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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-06-30

    HybridPACK?DSC是英飛凌全新的創(chuàng)新型解決方案,適用于混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車(chē)的主逆變器。得益于模制模塊的雙面冷卻設(shè)計(jì),該產(chǎn)品可提供更高的功率密度。在芯片溫度及電流傳感器的幫助下,IGBT的驅(qū)動(dòng)效果將更加接近其極限,從而進(jìn)一步提高功率密度。HybridPACK?DSC模塊具有高度可拓展性,為客戶所使用的平臺(tái)和方法提供支持。HybridPACK?驅(qū)動(dòng)是一款非常緊湊的電源模塊,專(zhuān)門(mén)針對(duì)混合動(dòng)力汽車(chē)及電動(dòng)汽車(chē)的主逆變器應(yīng)用(xEV)進(jìn)行了優(yōu)化,功率范圍比較高達(dá)150kW。這款電源模塊搭載了新一代EDT2IGBT芯片,后者采用汽車(chē)級(jí)微型溝槽式場(chǎng)截止單元設(shè)計(jì)。這款芯片組擁有基準(zhǔn)電流密度并具有短路耐用表現(xiàn),阻斷電壓得以增加,可在苛刻的環(huán)境條件下實(shí)現(xiàn)可靠的逆變器表現(xiàn)。英飛凌HybridPACK?系列涵蓋混合動(dòng)力車(chē)和電動(dòng)車(chē)中IGBT模塊所需的完整功率譜。各種產(chǎn)品版本是通過(guò)產(chǎn)品組合中的套件創(chuàng)新和芯片開(kāi)發(fā)實(shí)現(xiàn)的。用于定性描述這兩者關(guān)系的曲線稱(chēng)為伏安特性曲線。智能模塊供應(yīng)商家

    首先可用在線盤(pán)處串接燈泡的辦法大致判斷一下主板驅(qū)動(dòng)等部分是否正常;2、接上線盤(pán)先開(kāi)機(jī)試一下無(wú)鍋能否正常報(bào)警,若能則關(guān)機(jī)放上鍋具,采用幾次短時(shí)(1秒左右)開(kāi)機(jī)試加熱后用手摸散熱板(注意拔掉插頭以防觸電)溫度,若溫升明顯則還有問(wèn)題,需進(jìn)一步查找發(fā)熱原因?3、IGBT溫度過(guò)高是電流過(guò)大,為什么過(guò)大就是沒(méi)有通斷通斷,你說(shuō)電壓都正常,為何會(huì)爆管。你可以把線圈拆去,接上60W電燈泡試,有的是不亮,有的閃亮,如果常亮或比較亮就不行了!4.串接燈泡試,是間隙性閃亮,只是感覺(jué)亮的瞬間亮度比較亮。就會(huì)爆IGBT。5:很多電磁爐主板上電容已經(jīng)減容,如:MC-SY191C型,有3個(gè)220UF/25V已經(jīng)降至73UF沒(méi)換新的話,維修好有時(shí)候用幾天,有時(shí)候炒幾盤(pán)菜客戶就回修,又是爆IGBT等等2020-08-30美的電磁爐為什么總是燒IGBT看看大家的看法放鍋加熱爆IGBT管(侯森經(jīng)歷)故障檢修方法如下:1、換好損壞的元件后,首先可用在線盤(pán)處串接燈泡的辦法大致判斷一下主板驅(qū)動(dòng)等部分是否正常;2、接上線盤(pán)先開(kāi)機(jī)試一下無(wú)鍋能否正常報(bào)警,若能則關(guān)機(jī)放上鍋具,采用幾次短時(shí)(1秒左右)開(kāi)機(jī)試加熱后用手摸散熱板(注意拔掉插頭以防觸電)溫度,若溫升明顯則還有問(wèn)題。福建品質(zhì)模塊二極管由管芯、管殼和兩個(gè)電極構(gòu)成。管芯是一個(gè)PN結(jié),在PN結(jié)的兩端各引出一個(gè)引線。

