或產(chǎn)...發(fā)表于2018-03-2216:39?492次閱讀鉗形萬(wàn)用表怎么測(cè)電壓_鉗形萬(wàn)用表的使用方法本文開始介紹了萬(wàn)用表原理和萬(wàn)用表的組成，其次詳細(xì)說(shuō)明了鉗形萬(wàn)用表測(cè)電壓的方法，**后介紹了鉗形萬(wàn)用表使...發(fā)表于2018-03-2216:00?248次閱讀為什么回路電流走零線不走地線,零線地線原理是什么...我們?cè)賮?lái)看圖1。圖1中的中性線發(fā)生了斷裂，于是在斷裂點(diǎn)的前方，中性線的電壓依舊為零，但斷裂點(diǎn)的后方若...發(fā)表于2018-03-2215:02?260次閱讀基于熱路模型的充電機(jī)智能功率調(diào)節(jié)方法研究集中參數(shù)熱路模型通常將功率器件和散熱器視為整體，一般情況下功率器件熱阻遠(yuǎn)小于散熱器熱阻，則功率器...發(fā)表于2018-03-1509:14?424次閱讀深度分析48V車載電氣系統(tǒng)以及48V輕混系統(tǒng)12V電壓系統(tǒng)在引入啟停機(jī)構(gòu)之后，基本已經(jīng)達(dá)到了功率輸出極限，如果在12V電壓下引入輕混系統(tǒng)，功率需...發(fā)表于2018-03-1316:02?439次閱讀電感電壓計(jì)算怎么來(lái)的_電感電壓計(jì)算公式本文主要介紹了電感電壓計(jì)算怎么來(lái)的_電感電壓計(jì)算公式。在電路中，當(dāng)電流流過(guò)導(dǎo)體時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng)，電磁...發(fā)表于2018-03-1311:48?433次閱讀電平信號(hào)什么意思_電平和電壓的區(qū)別本文開始闡述了電平信號(hào)什么意思以及電平信號(hào)的產(chǎn)生。電力變換器、電力控制器、電力調(diào)節(jié)器、電力變換器、電力控制器、電力調(diào)節(jié)器、電力變換器、電力控制器等。通用模塊歡迎選購(gòu)

    本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種溝槽柵igbt。背景技術(shù)：igbt隨著結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)的升級(jí)，主流產(chǎn)品已經(jīng)從平面柵極(如圖1所示)升級(jí)成溝槽柵極(如圖2所示)，現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵結(jié)構(gòu)的制作方法如圖3所示，先在半導(dǎo)體襯底上光刻出溝槽，接著在該溝槽內(nèi)沉積**氧化層23(圖3a所示)，然后去除該**氧化層23(圖3b所示)，然后繼續(xù)在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(圖3c所示)，接著沉積多晶硅層1(圖3d所示)，接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示)，溝槽柵結(jié)構(gòu)雖然相比平面柵結(jié)構(gòu)電流密度大幅度提升，但由于溝槽柵結(jié)構(gòu)帶來(lái)的結(jié)電容的大幅度上升，造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應(yīng)用于高頻場(chǎng)景。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型為解決現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵igbt結(jié)電容較大的問(wèn)題，提供了一種新的溝槽柵igbt結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下：一種溝槽柵igbt，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)設(shè)置兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)；兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)，兩個(gè)所述溝槽柵結(jié)構(gòu)對(duì)稱，溝槽內(nèi)設(shè)置有多晶硅層和包圍所述多晶硅層的氧化層，所述氧化層包括***氧化層和第二氧化層，所述***氧化層設(shè)置在溝道區(qū)，所述第二氧化層設(shè)置在非溝道區(qū)，所述第二氧化層的厚度大于所述***氧化層的厚度。進(jìn)一步地。天津貿(mào)易模塊進(jìn)貨價(jià)當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊。

    原標(biāo)題：IGBT功率模塊如何選擇？在說(shuō)IGBT模塊該如何選擇之前，小編先帶著大家了解下什么是IGBT？IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一個(gè)有MOSGate的BJT晶體管，可以簡(jiǎn)單理解為IGBT是MOSFET和BJT的組合體。MOSFET主要是單一載流子(多子)導(dǎo)電，而BJT是兩種載流子導(dǎo)電，所以BJT的驅(qū)動(dòng)電流會(huì)比MOSFET大，但是MOSFET的控制級(jí)柵極是靠場(chǎng)效應(yīng)反型來(lái)控制的，沒(méi)有額外的控制端功率損耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)組合起來(lái)的，兼有MOSFET的柵極電壓控制晶體管(高輸入阻抗)，又利用了BJT的雙載流子達(dá)到大電流(低導(dǎo)通壓降)的目的(Voltage-ControlledBipolarDevice)。從而達(dá)到驅(qū)動(dòng)功率小、飽和壓降低的完美要求，廣泛應(yīng)用于600V以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。1.在選擇IGBT前需要確定主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這個(gè)和IGBT選型密切相關(guān)。2.選擇IGBT需要考慮的參數(shù)如下:額定工作電流、過(guò)載系數(shù)、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數(shù)，額定工作電壓、電壓波動(dòng)、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數(shù)，引線方式、結(jié)構(gòu)也會(huì)給IGBT選型提出要求。，目前市面上的叫主流的IGBT產(chǎn)品都是進(jìn)口的。

