正向導電，反向不導電）晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當不存在外加電壓時，因為p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當產生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導電的原因）。當產生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0（這也就是不導電的原因）。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時。因此，二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開。天津好的Sirectifier矽萊克二極管模塊現貨

沒有高到讓外接的二極管處于導通狀態(tài)，理由是：如果集成電路A1的①腳輸出的直流電壓足夠高，那么VD1、VD2和VD3導通，其導通后的內阻很小，這樣會將集成電路A1的①腳輸出的交流信號分流到地，對信號造成衰減，顯然這一電路中不需要對信號進行這樣的衰減，所以從這個角度分析得到的結論是：集成電路A1的①腳輸出的直流電壓不會高到讓VD1、VD2和VD3導通的程度。4）從集成電路A1的①腳輸出的是直流和交流疊加信號，通過電阻R1與三極管VT1基極，VT1是NPN型三極管，如果加到VT1基極的正半周交流信號幅度出現很大的現象，會使VT1的基極電壓很大而有燒壞VT1的危險。加到VT1基極的交流信號負半周信號幅度很大時，對VT1沒有燒壞的影響，因為VT1基極上負極性信號使VT1基極電流減小。5）通過上述電路分析思路可以初步判斷，電路中的VD1、VD2、VD3是限幅保護二極管電路，防止集成電路A1的①腳輸出的交流信號正半周幅度太大而燒壞VT1。從上述思路出發(fā)對VD1、VD2、VD3二極管電路進一步分析，分析如果符合邏輯，可以說明上述電路分析思路是正確的。2．二極管限幅電路分析各種限幅電路工作是有方法的，將信號的幅度分兩種情況：1）信號幅度比較小時的電路工作狀態(tài)。天津好的Sirectifier矽萊克二極管模塊現貨控制電路由一片或多片半導體芯片組成。

也是一個PN結的結構，不同之處是要求這種二極管的開關特性要好。當給開關二極管加上正向電壓時，二極管處于導通狀態(tài)，相當于開關的通態(tài)；當給開關二極管加上反向電壓時，二極管處于截止狀態(tài)，相當于開關的斷態(tài)。二極管的導通和截止狀態(tài)完成開與關功能。開關二極管就是利用這種特性，且通過制造工藝，開關特性更好，即開關速度更快，PN結的結電容更小，導通時的內阻更小，截止時的電阻很大。如表9-41所示是開關時間概念說明。表開關時間概念說明2．典型二極管開關電路工作原理二極管構成的電子開關電路形式多種多樣，如圖9-46所示是一種常見的二極管開關電路。圖9-46二極管開關電路通過觀察這一電路，可以熟悉下列幾個方面的問題，以利于對電路工作原理的分析：1）了解這個單元電路功能是步。從圖8-14所示電路中可以看出，電感L1和電容C1并聯，這顯然是一個LC并聯諧振電路，是這個單元電路的基本功能，明確這一點后可以知道，電路中的其他元器件應該是圍繞這個基本功能的輔助元器件，是對電路基本功能的擴展或補充等，以此思路可以方便地分析電路中的元器件作用。2）C2和VD1構成串聯電路，然后再與C1并聯。

把交流電變成脈動直流電。整流二極管漏電流較大,多數采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示，另外，整流二極管的參數除前面介紹的幾個外，還有大整流電流，是指整流二極管長時間的工作所允許通過的大電流值。它是整流二極管的主要參數，是選項用整流二極管的主要依據。二極管特性曲線整流二極管常用參數編輯（1）大平均整流電流IF：指二極管長期工作時允許通過的大正向平均電流。該電流由PN結的結面積和散熱條件決定。使用時應注意通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF為1A。（2）高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR為1000V（3）大反向電流IR：它是二極管在高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數反映了二極管單向導電性能的好壞。因此這個電流值越小，表明二極管質量越好。（4）擊穿電壓VB：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。

所以依據這一點可以確定這一電路是為了穩(wěn)定電路中A點的直流工作電壓。3）電路中有多只元器件時，一定要設法搞清楚實現電路功能的主要元器件，然后圍繞它進行展開分析。分析中運用該元器件主要特性，進行合理解釋。二極管溫度補償電路及故障處理眾所周知，PN結導通后有一個約為（指硅材料PN結）的壓降，同時PN結還有一個與溫度相關的特性：PN結導通后的壓降基本不變，但不是不變，PN結兩端的壓降隨溫度升高而略有下降，溫度愈高其下降的量愈多，當然PN結兩端電壓下降量的值對于，利用這一特性可以構成溫度補償電路。如圖9-42所示是利用二極管溫度特性構成的溫度補償電路。圖9-42二極管溫度補償電路對于初學者來講，看不懂電路中VT1等元器件構成的是一種放大器，這對分析這一電路工作原理不利。在電路分析中，熟悉VT1等元器件所構成的單元電路功能，對分析VD1工作原理有著積極意義。了解了單元電路的功能，一切電路分析就可以圍繞它進行展開，做到有的放矢、事半功倍。1．需要了解的深層次電路工作原理分析這一電路工作原理需要了解下列兩個深層次的電路原理。1）VT1等構成一種放大器電路，對于放大器而言要求它的工作穩(wěn)定性好。目前，市場上有光伏防反二極管模塊與普通二極管模塊兩種類型可供選擇。山東定制Sirectifier矽萊克二極管模塊工廠直銷

當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。天津好的Sirectifier矽萊克二極管模塊現貨

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發(fā)，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。天津好的Sirectifier矽萊克二極管模塊現貨