0)你可能關(guān)注的文檔：·江蘇省鎮(zhèn)江市鎮(zhèn)江中學(xué)2017屆***學(xué)期期末調(diào)研-數(shù)學(xué)答案.doc·江蘇省鎮(zhèn)江市鎮(zhèn)江中學(xué)2017屆***學(xué)期期末調(diào)研-物理答案.doc·江蘇省鎮(zhèn)江市鎮(zhèn)江中學(xué)2017屆***學(xué)期期末調(diào)研-語文答案.doc·基于DSP的低壓無功補償裝置的研制.pdf·漢語言文學(xué)基礎(chǔ).pdfQualityisourmessage富士IGBT模塊應(yīng)用手冊富士電機電子設(shè)備技術(shù)株式會社2004年5月RCH984目錄目錄第1章構(gòu)造與特征1.元件的構(gòu)造與特征1-22.富士電機電子設(shè)備技術(shù)的IGBT1-33.通過控制門極阻斷過電流1-54.限制過電流功能1-65.模塊的構(gòu)造、搬運上的注意事項3-59.其他實際使用中的注意事項3-5第4章發(fā)生故障時的應(yīng)對方法1.發(fā)生故障時的應(yīng)對方法4-12.故障的判定方法4-73.典型故障及其應(yīng)對方法4-8第5章保護電路設(shè)計方法1.短路（過電流）保護5-22.過電壓保護5-6第6章散熱設(shè)計方法1.發(fā)生損耗的計算方法6-22.散熱器。廣泛應(yīng)用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。內(nèi)蒙古模塊排行榜

    TA＝125°C圖7其他公司的IGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的18A峰值圖8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的dV/dt感生電流的減小清楚說明單正向柵驅(qū)動設(shè)計的優(yōu)勝之處。但在這個測試中，Co-Pack二極管電流的影響并沒有完全計算在內(nèi)。為了只顯示出IGBT對整體電流的影響，我們只利用相同的分立式反并聯(lián)二極管再重復(fù)測試，如圖9中的Ice(cntrl)。圖9利用相同的分立式Co-Pack二極管產(chǎn)生的dV/dt感生電流圖10顯示出在沒有IGBT情況下，負偏置柵驅(qū)動器IGBT的I電流。圖11為IRGP30B120KD-E單正向柵驅(qū)動器的I電流。兩種情況下的電流都很低，分別為1A和。圖10其他公司的IGBT的Co-Pack二極管內(nèi)的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流1A峰值圖11IRG30B120KD-E的Co-Pack二極管內(nèi)的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流如果從整體IGBT/二極管電流中減去圖10和圖11的二極管電流，結(jié)果是I（負偏置柵驅(qū)動IGBT）=18-1=17AI（IRGP30B120KD-E）==可見總的減小為17:=21:1在相同的測試條件下，當(dāng)柵電壓是在0V或單正向柵驅(qū)動情況下，IRGP30B120KD的電路性能顯示dV/dt感生開通電流減小比例為21:1。如果IGBT采用這種方式驅(qū)動，電流很小，對功耗的影響幾乎可以忽略。河北貿(mào)易模塊品牌IGBT模塊的應(yīng)用非常***，它可以用于汽車、船舶、飛機、電梯、電力系統(tǒng)、電力調(diào)節(jié)器。

