更好的電氣性能新的機(jī)械設(shè)計也改善了電氣性能。事實上,***降低的熱阻允許更高的輸出電流。得益于角形柵極可控硅的使用,新的芯片具有更大的有效表面積,可以流過更多的電流。由于這些變化,在與當(dāng)前模塊具有同樣有效芯片面積的情況***過芯片的輸出電流大約多了10%以上。衡量可控硅模塊可靠性的另一個重要參數(shù)是浪涌電流。該值顯示了二極管/可控硅的穩(wěn)健性,指的是故障條件下二極管/可控硅能夠經(jīng)受的住而無損傷的單一正弦半波通態(tài)電流脈沖,該脈沖持續(xù)10或(50或60Hz),這種情況在二極管/可控硅的使用壽命期間應(yīng)該發(fā)生的很少[4]。認(rèn)證所有賽米控的模塊都要經(jīng)歷質(zhì)量審批測試程序。測試的目的是在各種不同的測試條件下確定設(shè)計的極限,以評價生產(chǎn)過程的一致性,并對提出的工藝和設(shè)計的改變對可靠性的影響進(jìn)行評估。為此,定義了標(biāo)準(zhǔn)測試和條件。測試本身主要集中于芯片和封裝[5]。所有產(chǎn)品都經(jīng)**批準(zhǔn)認(rèn)可,如UL(UnderwritersLaboratories保險商實驗室)。應(yīng)用領(lǐng)域SEMIPACK產(chǎn)品可被用作為整流直流電源、交流電機(jī)控制和驅(qū)動的軟起動器,或者用在電池充電器及焊接設(shè)備中。結(jié)論多虧了第六代SEMIPACK中新的層概念,模塊更加可靠。不用說,更低的熱阻,改善了的電氣性能。大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應(yīng)用的效率。福建電源模塊
Thresholdvoltage):通常將傳輸特性曲線中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變...發(fā)表于2017-11-2717:18?935次閱讀怎么使用示波器抓取瞬態(tài)波形示波器是一種用途十分***的電子測量儀器。它能把肉眼看不見的電信號變換成看得見的圖像,便于人們研究各種...發(fā)表于2017-11-2710:54?1070次閱讀基于簡單功率跟蹤技術(shù)的射頻功率放大器效率優(yōu)化高數(shù)據(jù)速率的需求推動著移動通信系統(tǒng)從2G向3G遷移。這些系統(tǒng)中更高的數(shù)據(jù)速率為移動電話射頻設(shè)...發(fā)表于2017-11-2513:58?181次閱讀降低SDR功耗的整體設(shè)計方案傳統(tǒng)上,降低軟件無線電(SDR)硬件的功耗一直是我們工作的重點,但是,顯而易見軟件也有重要影響,因此...發(fā)表于2017-11-2118:59?164次閱讀I/O端口的電壓等級詳解1.電壓等級概述數(shù)字設(shè)備需要在規(guī)定的電壓等級下才能進(jìn)行的正常信號采集和生成操作。數(shù)字I/O設(shè)備...發(fā)表于2017-11-1616:33?257次閱讀電動勢和電壓的方向電動勢是表示電源特征的一個物理量,電源中非靜電力對電荷作功的能力稱為電動勢,在數(shù)值上等于非靜電力把單...發(fā)表于2017-11-0616:28?295次閱讀變壓器輸出功率怎么算變壓器設(shè)計和計算是比較復(fù)雜的,小型和大型的計算不一樣,硅鋼片質(zhì)量好壞也不一樣。福建電源模塊高性價比 ?全程采用X射線100%監(jiān)測生產(chǎn),保 障產(chǎn)品的高性能和使用壽命 ? 使用銅基板,便于快捷安裝。
好的磁通密度B在100...發(fā)表于2017-11-0616:26?3306次閱讀電動勢和電壓的區(qū)別電動勢是對電源而說的,它就是電源將單位正電荷從負(fù)極經(jīng)電源內(nèi)部移到正極時,非靜電力所做的功。電壓是對一...發(fā)表于2017-11-0615:54?342次閱讀關(guān)于電磁繼電器二次吸合電壓技術(shù)研究當(dāng)電磁繼電器線圈上電,隨勵磁線圈電流的增大,首先出現(xiàn)一次動靜觸頭的不實閉合(如圖1a),此時彈簧拉力...發(fā)表于2017-11-0110:42?347次閱讀tl431的電源改電壓的方法TL431是一個小個頭(如同普通小三極管封裝)而又便宜的可調(diào)電壓基準(zhǔn)芯片。