發(fā)射機(jī)的調(diào)制器往往只能采用剛性開關(guān)調(diào)制器。剛性開關(guān)調(diào)制器又稱剛管調(diào)制器,剛管調(diào)制器因其調(diào)制開關(guān)可受控主動(dòng)關(guān)斷而得名。因此,采用這種調(diào)制器發(fā)射機(jī)脈寬可實(shí)現(xiàn)脈間變化。IGBT屬于場(chǎng)控功率管,具有開關(guān)速度快、管壓降小等特點(diǎn),在剛管調(diào)制器中得到越來越***的應(yīng)用,但其觸發(fā)電路設(shè)計(jì)以及單只IGBT有限的電壓和電流能力是其推廣應(yīng)用的難點(diǎn)。方案采用IGD515EI,加入相應(yīng)的外圍電路,構(gòu)成了IGBT驅(qū)動(dòng)電路,通過IGD515EI的34腳(SDSOA)多管聯(lián)用特性端實(shí)現(xiàn)兩管串聯(lián)應(yīng)用,解決了IGBT單管耐壓不高的問題。IGBT驅(qū)動(dòng)電路如圖1所示。驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過光纖接收器HFBR-2521送給驅(qū)動(dòng)模塊,驅(qū)動(dòng)模塊報(bào)故障時(shí)通過光纖發(fā)射器HFBR-1521送出故障信號(hào)給控制電路,由控制電路切斷所有IGBT驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)信號(hào),各個(gè)IGD515EI同時(shí)輸出-15V的負(fù)偏壓,各個(gè)IGBT同時(shí)關(guān)斷,避免個(gè)別器件提前關(guān)斷,造成過壓擊穿。圖1IGBT驅(qū)動(dòng)電路(VCC)和9腳(GND)接入+15V電源,由模塊內(nèi)部通過DC/DC變換產(chǎn)生±15V和+5V輸出,為光纖發(fā)射器、接收器以及輸出電路提供電源。因而對(duì)每個(gè)處于高電位的驅(qū)動(dòng)電路來說,只需提供一個(gè)15V電源即可,便于做到電位隔離。(G)輸出的驅(qū)動(dòng)電壓為±12V~±15V,這取決于電源電壓;也可不產(chǎn)生負(fù)的柵極電壓。模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍。寧夏模塊商家

    通過在ipm模塊發(fā)射極端子與柵極端子之間設(shè)置相互連接的低阻值電阻r、放大濾波電路、保護(hù)電路和驅(qū)動(dòng)電路，形成ipm模塊的短路檢測(cè)電路，放大濾波電路能放大流過電阻r的電流信號(hào)，采集電流所需時(shí)間極短且濾除干擾電流毛刺，電流放大后更易于進(jìn)行閾值電流值的設(shè)置，有效的提高了短路電流檢測(cè)的精確度，縮短了短路檢測(cè)時(shí)間；放大后的電流信號(hào)傳遞給保護(hù)電路，使保護(hù)電路能夠短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)出ipm模塊是否發(fā)生短路，對(duì)ipm模塊進(jìn)行保護(hù)，避免了ipm模塊中芯片因承受過大的短路電流而燒毀，從而提高了ipm模塊的可靠性和使用壽命。附圖說明圖1是本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測(cè)電路的原理圖；圖2是本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測(cè)電路中保護(hù)電路的原理示意圖；圖3是本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測(cè)電路的效果對(duì)比圖。圖中，，3.放大濾波電路，4.保護(hù)電路，5.驅(qū)動(dòng)電路，7.電阻r。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。本實(shí)用新型一種ipm模塊短路檢測(cè)電路，參照?qǐng)D1，包括連接在ipm模塊1發(fā)射極端子與柵極端子之間的電阻r7、放大濾波電路3、保護(hù)電路4和驅(qū)動(dòng)電路5，放大濾波電路3采集放大電阻r7的電流，保護(hù)電路4將放大的電流轉(zhuǎn)換為電壓u，并與閾值電壓uref進(jìn)行比較。陜西標(biāo)準(zhǔn)模塊可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。