    該第二氧化層22的厚度為3000-5000a(如圖5c所示)，根據(jù)應(yīng)用端對器件的開關(guān)特性需求，可以對第二氧化層22的厚度進行調(diào)節(jié)；s102：沉積光刻膠3(如圖5d所示)；s104：去除溝道區(qū)的光刻膠3，保留非溝道區(qū)的光刻膠3，從而保護溝槽內(nèi)非溝道區(qū)的第二氧化層22不被蝕刻；s105：對第二氧化層22進行蝕刻(如圖5f所示)，然后去除溝槽內(nèi)非溝道區(qū)保留的光刻膠3(如圖5g所示)；s106：在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(如圖5h所示)；s107:沉積多晶硅層(如圖5i所示)，然后去除表面多余多晶硅層(如圖5j所示)。需要說明的是，本實施例提供的制作方法形成兩種厚度氧化層2沒有新增光刻流程，從而節(jié)省了光罩制作成本。綜上，本實施例提供的溝槽柵igbt及其制作方法可以降低現(xiàn)有技術(shù)中結(jié)構(gòu)的結(jié)電容大小、提高了器件的開關(guān)特性，從而使得本實用新型可以應(yīng)用于高頻場景。盡管已經(jīng)示出和描述了本實用新型的實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實用新型的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。

    本實用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種溝槽柵igbt。背景技術(shù)：igbt隨著結(jié)構(gòu)設(shè)計和工藝技術(shù)的升級，主流產(chǎn)品已經(jīng)從平面柵極(如圖1所示)升級成溝槽柵極(如圖2所示)，現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵結(jié)構(gòu)的制作方法如圖3所示，先在半導(dǎo)體襯底上光刻出溝槽，接著在該溝槽內(nèi)沉積**氧化層23(圖3a所示)，然后去除該**氧化層23(圖3b所示)，然后繼續(xù)在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(圖3c所示)，接著沉積多晶硅層1(圖3d所示)，接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示)，溝槽柵結(jié)構(gòu)雖然相比平面柵結(jié)構(gòu)電流密度大幅度提升，但由于溝槽柵結(jié)構(gòu)帶來的結(jié)電容的大幅度上升，造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應(yīng)用于高頻場景。技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型為解決現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵igbt結(jié)電容較大的問題，提供了一種新的溝槽柵igbt結(jié)構(gòu)。本實用新型采用的技術(shù)方案如下：一種溝槽柵igbt，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)設(shè)置兩個溝槽柵結(jié)構(gòu)；兩個溝槽柵結(jié)構(gòu)，兩個所述溝槽柵結(jié)構(gòu)對稱，溝槽內(nèi)設(shè)置有多晶硅層和包圍所述多晶硅層的氧化層，所述氧化層包括***氧化層和第二氧化層，所述***氧化層設(shè)置在溝道區(qū)，所述第二氧化層設(shè)置在非溝道區(qū)，所述第二氧化層的厚度大于所述***氧化層的厚度。進一步地。新能源汽車上用的IGBT模塊，客戶要求CTI值大于250V左右.

    光耦隔離電路還連接死區(qū)電路、互鎖電路和保護電路，驅(qū)動電路還分別連接光耦隔離電路和igbt模塊，vce-sat檢測電路檢測到igbt模塊發(fā)生短路故障或過流故障時，通過光耦隔離電路傳遞故障信號給原邊電路，原邊電路同時***igbt模塊上下管驅(qū)動信號，并通過光耦隔離電路和驅(qū)動電路關(guān)斷igbt模塊。實施例2：在實施例1的基礎(chǔ)上，本實用新型的一種實施例電路如圖2所示，其中，15v電源輸入濾波電路由l1和c1構(gòu)成的濾波器，其作用主要是：對輸入15v電源進行濾波，并且降低開關(guān)噪聲和電磁干擾。dc/dc電路由q1,q2,t1構(gòu)成推挽電路，并且q1和q2由晶體管構(gòu)成，t1為高頻隔離變壓器，其副邊有兩個**的繞組，輸出兩路隔離電源：其中上管隔離電源包括:d7與c4構(gòu)成二極管整流電路，輸出-15v_sh電源；d8與c5構(gòu)成二極管整流電路，輸出+15v_sh電源；其中下管隔離電源包括:d9與c6構(gòu)成二極管整流電路，輸出-15v_sl電源；d11與c7構(gòu)成二極管整流電路，輸出+15v_sl電源；上管死區(qū)電路和互鎖電路由v1,v2,r2,c2,d2組成，下管死區(qū)電路和互鎖電路由v3,v4,r3,c3,d3組成，保護電路包括d5,v5,d6,v6構(gòu)成。pwm_h信號為上管輸入信號，pwm_l信號為下管輸入信號；當(dāng)pwm_l信號為高電平時，c2通過d2快速放電。IGBT模塊的優(yōu)點在于它可以提供高效的電力控制。山西模塊代理品牌

