圖5為本實用新型實施例提供的溝槽柵結構制作方法的流程圖。圖中：1為多晶硅層，2為氧化層，21為***氧化層，22為第二氧化層，23為**氧化層，3為光刻膠。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。圖4示出了本實施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖，包括半導體襯底和設置在半導體襯底表面內的兩個溝槽柵結構，兩個溝槽柵結構對稱，溝槽柵結構設置有多晶硅層1和包圍多晶硅層1的氧化層2，氧化層包括***氧化層21和第二氧化層22，***氧化層21設置在溝道區(qū)，第二氧化層22設置在非溝道區(qū)，第二氧化層22的厚度大于***氧化層21的厚度，與現有技術相比，本實施例提供的溝槽柵igbt氧化層2的厚度大于現有技術中的厚度，因此本實施例的結電容更小。需要說明的是，本實施例減小結電容的方式是通過增加溝槽內非溝道區(qū)第二氧化層22的厚度，***氧化層21厚度不變，因此本實施例在減小結電容的同時并不會造成器件整體性能變差。如曲線OD段稱為反向截止區(qū)，此時電流稱為反向飽和電流。私人模塊施工

    光耦隔離電路還連接死區(qū)電路、互鎖電路和保護電路，驅動電路還分別連接光耦隔離電路和igbt模塊，vce-sat檢測電路檢測到igbt模塊發(fā)生短路故障或過流故障時，通過光耦隔離電路傳遞故障信號給原邊電路，原邊電路同時***igbt模塊上下管驅動信號，并通過光耦隔離電路和驅動電路關斷igbt模塊。實施例2：在實施例1的基礎上，本實用新型的一種實施例電路如圖2所示，其中，15v電源輸入濾波電路由l1和c1構成的濾波器，其作用主要是：對輸入15v電源進行濾波，并且降低開關噪聲和電磁干擾。dc/dc電路由q1,q2,t1構成推挽電路，并且q1和q2由晶體管構成，t1為高頻隔離變壓器，其副邊有兩個**的繞組，輸出兩路隔離電源：其中上管隔離電源包括:d7與c4構成二極管整流電路，輸出-15v_sh電源；d8與c5構成二極管整流電路，輸出+15v_sh電源；其中下管隔離電源包括:d9與c6構成二極管整流電路，輸出-15v_sl電源；d11與c7構成二極管整流電路，輸出+15v_sl電源；上管死區(qū)電路和互鎖電路由v1,v2,r2,c2,d2組成，下管死區(qū)電路和互鎖電路由v3,v4,r3,c3,d3組成，保護電路包括d5,v5,d6,v6構成。pwm_h信號為上管輸入信號，pwm_l信號為下管輸入信號；當pwm_l信號為高電平時，c2通過d2快速放電。河北模塊銷售公司主要包括輸入電路、光電耦合器、過零觸發(fā)電路、開關電路（包括雙向晶閘管）、保護電路（RC吸收網絡）。

    人就會發(fā)生危險...發(fā)表于2018-03-2909:24?151次閱讀怎么用labview讀取IT8813電壓和電流發(fā)表于2018-03-2717:06?178次閱讀高低電平隨機數控制電壓選擇模塊發(fā)表于2018-03-2713:22?162次閱讀matlab模擬的時候怎樣才能讓電壓緩慢關斷？發(fā)表于2018-03-2712:18?195次閱讀回收WT333功率計發(fā)表于2018-03-2710:57?46次閱讀回收WT332功率計發(fā)表于2018-03-2710:43?27次閱讀二手WT2030功率分析儀發(fā)表于2018-03-2710:27?47次閱讀本人電源方面的新手，有一道題困惑了好幾天，求解答。。發(fā)表于2018-03-2709:50?342次閱讀回收NRP2功率計發(fā)表于2018-03-2709:32?36次閱讀數碼管顯示電壓電路圖大全（六款數碼管顯示電壓電路...本文主要介紹了數碼管顯示電壓電路圖大全（六款數碼管顯示電壓電路原理圖詳解）。測得的電壓轉換成數字相當...發(fā)表于2018-03-2613:53?302次閱讀回收安捷倫U8487A功率傳感器發(fā)表于2018-03-2610:31?88次閱讀回收安捷倫U8488A功率傳感器發(fā)表于2018-03-2610:30?106次閱讀何為有效值？何為均方根？從定義出發(fā)計算有效值，即，交流電與直流電分別通過同一電阻，若兩者在相同的時間內所消耗的電能相等。

