該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層90％以上成分為銀，孔隙率小于25％，且厚度為1～15μm。藉此，本發(fā)明具有下列功效：1.本發(fā)明使用的熱接口材料將不會(huì)產(chǎn)生任何介金屬化合物，故不會(huì)因制程(環(huán)境)溫度而脆化，且在高溫下(＜800℃)相當(dāng)穩(wěn)定。2.本發(fā)明使用的熱接口材料在完成熱處理后含少量有機(jī)物(＜1％)，且99％以上為純銀，故長(zhǎng)時(shí)間使用下將無(wú)有機(jī)揮發(fā)物(volatileorganiccompounds,voc)產(chǎn)生。3.本發(fā)明所使用的熱接口材料為純銀，以高純度銀做異質(zhì)界面接合用材料，其導(dǎo)熱系數(shù)為錫銀銅合金(無(wú)鉛焊錫)的兩倍以上，如表1所示。表1本發(fā)明與現(xiàn)有錫銀銅合金焊料的比較錫銀銅焊料本發(fā)明導(dǎo)電率(mω-cm)～(w/m-k)60>2004.本發(fā)明不含鉛、鎘、鹵素等毒性物質(zhì)。5.目前高功率模塊的工作溫度已上升至150℃，次世代高功率模塊的工作溫度將上升至200℃，則本發(fā)明所使用的熱接口材料為純銀，將可取代無(wú)鉛焊錫的錫銀銅合金與傳統(tǒng)焊錫的鉛錫與銀鉛錫合金。6.本發(fā)明奈米銀粒子與微米銀粒子的比例為9:1～1:1，且因主要組成銀粒子的尺寸為100nm以下的奈米銀粒子，故所使用的熱處理溫度低于250℃，可避免電子組件在封裝制程中受到高溫而破壞。7.本發(fā)明采用全新非接觸式探針點(diǎn)膠技術(shù)。它由高速低功耗的管芯和優(yōu)化的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。山東常見(jiàn)Mitsubishi三菱IPM模塊現(xiàn)貨

    該奈米銀粒子與該微米銀粒子的重量比為9:1～1:1，而該非接觸式探針點(diǎn)膠設(shè)備包含一組傳感器，是由重量感測(cè)組件、電容及電阻建構(gòu)而成的自動(dòng)回饋控制系統(tǒng)；步驟二：將涂布于該散熱基板上的銀基奈米漿料進(jìn)行加溫，并持溫一段時(shí)間；步驟三：將一集成電路芯片放置于該散熱基板的銀基奈米漿料上方，形成一組合對(duì)象；以及步驟四：利用一熱壓機(jī)對(duì)該組合對(duì)象進(jìn)行加壓與加熱的熱壓接合制程，燒結(jié)該銀基奈米漿料，以形成該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層，其中該熱壓機(jī)的加壓壓力為1～10mpa，加熱到210～300℃，并維持上述壓力與溫度30～120分鐘后冷卻至室溫。于本發(fā)明上述實(shí)施例中，該散熱基板的材質(zhì)為銀、銅、金、或鎳之合金，或是材質(zhì)為陶瓷、或氧化硅的基板上具有銀、金、鎳、鈦的合金或氮化物鍍層。于本發(fā)明上述實(shí)施例中，該步驟一亦可以網(wǎng)版印刷、或刮刀涂布方式將該銀基奈米漿料涂布在該散熱基板上。于本發(fā)明上述實(shí)施例中，該銀基金屬粒子是以化學(xué)合成法合成兩種以上粒徑的銀粒子并混合。于本發(fā)明上述實(shí)施例中，該有機(jī)酸為庚酸或丙酸。于本發(fā)明上述實(shí)施例中，該有機(jī)銀離子化合物為銀前驅(qū)物，主要含有長(zhǎng)碳鏈脂肪酸的官能基與銀離子。于本發(fā)明上述實(shí)施例中。山東常見(jiàn)Mitsubishi三菱IPM模塊現(xiàn)貨具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn)。

    本實(shí)用新型涉及功率模塊技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種提高生產(chǎn)效率的功率模塊支架及其功率模塊機(jī)構(gòu)。背景技術(shù)：汽車(chē)控制器大功率電子元器件集成方式率模塊本身具有安裝孔位，可以直接安裝在控制器的散熱體上，但是單個(gè)的功率模塊由于需要和pcb板進(jìn)行裝配和定位，且很多的控制器上需要用多個(gè)該功率模塊，一般的控制器上需要一個(gè)一個(gè)的去安裝該功率模塊且每一個(gè)都需要單獨(dú)進(jìn)行固定和定位，由此導(dǎo)致生產(chǎn)效率低下。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種提高生產(chǎn)效率的功率模塊支架及其功率模塊機(jī)構(gòu)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：一種功率模塊支架，其包括：支架本體，所述支架本體上設(shè)有多個(gè)用于固定功率模塊的安裝位，所述安裝位包括：容納槽，設(shè)于容納槽的底壁的定位柱；其中，相鄰安裝位之間的連接處還設(shè)有連接柱，通過(guò)所述連接柱將功率模塊支架連接于pcb板。其中，所述容納槽的側(cè)邊還設(shè)有用于固定功率模塊的引腳的引腳槽。其中，所述連接柱由容納槽的底部向外伸出，定位柱上還設(shè)有通孔。其中，所述支架本體上還設(shè)有若干加強(qiáng)筋。一種功率模塊機(jī)構(gòu)，其包括如上任意一項(xiàng)所述的功率模塊支架。具體的。