當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-層的電阻。內(nèi)蒙古模塊排行榜

    四種IGBT模塊常規(guī)測量儀器作者：微葉科技時間：2015-10-1516:38看了很多的IGBT測量方法，其中不乏極具精髓的，但不怎么的***。現(xiàn)在我總結(jié)介紹四招，有這四招，足以應(yīng)付日常工作中的要求了。但這是在簡單工具的前提下，只能說是常規(guī)測量吧。下面先擺出四大裝備（排名不分先后）：數(shù)字萬用表：雖然，用它來測量有太多的局限性，但它卻是我們**常用和普遍的工具**。用它測量二極管的管壓降，不僅能在一定程度上判斷其好壞，還能判定它們的離散性。數(shù)字電容表：這個可能是很多人用的比較少吧，其實我們都知道，IGBT的容量大小是有規(guī)律的，容量大它的各種等效電容容量也將同比加大，如**重要的Cies就是我們的測量對象。但是，官方給出的多是VGE=0VVCE=10Vf=1MHZ時的參考數(shù)值，我們根本沒有條件來做直接對比。我們使用的數(shù)字電容表多在800HZ的測試頻率。但這不并不影響我們的測量，我們只要總結(jié)規(guī)律，以我們現(xiàn)有的這種簡單測試儀表也還是具有非大的靠性的，而且在一定程度上能判斷各個IGBT管的同一性?，F(xiàn)在很多***商以小充大來賺取暴利，所以這是一個很好的方法。萬一你用上了“來歷不明”的模塊而爆機時有可能就是這種情況，不是你技術(shù)不好或是你維修的不夠仔細。內(nèi)蒙古模塊排行榜

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司是我國IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器專業(yè)化較早的有限責(zé)任公司（自然）之一，公司始建于2022-03-29，在全國各個地區(qū)建立了良好的商貿(mào)渠道和技術(shù)協(xié)作關(guān)系。公司主要提供一般項目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；電子元器件批發(fā)；電子元器件零售；電子元器件與機電組件設(shè)備銷售；電力電子元器件銷售；電子設(shè)備銷售；電子測量儀器銷售；機械電氣設(shè)備銷售；風(fēng)動和電動工具銷售；電氣設(shè)備銷售；光電子器件銷售；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；半導(dǎo)體照明器件銷售；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售；半導(dǎo)體分立器件銷售；集成電路銷售；五金產(chǎn)品批發(fā)；五金產(chǎn)品零售；模具銷售；電器輔件銷售；電力設(shè)施器材銷售；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售；儀器儀表銷售；辦公設(shè)備銷售；辦公設(shè)備耗材銷售；辦公用品銷售；日用百貨銷售；機械設(shè)備銷售；超導(dǎo)材料銷售；密封用填料銷售；密封件銷售；高性能密封材料銷售；橡膠制品銷售；塑料制品銷售；文具用品批發(fā)；文具用品零售；金屬材料銷售；金屬制品銷售；金屬工具銷售；環(huán)境保護設(shè)備銷售；生態(tài)環(huán)境材料銷售；集成電路設(shè)計；集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）等領(lǐng)域內(nèi)的業(yè)務(wù)，產(chǎn)品滿意，服務(wù)可高，能夠滿足多方位人群或公司的需要。將憑借高精尖的系列產(chǎn)品與解決方案，加速推進全國電子元器件產(chǎn)品競爭力的發(fā)展。