    這個(gè)反電動(dòng)勢(shì)可以對(duì)電容進(jìn)行充電。這樣，正極的電壓也不會(huì)上升。如下圖：坦白說，上面的這個(gè)解釋節(jié)我寫得不是很有信心，我希望有高人出來指點(diǎn)一下。歡迎朋友在評(píng)論中留言。我會(huì)在后面寫《變頻器的輸出電流》一節(jié)中，通過實(shí)際的電流照片，驗(yàn)證這個(gè)二極管的作用。現(xiàn)在來解釋在《變頻器整流部分元件》中說，在《電流整流的方式分類》中講的“也可以用IGBT進(jìn)行整流”有問題的。IGBT,通常就是一個(gè)元件，它不帶續(xù)流二極管。即是這個(gè)符號(hào)：商用IGBT模塊，都是將“IGBT+續(xù)流二極管”集成在一個(gè)整體部件中，即下面的這個(gè)符號(hào)。在工廠中，我們稱這個(gè)整體部件叫IGBT，不會(huì)說“IGBT模塊”。我們可以用“IGBT模塊”搭接一個(gè)橋式整流電路，利用它的續(xù)流二極管實(shí)現(xiàn)整流。這樣，我們說：IGBT也可以進(jìn)行整流，也沒有錯(cuò)。但它的實(shí)質(zhì)，還是用的二極管實(shí)現(xiàn)了整流。既然是用了“IGBT模塊”上的“續(xù)流二極管”整流，為什么不直接用“二極管”呢？答案是：這一種設(shè)計(jì)是利用“IGBT”的通斷來治理變頻器工作時(shí)產(chǎn)生的“諧波”，這個(gè)原理以后寫文再講。

    功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實(shí)現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。LM2596LM2596+關(guān)注CD4046CD4046+關(guān)注cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗*為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。聯(lián)網(wǎng)技術(shù)聯(lián)網(wǎng)技術(shù)+關(guān)注基站測(cè)試基站測(cè)試+關(guān)注（basestationtests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，，。STM32F103C8T6STM32F103C8T6+關(guān)注STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~，工作溫度為-40°C~85°C。光立方光立方+關(guān)注光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日***廣場(chǎng)舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)**具創(chuàng)意的三**寶**。OBDOBD+關(guān)注OBD是英文On-BoardDiagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺(tái)，接地地面，接地腕帶等防靜電措施。

    收藏查看我的收藏0有用+1已投票0晶體閘流管編輯鎖定討論上傳視頻同義詞晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上***晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被***應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。中文名晶閘管外文名Thyristo目錄1種類2工作原理3工作條件4工作過程5注意事項(xiàng)6如何保護(hù)晶閘管晶體閘流管種類編輯（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)控制大功率設(shè)備。中國臺(tái)灣西門子模塊

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。寧夏模塊商家

    因?yàn)檎５膲好綦娮枇＝鐚又挥幸欢ù笮〉姆烹娙萘亢头烹姶螖?shù)，標(biāo)稱電壓值不*會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一電流時(shí)，標(biāo)稱電壓下降到0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量。漏電流：指加一半標(biāo)稱直流電壓時(shí)測(cè)得的流過壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低，抑制過電壓能力強(qiáng)；平時(shí)漏電流小，放電后不會(huì)有續(xù)流，元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多，便于用戶選擇；伏安特性是對(duì)稱的，可用于交、直流或正負(fù)浪涌；因此用途較廣。2、過電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制，否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時(shí)，熱量來不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高，**終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負(fù)載過載或短路，相鄰設(shè)備故障影響等。晶閘管過電流保護(hù)方法**常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動(dòng)作太慢，在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞；所以不能用來保護(hù)晶閘管。寧夏模塊商家