)方法編輯DIP4管腳型ZC三端雙向可控硅光電耦合器利用萬(wàn)用表RXl檔判定雙向可控硅電極的方法，同時(shí)還檢查觸發(fā)能力。判定T2極G極與T1極靠近，距T2極較遠(yuǎn)。因此，G—T1之間的正、反向電阻都很小。在肦Xl檔測(cè)任意兩腳之間的電阻時(shí)，只有在G-T1之間呈現(xiàn)低阻，正、反向電阻幾十歐，而T2-G、T2-T1之間的正、反向電阻均為無(wú)窮大。這表明，如果測(cè)出某腳和其他兩腳都不通，就肯定是T2極。另外，采用TO—220封裝的雙向可控硅，T2極通常與小散熱板連通，據(jù)此亦可確定T2極。區(qū)分G極和T1極(1)找出T2極之后，首先假定剩下兩腳中某一腳為T(mén)l極，另一腳為G極。(2)把黑表筆接T1極，紅表筆接T2極，電阻為無(wú)窮大。接著用紅表筆尖把T2與G短路，給G極加上負(fù)觸發(fā)信號(hào)，電阻值應(yīng)為十歐左右。遼寧Mitsubishi三菱可控硅模塊供應(yīng)商在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。

    AV)--通態(tài)平均電流VDRM--通態(tài)重復(fù)峰值電壓VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流VTM--通態(tài)峰值電壓Tjm--額定結(jié)溫VGT--門(mén)極觸發(fā)電壓VISO--模塊絕緣電壓IH--維持電流Rthjc--結(jié)殼熱阻IGT--門(mén)極觸發(fā)電流di/dt--通態(tài)電流臨界上升率ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率雙向可控硅伏安特性編輯雙向可控硅反向特性當(dāng)控制極開(kāi)路，陽(yáng)極加上反向電壓時(shí)，J2結(jié)正偏，但J1、J3結(jié)反偏。此時(shí)只能流過(guò)很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后，接差J3結(jié)也擊穿，電流迅速增加，特性開(kāi)始彎曲，如特性O(shè)R段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時(shí)，可控硅會(huì)發(fā)生反向。雙向可控硅正向特性當(dāng)控制極開(kāi)路，陽(yáng)極上加上正向電壓時(shí)，J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與普通PN結(jié)的反向特性相似，也只能流過(guò)很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)，當(dāng)電壓增加，特性發(fā)生了彎曲，如特性O(shè)A段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉(zhuǎn)折電壓，由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后，J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)，在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴，電子時(shí)入N1區(qū)，空穴時(shí)入P2區(qū)。進(jìn)入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過(guò)J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合，同樣。

    可以大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。規(guī)則8.若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上好串聯(lián)一個(gè)幾μH的無(wú)鐵芯電感，或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。規(guī)則9.器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。規(guī)則10.為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax,其值相應(yīng)于可能的環(huán)境溫度。雙向可控硅典型應(yīng)用編輯雙向晶閘管可用于工業(yè)、交通、家用電器等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓、電機(jī)調(diào)速、交接近開(kāi)關(guān)電路流開(kāi)關(guān)、路燈自動(dòng)開(kāi)啟與關(guān)閉、溫度控制、臺(tái)燈調(diào)光、舞臺(tái)調(diào)光等多種功能，它還被用于固態(tài)繼電器(SSR)和固態(tài)接觸器電路中。圖5是由雙向晶閘管構(gòu)成的接近開(kāi)關(guān)電路。R為門(mén)極限流電阻，JAG為干式舌簧管。平時(shí)JAG斷開(kāi)，雙向晶閘管TRIAC也關(guān)斷。當(dāng)小磁鐵移近時(shí)JAG吸合，使雙向晶閘管導(dǎo)通，將負(fù)載電源接通。由于通過(guò)干簧管的電流很小，時(shí)間幾微秒，所以開(kāi)關(guān)的壽命很長(zhǎng)?，F(xiàn)在可控硅應(yīng)用市場(chǎng)相當(dāng)廣闊，可控硅應(yīng)用在自動(dòng)控制領(lǐng)域，機(jī)電領(lǐng)域，工業(yè)電器及家電等方面都有可控硅的身影。告訴記者，他目前的幾個(gè)大單中還有用于卷發(fā)產(chǎn)品的單?？煽毓鑿耐庑紊戏诸?lèi)主要有：螺栓形、平板形和平底形。

    j-a)ThermalResistanceJunction-to-ambient熱阻-結(jié)到環(huán)境-℃/WIGTTriggeringgatecurrent門(mén)極觸發(fā)電流為了使可控硅可靠觸發(fā)，觸發(fā)電流Igt選擇25度時(shí)max值的α倍，α為門(mén)極觸發(fā)電流—結(jié)溫特性系數(shù)，查數(shù)據(jù)手冊(cè)可得，取特性曲線中低工作溫度時(shí)的系數(shù)。若對(duì)器件工作環(huán)境溫度無(wú)特殊需要，通常選型時(shí)α取大于。mAIHHoldingCurrent維持電流維持可控硅維持通態(tài)所必需的小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。mAILLatchingCurrent(IGT3)接入電流(第三象限)/擎住電流擎住電流是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)后，能維持導(dǎo)通所需的小電流。對(duì)同一晶閘管來(lái)說(shuō)，通常IL約為IH的2--4倍。mAIDOff-stateleakagecurrent斷態(tài)漏電流-mAVGTTriggeringgatevoltage門(mén)極觸發(fā)電壓—可以選擇Vgt25度時(shí)max值的β倍。β為門(mén)極觸發(fā)電壓—結(jié)溫特性系數(shù)，查數(shù)據(jù)手冊(cè)可得，取特性曲線中低工作溫度時(shí)的系數(shù)。若對(duì)器件工作環(huán)境溫度無(wú)特殊需要，通常選擇時(shí)β取1~。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。哪里有Mitsubishi三菱可控硅模塊代理商

額定通態(tài)電流（IT）即比較大穩(wěn)定工作電流，俗稱(chēng)電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。遼寧Mitsubishi三菱可控硅模塊供應(yīng)商

    就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱(chēng)為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱(chēng)為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等?？煽毓枵{(diào)壓調(diào)速原理小功率分體機(jī)室內(nèi)風(fēng)機(jī)目前用的是PG調(diào)速塑封電機(jī)，為單向異步電容運(yùn)轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)。為了滿足空調(diào)正常的運(yùn)轉(zhuǎn)，達(dá)到制冷、制熱能力的平衡，所以必須保證室內(nèi)風(fēng)機(jī)的轉(zhuǎn)速滿足系統(tǒng)的要求，并保持轉(zhuǎn)速的穩(wěn)定。因此采用可控硅調(diào)壓調(diào)速的方法來(lái)調(diào)節(jié)風(fēng)機(jī)的轉(zhuǎn)速。1.電路原理圖2.工作原理簡(jiǎn)介可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來(lái)改變電動(dòng)機(jī)端電壓的波形，從而改變電動(dòng)機(jī)端電壓的有效值，達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角α1=180°時(shí)，電動(dòng)機(jī)端電壓波形為正弦波。遼寧Mitsubishi三菱可控硅模塊供應(yīng)商