    更好的電氣性能新的機(jī)械設(shè)計(jì)也改善了電氣性能。事實(shí)上，***降低的熱阻允許更高的輸出電流。得益于角形柵極可控硅的使用，新的芯片具有更大的有效表面積，可以流過(guò)更多的電流。由于這些變化，在與當(dāng)前模塊具有同樣有效芯片面積的情況***過(guò)芯片的輸出電流大約多了10％以上。衡量可控硅模塊可靠性的另一個(gè)重要參數(shù)是浪涌電流。該值顯示了二極管/可控硅的穩(wěn)健性，指的是故障條件下二極管/可控硅能夠經(jīng)受的住而無(wú)損傷的單一正弦半波通態(tài)電流脈沖，該脈沖持續(xù)10或（50或60Hz），這種情況在二極管/可控硅的使用壽命期間應(yīng)該發(fā)生的很少［4］。認(rèn)證所有賽米控的模塊都要經(jīng)歷質(zhì)量審批測(cè)試程序。測(cè)試的目的是在各種不同的測(cè)試條件下確定設(shè)計(jì)的極限，以評(píng)價(jià)生產(chǎn)過(guò)程的一致性，并對(duì)提出的工藝和設(shè)計(jì)的改變對(duì)可靠性的影響進(jìn)行評(píng)估。為此，定義了標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試和條件。測(cè)試本身主要集中于芯片和封裝［5］。所有產(chǎn)品都經(jīng)**批準(zhǔn)認(rèn)可，如UL（UnderwritersLaboratories保險(xiǎn)商實(shí)驗(yàn)室）。應(yīng)用領(lǐng)域SEMIPACK產(chǎn)品可被用作為整流直流電源、交流電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)的軟起動(dòng)器，或者用在電池充電器及焊接設(shè)備中。結(jié)論多虧了第六代SEMIPACK中新的層概念，模塊更加可靠。不用說(shuō)，更低的熱阻，改善了的電氣性能。研發(fā)出了高CTI值300V~600V的PPS料，已應(yīng)用于IGBT模塊上。

    是一種非常直觀...發(fā)表于2018-01-1509:38?700次閱讀為物聯(lián)網(wǎng)未來(lái)發(fā)聲——物聯(lián)網(wǎng)微功率頻譜應(yīng)用研討會(huì)***上午，來(lái)自全國(guó)各地及海外的一百多家物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)企業(yè)、用戶單位和科研機(jī)構(gòu)**齊聚北京，共同參與了“為...發(fā)表于2018-01-1217:20?1299次閱讀功率和功耗一樣嗎_功耗和功率的區(qū)別功率是指物體在單位時(shí)間內(nèi)所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定，時(shí)間越短，功率值...發(fā)表于2018-01-1214:43?1024次閱讀浪涌電壓防護(hù)_電解電容浪涌電壓措施在電子設(shè)計(jì)中，浪涌主要指的是電源（只是主要指電源）剛開通的那一瞬息產(chǎn)生的強(qiáng)力脈沖，由于電路本身的非線...發(fā)表于2018-01-1111:11?301次閱讀什么是浪涌電壓_浪涌電壓產(chǎn)生原因浪涌也叫突波，就是超出正常電壓的瞬間過(guò)電壓，一般指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時(shí)間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流...發(fā)表于2018-01-1111:09?686次閱讀解析充電IC中的功率管理策略：動(dòng)態(tài)路徑管理***MPS小編要和大家聊一聊充電IC中的功率管理策略：動(dòng)態(tài)路徑管理。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。天津模塊批發(fā)價(jià)

作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。通用模塊歡迎選購(gòu)

    好的磁通密度B在100...發(fā)表于2017-11-0616:26?3306次閱讀電動(dòng)勢(shì)和電壓的區(qū)別電動(dòng)勢(shì)是對(duì)電源而說(shuō)的，它就是電源將單位正電荷從負(fù)極經(jīng)電源內(nèi)部移到正極時(shí)，非靜電力所做的功。電壓是對(duì)一...發(fā)表于2017-11-0615:54?342次閱讀關(guān)于電磁繼電器二次吸合電壓技術(shù)研究當(dāng)電磁繼電器線圈上電，隨勵(lì)磁線圈電流的增大，首先出現(xiàn)一次動(dòng)靜觸頭的不實(shí)閉合（如圖1a），此時(shí)彈簧拉力...發(fā)表于2017-11-0110:42?347次閱讀tl431的電源改電壓的方法TL431是一個(gè)小個(gè)頭（如同普通小三極管封裝）而又便宜的可調(diào)電壓基準(zhǔn)芯片。很多電源都用的TL431來(lái)...發(fā)表于2017-10-2709:38?960次閱讀殘余電壓保護(hù)復(fù)位電路殘余電壓實(shí)際上Δe不完全等于零，那時(shí)的Δe稱為殘余電壓.GPS測(cè)高包括機(jī)載GPS測(cè)高和浮標(biāo)GPS測(cè)高...發(fā)表于2017-10-2011:35?203次閱讀鉗形表測(cè)電壓使用方法_鉗形表上的符號(hào)圖解1、將紅表筆插入“VΩHz”插孔，黑表筆插入“COM”插孔；2、將功能量程開關(guān)置于交流電壓檔，并...發(fā)表于2017-08-0710:10?12490次閱讀電壓低怎么辦？農(nóng)村電壓低怎么辦？空調(diào)電壓低怎么辦...電壓低的原因很多，1、低壓線路比較長(zhǎng)，線路電阻較大；2、低壓負(fù)荷比較大。通用模塊歡迎選購(gòu)

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司是一家貿(mào)易型類企業(yè)，積極探索行業(yè)發(fā)展，努力實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新。江蘇芯鉆時(shí)代是一家有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)，一直“以人為本，服務(wù)于社會(huì)”的經(jīng)營(yíng)理念;“誠(chéng)守信譽(yù)，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司始終堅(jiān)持客戶需求優(yōu)先的原則，致力于提供高質(zhì)量的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器。江蘇芯鉆時(shí)代以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念，打造高指標(biāo)的服務(wù)，引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展。