    本實(shí)用新型屬于電力電子的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種IGBT功率模塊。背景技術(shù)：隨著我國(guó)工業(yè)技術(shù)的迅猛發(fā)展，大型電力電子設(shè)備越來(lái)越廣泛的應(yīng)用于各行各業(yè)，功率等級(jí)和功率密度也越來(lái)越高，作為大型電力電子設(shè)備部件的IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管)，由于使用環(huán)境特殊，要求IGBT功率模塊具有結(jié)構(gòu)合理、維護(hù)方便、功率密度等級(jí)高等特點(diǎn)。因此，IGBT功率模塊常常被業(yè)界設(shè)計(jì)成一個(gè)功能完備的模塊單元。但現(xiàn)有的IGBT功率模塊設(shè)計(jì)大部分是由相互分立的IGBT元件并聯(lián)再結(jié)合相當(dāng)數(shù)量的直流母線(xiàn)電容組成，結(jié)構(gòu)松散、簡(jiǎn)單，使得現(xiàn)有IGBT功率模塊存在如下缺陷：1、由于電力電子設(shè)備整機(jī)結(jié)構(gòu)體積要求越來(lái)越緊湊，并聯(lián)的IGBT元件和直流母線(xiàn)電容數(shù)量受到相應(yīng)的限制，故不能滿(mǎn)足越來(lái)越來(lái)高功率等級(jí)和高密度的實(shí)際需求；2、解決濾波電容散熱問(wèn)題時(shí)，由于結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不合理，導(dǎo)致散熱成本過(guò)高；3、現(xiàn)有IGBT功率模塊一般主要有多個(gè)分立的IGBT元件并聯(lián)，由于均流效果差，經(jīng)常導(dǎo)致IGBT發(fā)熱、Vce尖峰電壓過(guò)高，引起IGBT失效，降低整體功率單元的壽命，增加運(yùn)維成本；4、不增加或者增加不合適的放電電阻，增加拆裝IGBT功率模塊時(shí)的風(fēng)險(xiǎn)或成本。智能功率模塊(IPM)是Intelligent Power Module的縮寫(xiě)。

    20-電流檢測(cè)區(qū)域；201-第二發(fā)射極單元；202-第三發(fā)射極單元；30-接地區(qū)域；100-公共柵極單元；200-公共集電極單元；40-檢測(cè)電阻；2-一發(fā)射極單元金屬；3-空穴收集區(qū)電極金屬；4-氧化物；5-多晶硅；6-n+源區(qū)；7-p阱區(qū)；8-空穴收集區(qū)；9-n型耐壓漂移層；11-p+區(qū)；12-公共集電極金屬；13-接觸多晶硅；50-半導(dǎo)體功率模塊；51-igbt芯片；52-驅(qū)動(dòng)集成塊；521-模塊引線(xiàn)端子；522-導(dǎo)線(xiàn)；60-dcb板。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。如圖1所示，igbt器件是由bjt(bipolarjunctiontransistor，雙極型三極管)和mos(metaloxidesemiconductor，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。在實(shí)際應(yīng)用中，igbt器件兼有mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，金氧半場(chǎng)效晶體管)的高輸入阻抗和gtr(gianttransistor，電力晶體管)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。此時(shí)間內(nèi)IPM會(huì)門(mén)極驅(qū)動(dòng)，關(guān)斷IPM;故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間結(jié)束后，IPM內(nèi)部自動(dòng)復(fù)位，門(mén)極驅(qū)動(dòng)通道開(kāi)放。山東常見(jiàn)Mitsubishi三菱IPM模塊現(xiàn)貨

保護(hù)電路可以實(shí)現(xiàn)控制電壓欠壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)。山東常見(jiàn)Mitsubishi三菱IPM模塊現(xiàn)貨

    使每個(gè)匯流爪均與IGBT功率組件中的２個(gè)IGBT元件相連接。IGBT功率組件上的電流可通過(guò)匯流爪繞過(guò)其上的大孔和小孔，匯流至交流輸出銅排的輸出端。同時(shí)絕緣固定塊設(shè)置在箱體底座上。所述的匯流爪的底邊上形成有缺口22，缺口兩側(cè)的匯流爪上形成有小孔23，缺口上方的匯流爪上形成有與IGBT功率組件連接的大孔24，銅排上形成有多個(gè)連接孔25和凹槽26，連接孔與匯流爪上的小孔相對(duì)應(yīng)連接，凹槽設(shè)置在連接孔中間并與匯流爪上的大孔相對(duì)應(yīng)。放電電阻設(shè)置在鈑金隔板的外表面上，增加整體IGBT功率模塊的安全性。所述的箱體底座的側(cè)壁上形成有把手27，便于拆卸，并且這種把手設(shè)計(jì)使得整個(gè)箱體起到一個(gè)類(lèi)似風(fēng)道的作用，具有良好的散熱、外觀(guān)和裝配性。本實(shí)用新型的組裝過(guò)程：如圖4所示，先將多個(gè)直流母線(xiàn)電容一側(cè)固定在鈑金固定板上組成直流母線(xiàn)電容組件，再將多個(gè)直流母線(xiàn)電容另一側(cè)與疊層母排固定，然后將兩組直流母線(xiàn)電容組件通過(guò)疊層母排安裝在一絕緣層兩側(cè)的位置。如圖3所示，先將液冷換熱器固定于鈑金隔板上兩個(gè)連接口之間，再將IGBT功率組件分別置于液冷換熱器的兩面，然后將一絕緣層置于液冷換熱器上方的鈑金隔板上，并且將放電電阻固定在鈑金隔板上。如圖2所示。山東常見(jiàn)Mitsubishi三菱IPM模塊現(xiàn)貨