    但是各路之間在電路上必須相互隔離,以防干擾或誤觸發(fā)四路驅(qū)動(dòng)信號(hào)根據(jù)觸發(fā)相位分為兩組,相位相反。圖3為一路柵極驅(qū)動(dòng)電路,整流橋B1、B2與電解電容C1、C2組成整流濾波電路,為驅(qū)動(dòng)電路提供+25V和-15V直流驅(qū)動(dòng)電壓。光耦6N137的作用是實(shí)現(xiàn)控制電路與主電路之間的隔離,傳遞PWM信號(hào)。電阻R1與穩(wěn)壓管VS1組成PWM取樣信號(hào),電阻R2限制光耦輸入電流。電阻R3、R4與穩(wěn)壓管VS3、VS4分別組成,分別為光耦和MOSFET管Q3提供驅(qū)動(dòng)電平。Q3在光耦控制下,工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。MOSFET管Q1、Q2組成推挽放大電路,將放大后的輸出信號(hào)輸入到IGBT門(mén)極,提供門(mén)極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。當(dāng)輸入控制信號(hào),光耦U導(dǎo)通,Q3截止,Q2導(dǎo)通輸出+15V驅(qū)動(dòng)電壓。當(dāng)控制信號(hào)為零時(shí),光耦U截止,Q3、Q1導(dǎo)通,輸出-15V電壓,在IGBT關(guān)斷時(shí)時(shí)給門(mén)極提供負(fù)的偏置,提高lGBT的抗干擾能力。穩(wěn)壓管VS3~VS6分別對(duì)Q2、Q1輸入驅(qū)動(dòng)電壓限幅在-10V和+15V,防止Q1、Q2進(jìn)入深度飽和,影響MOS管的響應(yīng)速度。電阻R6、R7與電容C0為Q1、Q2組成偏置網(wǎng)絡(luò)。其中的電容C0是為了在開(kāi)通時(shí),加速Q(mào)2管的漏極電流上升速度,為柵極提供過(guò)沖電流,加速柵極導(dǎo)通。圖3柵極驅(qū)動(dòng)電路原理IGBT柵極耐壓一般在±20V左右。

    Le是射極回路漏電感,用電感L1與二極管VD并聯(lián)作為負(fù)載。圖2IGBT開(kāi)通波形IGBT開(kāi)通波形見(jiàn)圖2b。T0時(shí)刻,IGBT處于關(guān)斷狀態(tài),柵極驅(qū)動(dòng)電壓開(kāi)始上升,Uge的上升斜率上要由Rg和Cgc決定,上升較快。到t1時(shí)刻。Uge達(dá)到柵極門(mén)檻值(約4~5V),集電極電流開(kāi)始上升。導(dǎo)致Uge波形偏離原有軌跡的因素主要有兩個(gè):一是發(fā)射極電路中分布電感Le的負(fù)反饋?zhàn)饔?;二是柵極-集電極電容Cgc的密勒效應(yīng)。t2時(shí)刻,Ic達(dá)到比較大值,集射極電壓Uce下降,同時(shí)Cgc放電,驅(qū)動(dòng)電路電流增大,使得Rg和R上分壓加大,也造成Uge下降。直到t3時(shí)刻,Uce降為0,Ic達(dá)到穩(wěn)態(tài)值,Uge才以較快的上升率達(dá)到比較大值。IGBT關(guān)斷波形如圖2c所示。T0時(shí)刻?hào)艠O驅(qū)動(dòng)電壓開(kāi)始下降,到t1時(shí)刻達(dá)到剛能維持Ic的水下,lGBT進(jìn)入線性工作區(qū),Uce開(kāi)始上升,對(duì)Cgc、Cge充電,由于對(duì)兩個(gè)寄生電容的耦合充電作用,使得在t1~t2期間,Uge基本不變。在t3時(shí)刻,Uce上升結(jié)束,Uge和Ic以柵極-發(fā)射極間固有阻抗下降為0。通過(guò)以上分析可知,對(duì)IGBT開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程影響較大的因素是驅(qū)動(dòng)電路的阻杭、Le和Cge。因此在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,應(yīng)選擇Cgc較小的IGBT,并通過(guò)合理布線、選擇合理電阻等方法改善開(kāi)通與關(guān)斷的過(guò)程。,四路驅(qū)動(dòng)電路完全相同。太陽(yáng)能發(fā)電廠和儲(chǔ)能系統(tǒng)等;同時(shí)適用于工業(yè)和汽車(chē)級(jí)應(yīng)用。

