同一代技術(shù)中通態(tài)損耗與開關(guān)損耗兩者相互矛盾,互為消長。IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。隨著IGBT芯片技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片的高工作結(jié)溫與功率密度不斷提高，IGBT模塊技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來IGBT模塊技術(shù)將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面改進。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢：無焊接、無引線鍵合及無襯板/基板封裝技術(shù)；內(nèi)部集成溫度傳感器、電流傳感器及驅(qū)動電路等功能元件，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域作為新型功率半導體器件的主流器件，IGBT已廣泛應(yīng)用于工業(yè)、4C(通信、計算機、消費電子、汽車電子)、航空航天等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。1）新能源汽車IGBT模塊在電動汽車中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，是電動汽車及充電樁等設(shè)備的技術(shù)部件。IGBT模塊占電動汽車成本將近10%，占充電樁成本約20%。IGBT主要應(yīng)用于電動汽車領(lǐng)域中以下幾個方面：A）電動控制系統(tǒng)大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅(qū)動汽車電機。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。內(nèi)蒙古貿(mào)易Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷

    晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導通，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導通。觸發(fā)電流不夠時，管子不會導通，但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導通兩個狀態(tài)，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性。是一種理想的無觸點功率開關(guān)元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導通，門極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷，通常在管子陽極電壓互降為零后，加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT，門極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開通與關(guān)斷時間晶閘管合格證基本參數(shù)IT（AV）=A。內(nèi)蒙古貿(mào)易Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷三菱的IGBT，除了電動汽車用的650V以外，都是工業(yè)等級的。

    一個所述igbt器件的單元結(jié)構(gòu)中包括一個所述柵極結(jié)構(gòu)以及形成于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)，在所述柵極結(jié)構(gòu)的每一側(cè)包括至少一個所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)。步驟七、如圖3e所示，在所述漂移區(qū)1表面依次形成電荷存儲層14和第二導電類型摻雜的阱區(qū)2。所述阱區(qū)2位于所述漂移區(qū)1表面。所述電荷存儲層14位于所述漂移區(qū)1的頂部區(qū)域且位于所述漂移區(qū)1和所述阱區(qū)2交界面的底部，所述電荷存儲層14具有一導電類重摻雜；所述電荷存儲層14用于阻擋第二導電類載流子從所述漂移區(qū)1中進入到所述阱區(qū)2中。各所述溝槽101穿過所述阱區(qū)2和所述電荷存儲層14且各所述溝槽101的進入到所述漂移區(qū)1中；被所述多晶硅柵6側(cè)面覆蓋的所述阱區(qū)2的表面用于形成溝道。所述電荷存儲層14的摻雜濃度至少大于所述漂移區(qū)1的摻雜濃度的一個數(shù)量級。步驟八、如圖3f所示，采用光刻定義加一導電類型重摻雜離子注入工藝在所述多晶硅柵6兩側(cè)的所述阱區(qū)2的表面形成發(fā)射區(qū)7。步驟九、如圖3g所示，形成層間膜10。如圖1所示，接觸孔、正面金屬層12，所述接觸孔穿過所述層間膜10；對所述正面金屬層12進行圖形化形成金屬柵極和金屬源極。所述多晶硅柵6通過頂部對應(yīng)的接觸孔連接到所述金屬柵極。

    igbt簡介IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。IGBT模塊IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。IGBT模塊特點IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。IGBT結(jié)構(gòu)上圖所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。一是開關(guān)速度，主要指標是開關(guān)過程中各部分時間；另一個是開關(guān)過程中的損耗。

    所述第二屏蔽多晶硅和對應(yīng)的所述溝槽的底部表面和側(cè)面之間通過第二屏蔽介質(zhì)層隔離。被所述多晶硅柵側(cè)面覆蓋的所述阱區(qū)的表面用于形成溝道。由一導電類型重摻雜的發(fā)射區(qū)形成在所述多晶硅柵兩側(cè)的所述阱區(qū)的表面。所述多晶硅柵通過頂部對應(yīng)的接觸孔連接到由正面金屬層組成的金屬柵極，所述接觸孔穿過層間膜。所述發(fā)射區(qū)通過頂部的對應(yīng)的接觸孔連接到由正面金屬層組成的金屬源極；令所述發(fā)射區(qū)頂部對應(yīng)的接觸孔為源極接觸孔，所述源極接觸孔還和穿過所述發(fā)射區(qū)和所述阱區(qū)接觸。所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅也分布通過對應(yīng)的接觸孔連接到所述金屬源極。在所述集電區(qū)的底部表面形成有由背面金屬層組成的金屬集電極。通過形成于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的具有溝槽式結(jié)構(gòu)的所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)降低igbt器件的溝槽的步進，從而降低igbt器件的輸入電容(cies)、輸出電容(coes)和逆導電容(cres)，提高器件的開關(guān)速度；通過將所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅和所述金屬源極短接提高器件的短路電流能力；通過所述電荷存儲層減少器件的飽和壓降。進一步的改進是，所述半導體襯底為硅襯底；在所述硅襯底表面形成有硅外延層，所述漂移區(qū)直接由一導電類型輕摻雜的所述硅外延層組成。IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。內(nèi)蒙古貿(mào)易Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷

輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。內(nèi)蒙古貿(mào)易Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷

    本發(fā)明涉及一種半導體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種igbt器件；本發(fā)明還涉及一種igbt器件的制造方法。背景技術(shù)：半導體功率器件是電力電子系統(tǒng)進行能量控制和轉(zhuǎn)換的基本電子元器件，電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展為半導體功率器件開拓了廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。以絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgatebipolartransistor，igbt)和金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(mosfet)為標志的半導體功率器件是當今電力電子領(lǐng)域器件的主流，其中，igbt器件是一種電壓控制的mosfet和雙極型三極管(bjt)的復合型器件。從結(jié)構(gòu)上，igbt的結(jié)構(gòu)與垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(vdmos)相似，只是將vdmos的n+襯底換為p+襯底，引入的電導調(diào)制效應(yīng)，克服了vdmos本身固有的導通電阻與擊穿電壓的矛盾，從而使igbt同時具有雙極型功率晶體管和mosfet的共同優(yōu)點：輸入阻抗高、輸入驅(qū)動功率小、導通壓降低、電流容量大、開關(guān)速度快等。由于igbt獨特的、不可取代的性能優(yōu)勢使其自推出實用型產(chǎn)品便在諸多領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，例如：太陽能發(fā)電、風力發(fā)電、動車、高鐵、新能源汽車以及眾多能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。為了進一步降低igbt的導通壓降，igbt的柵極結(jié)構(gòu)從平面柵結(jié)構(gòu)優(yōu)化到溝槽柵結(jié)構(gòu)，溝槽柵igbt將溝道從橫向變?yōu)榭v向。內(nèi)蒙古貿(mào)易Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