很多電源都用的TL431來...發(fā)表于2017-10-2709:38?960次閱讀殘余電壓保護(hù)復(fù)位電路殘余電壓實際上Δe不完全等于零,那時的Δe稱為殘余電壓.GPS測高包括機(jī)載GPS測高和浮標(biāo)GPS測高...發(fā)表于2017-10-2011:35?203次閱讀鉗形表測電壓使用方法_鉗形表上的符號圖解1、將紅表筆插入“VΩHz”插孔,黑表筆插入“COM”插孔;2、將功能量程開關(guān)置于交流電壓檔,并...發(fā)表于2017-08-0710:10?12490次閱讀電壓低怎么辦?農(nóng)村電壓低怎么辦?空調(diào)電壓低怎么辦...電壓低的原因很多,1、低壓線路比較長,線路電阻較大;2、低壓負(fù)荷比較大。
線路壓降比平...發(fā)表于2017-08-0111:49?8060次閱讀機(jī)器人要如何實現(xiàn)辨別不同物體?以看到KIR9008C對黑色材質(zhì)的識別距離為20mm,而對白色材質(zhì)的識別距離為70mm,這是因為白色...發(fā)表于2017-07-0409:38?383次閱讀怎樣使用光耦做一個壓控的電位器光電FET可以用作一只可變電阻,或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有...發(fā)表于2017-06-3009:20?692次閱讀電位器在不同條件下該如何選用?電位器變得更小、更簡易、更精確,它的發(fā)展趨向小型化,高功效,***,低損耗更新。隨著現(xiàn)代電子設(shè)備的應(yīng)...發(fā)表于2017-06-3008:56?285次閱讀青銅劍科技IGBT驅(qū)動方案亮相英飛凌汽車電子季度...青銅劍科技與英飛凌深度合作,聯(lián)合開發(fā)了多款功能強(qiáng)大、高可靠性的汽車級IGBT驅(qū)動,分別是基于英飛凌H...發(fā)表于2017-06-1611:58?482次閱讀電感繞線該怎樣設(shè)計,超前電流、電壓有什么區(qū)別?為了達(dá)到上述目的,在此電路中使用了2個反射光學(xué)傳感器。一個用作計數(shù),另一個用來決定計數(shù)方向-往上...發(fā)表于2017-06-1509:21?457次閱讀電阻抗有何意義?氣敏電阻的應(yīng)用及其工作原理以SnO2氣敏元件為例,它是由**而成,這種晶體是作為N型半導(dǎo)體而工作的。P區(qū)的引出的電極稱為正極或陽極,N區(qū)的引出的電極稱為負(fù)極或陰極。
***,市場發(fā)展的趨勢要求系統(tǒng)的高可靠性,正是這些趨勢是促使焊接雙極模塊發(fā)展的背后動力?,F(xiàn)在這些模塊有了一個全新的設(shè)計結(jié)構(gòu),焊層更少,采用了角型柵極可控硅以及升級了的彈簧壓接技術(shù),從而提高可靠性并降低了熱電阻。結(jié)果是輸出電流增大了10%以上。技術(shù)鑒于工業(yè)應(yīng)用中對功率模塊日益增加的功率密度,可靠性和成本效益的要求,功率半導(dǎo)體制造商正不斷努力開發(fā)新模塊,這些新模塊在擁有高度可靠性的同時成本也低。新模塊中,DBC襯底和柵極輔助陰極端子之間的電氣連接由彈簧壓力觸點提供。機(jī)械設(shè)計方面更深入的改變是減少了焊層。由于熱阻減小了,使得輸出電流大,并增強(qiáng)了可靠性。雖然新一代模塊擁有眾多的改進(jìn),新SEMIPACK模塊的外封裝尺寸還和當(dāng)前模塊的尺寸一樣。賽米控公司,作為SEMIPACK1的發(fā)明者,堅持采用同樣的模塊尺寸,這意味著,散熱器的大小以及輔助端子的高度和位置都保持不變。對于客戶來說,這意味著無需改變設(shè)計,例如到直流環(huán)節(jié)的連接或散熱器的鉆孔。在沒有影響機(jī)械設(shè)計或?qū)﹄姎庑阅苡腥魏瓮讌f(xié)的前提下,新版模塊的層數(shù)更少:新設(shè)計的DBC襯底上不再有鉬層和銅層;芯片是直接焊到DBC上的。在功率循環(huán)(10000次負(fù)載循環(huán),△Tj=100k)中。所有器件均具備很強(qiáng)的抗浪涌電流能力。開關(guān)性能經(jīng)過優(yōu)化,可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動器。山西模塊誠信合作
IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料(TIM),能讓電力電子應(yīng)用實現(xiàn)一致性的散熱性能。福建電源模塊