    三、根據(jù)開(kāi)關(guān)頻率選擇不同的IGBT系列IGBT的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開(kāi)關(guān)損耗組成,不同的開(kāi)關(guān)頻率,開(kāi)關(guān)損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態(tài)損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開(kāi)關(guān)損耗的開(kāi)關(guān)時(shí)間(ton,toff)又是一對(duì)矛盾,因此應(yīng)根據(jù)不同的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)選擇不同特征的IGBT。在低頻如fk<10KHz時(shí),通態(tài)損耗是主要的,這就需要選擇低飽和壓降型IGBT系列。對(duì)于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT;但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近,“KT3”比“KE3”開(kāi)關(guān)損耗降低20%左右,因而“KT3”將更有優(yōu)勢(shì)。“KT3”由于開(kāi)關(guān)速度更快,對(duì)吸收與布線要求更高。若開(kāi)關(guān)頻率在10KHz-15KHz之間,請(qǐng)使用英飛凌后綴為“DN2”和“KT3”的IGBT模塊,今后對(duì)于fk≤15KHz的應(yīng)用場(chǎng)合,建議客戶逐步用“KT3”取代“KE3”,“DLC”或“DN2”。當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率fk≥15KHz時(shí),開(kāi)關(guān)損耗是主要的,通態(tài)損耗占的比例比較小。比較好選擇英飛凌短拖尾電流“KS4”高頻系列。當(dāng)然對(duì)于fk在15KHz-20KHz之間時(shí),“DN2”系列也是比較好的選擇。英飛凌“KS4”高頻系列,硬開(kāi)關(guān)工作頻率可達(dá)40KHz;若是軟開(kāi)關(guān),可工作在150KHz左右。IGBT在高頻下工作時(shí)。電流等級(jí)從6 A到3600 A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦,高至數(shù)兆瓦。上海模塊裝潢

采用分立封裝的高效硅基或 CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產(chǎn)品組合。智能模塊供應(yīng)商家

    ⑷在工作電流較大的情況下,為了減小關(guān)斷過(guò)電壓,應(yīng)盡量減小主電路的布線電感,吸收電容應(yīng)采用低感或無(wú)感型;⑸IGBT與MOSFET都是電壓驅(qū)動(dòng),都具有一個(gè)~5V的閾值電壓,有一個(gè)容性輸入阻抗,因此IGBT對(duì)柵極電荷非常敏感故驅(qū)動(dòng)電路必須很可靠,要保證有一條低阻抗值的放電回路,即驅(qū)動(dòng)電路與IGBT的連線要盡量短;⑹用內(nèi)阻小的驅(qū)動(dòng)源對(duì)柵極電容充放電,以保證柵極控制電壓Uge,有足夠陡的前后沿,使IGBT的開(kāi)關(guān)損耗盡量小。另外,IGBT開(kāi)通后,柵極驅(qū)動(dòng)源應(yīng)能提供足夠的功率,使IGBT不退出飽和而損壞;⑺驅(qū)動(dòng)電平Uge也必須綜合考慮。Uge增大時(shí),IGBT通態(tài)壓降和開(kāi)通損耗均下降,但負(fù)載短路時(shí)的Ic增大,IGBT能承受短路電流的時(shí)間減小,對(duì)其安全不利,因此在有短路過(guò)程的設(shè)備中Uge應(yīng)選得小些,一般選12~15V;在關(guān)斷過(guò)程中,為盡快抽取PNP管的存儲(chǔ)電荷,須施加一負(fù)偏壓Uge,但它受IGBT的G、E間**大反向耐壓限制,一般取1~10V;⑻在大電感負(fù)載下,IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間不能太短,以限制出di/dt形成的尖峰電壓,確保IGBT的安全;⑼由于IGBT在電力電子設(shè)備中多用于高壓場(chǎng)合,故驅(qū)動(dòng)電路與控制電路在電位上應(yīng)嚴(yán)格隔離;⑽IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)盡可能簡(jiǎn)單實(shí)用,**好自身帶有對(duì)IGBT的保護(hù)功能。智能模塊供應(yīng)商家

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