    2013年2月，賽米控公司正式推出全國**式電磁油煙凈化一體機。2012年5月，賽米控公司正式加入廣東省酒店用品行業(yè)協會。2012年4月，賽米控公司正式加入順德民營企業(yè)投資商會理事會。2012年3月，賽米控公司投資控股佛山市順德區(qū)智械智能設備有限公司和佛山市順德區(qū)智熱電子科技有限公司。2012年3月，賽米控公司成立**永豐賽米控電子科技有限公司支部。2011年9月，賽米控公司在全國同行業(yè)中**推出美食和美器相結合的節(jié)能低碳廚房體驗廳開業(yè)。2011年2月，賽米控公司聯合阿里巴巴建立專業(yè)的外貿團隊，同年9月份出口西班牙大型電磁搖鍋。2010年12月，賽米控合資公司----石家莊晟歐電子科技有限公司董事會會議勝利召開。決議通過2011年商用電磁爐新的工作思路和發(fā)展方向。2010年9月，賽米控牌商用電磁爐榮獲中國***品牌，并被列入國內商用電磁爐**品牌之一。2010年6月，賽米控成功研發(fā)出拋炒爐無盲點技術。并成功申請國家**。2010年3月，世界首臺自動煮食機器人誕生，同月又成功開發(fā)出國內首臺自動煮粥機。標志著賽米控將為中國智能化、標準化、**化餐飲業(yè)的發(fā)展翻開嶄新的一頁。2009年11月，賽米控公司在上海崇明島注冊成立上海灶福智能科技有限公司。太陽能發(fā)電廠和儲能系統等；同時適用于工業(yè)和汽車級應用。

    我國的功率半導體技術包括芯片設計、制造和模塊封裝技術目前都還處于起步階段。功率半導體芯片技術研究一般采取“設計+代工”模式，即由設計公司提出芯片設計方案，由國內的一些集成電路公司代工生產。由于這些集成電路公司大多沒有**的功率器件生產線，只能利用現有的集成電路生產工藝完成芯片加工，所以設計生產的基本是一些低壓芯片。與普通IC芯片相比，大功率器件有許多特有的技術難題，如芯片的減薄工藝，背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術，更需要先進的工藝設備，這些都是我國功率半導體產業(yè)發(fā)展過程中急需解決的問題。從80年代初到現在IGBT芯片體內結構設計有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿通型(LPT)等類型，在改善IGBT的開關性能和通態(tài)壓降等性能上做了大量工作。但是把上述設計在工藝上實現卻有相當大的難度。尤其是薄片工藝和背面工藝。工藝上正面的絕緣鈍化，背面的減薄國內的做的都不是很好。低溫藥芯錫絲薄片工藝，特定耐壓指標的IGBT器件，芯片厚度也是特定的，需要減薄到200-100um，甚至到80um，現在國內可以將晶圓減薄到175um，再低就沒有能力了。比如在100~200um的量級，當硅片磨薄到如此地步后，后續(xù)的加工處理就比較困難了。P區(qū)的引出的電極稱為正極或陽極，N區(qū)的引出的電極稱為負極或陰極。浙江模塊廠家直銷

二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過二極管的電流之間的關系。私人模塊施工

    是否受熱損壞。（如果損壞已變形或燒熔）6．檢測芯片8316是否擊穿：測量方法：用萬用表測量8316引腳，要求1和2；1和4；7和2；7和4之間不能短路。7．IGBT處熱敏開關絕緣保護是否損壞。按鍵動作不良的檢測測量CPU口線是否擊穿：二、按鍵動作不良用萬用表二極管檔測量CPU極與接地端，均有，萬用表紅筆接“地”；黑筆接“CPU每一極口線”。否則，說明CPU口線擊穿。三、功率不能達到到要求1．線圈盤短路：測試線圈盤的電感量：PSD系數為L=157±5μH，PD系列為L=140±5μH。2．鍋具與線圈盤距離是否正常。3．鍋具是否是指定的鍋具。四、檢查各元氣件是否松動，是否齊全。裝配后不良狀況的檢查：1.不加熱：檢查互感器是否斷腳。2.插電后長鳴：檢查溫度開關端子是否接插良好。樓3.無法開機：檢查熱敏電阻端子是否接插良好。4.無小物檢知（不報警）：檢查電阻R301~R307是否正常。R301~R302為68KΩR303~R306為130KΩR307為Ω5.風扇不轉；檢查三極管Q2是否燒壞。（一般燒壞三極管引腳跟部已發(fā)黃；也可用萬用表二極管檔測量）[本帖***由嚴朝基于2009-1-1209:51編輯]贊賞共11人贊賞本站是提供個人知識管理的網絡存儲空間，所有內容均由用戶發(fā)布，不**本站觀點。如發(fā)現有害或侵權內容。私人模塊施工

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