降低本征JFET的影響,和使用元胞設(shè)計幾何圖形,從而達(dá)到以上的目標(biāo)。對兩種1200VNPTIGBT進(jìn)行比較:一種是其他公司的需負(fù)偏置關(guān)斷的器件,一種是IR公司的NPT單正向柵驅(qū)動IRGP30B120KD-E。測試結(jié)果表明其他公司的器件在源電阻為56?下驅(qū)動時,dV/dt感生電流很大。比較寄生電容的數(shù)據(jù),IR器件的三種電容也有減?。狠斎腚娙?,CIES減小25%輸出電容,COES減小35%反向傳輸電容,CRES減小68%圖4寄生電容比較圖5顯示出IR器件的減小電容與V的關(guān)系,得出的平滑曲線是由于減小了JFET的影響。當(dāng)V=0V時,負(fù)偏置柵驅(qū)動器件的C為1100pF,IRGP30B120KD-E只有350pF,當(dāng)VCE=30V時,負(fù)偏置柵驅(qū)動器件的C為170pF,IRGP30B120KD-E的CRES為78pF。很明顯,IRGP30B120KD-E具有非常低的C,因此在相同的dV/dt條件下dV/dt感生電流將非常小。圖5IRGP30B120KD-E寄生電容與VCE的關(guān)系圖6的電路用來比較測試兩種器件的電路性能。兩者的dV/dt感生電流波形也在相同的dV/dt值下得出。圖6dV/dt感生開通電流的測試電路測試條件:電壓率,dV/dt=直流電壓,Vbus=600V外部柵到發(fā)射極電阻Rg=56?環(huán)境溫度。福建電源模塊
江蘇芯鉆時代電子科技有限公司辦公設(shè)施齊全,辦公環(huán)境優(yōu)越,為員工打造良好的辦公環(huán)境。專業(yè)的團(tuán)隊大多數(shù)員工都有多年工作經(jīng)驗,熟悉行業(yè)專業(yè)知識技能,致力于發(fā)展英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼的品牌。我公司擁有強(qiáng)大的技術(shù)實力,多年來一直專注于一般項目:技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣;電子元器件批發(fā);電子元器件零售;電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售;電力電子元器件銷售;電子設(shè)備銷售;電子測量儀器銷售;機(jī)械電氣設(shè)備銷售;風(fēng)動和電動工具銷售;電氣設(shè)備銷售;光電子器件銷售;集成電路芯片及產(chǎn)品銷售;半導(dǎo)體照明器件銷售;半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售;半導(dǎo)體分立器件銷售;集成電路銷售;五金產(chǎn)品批發(fā);五金產(chǎn)品零售;模具銷售;電器輔件銷售;電力設(shè)施器材銷售;電工儀器儀表銷售;電工器材銷售;儀器儀表銷售;辦公設(shè)備銷售;辦公設(shè)備耗材銷售;辦公用品銷售;日用百貨銷售;機(jī)械設(shè)備銷售;超導(dǎo)材料銷售;密封用填料銷售;密封件銷售;高性能密封材料銷售;橡膠制品銷售;塑料制品銷售;文具用品批發(fā);文具用品零售;金屬材料銷售;金屬制品銷售;金屬工具銷售;環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售;生態(tài)環(huán)境材料銷售;集成電路設(shè)計;集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外,憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動)的發(fā)展和創(chuàng)新,打造高指標(biāo)產(chǎn)品和服務(wù)。誠實、守信是對企業(yè)的經(jīng)營要求,也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器。