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來源: 發(fā)布時間:2023-06-25

    但是各路之間在電路上必須相互隔離,以防干擾或誤觸發(fā)四路驅(qū)動信號根據(jù)觸發(fā)相位分為兩組,相位相反。圖3為一路柵極驅(qū)動電路,整流橋B1、B2與電解電容C1、C2組成整流濾波電路,為驅(qū)動電路提供+25V和-15V直流驅(qū)動電壓。光耦6N137的作用是實(shí)現(xiàn)控制電路與主電路之間的隔離,傳遞PWM信號。電阻R1與穩(wěn)壓管VS1組成PWM取樣信號,電阻R2限制光耦輸入電流。電阻R3、R4與穩(wěn)壓管VS3、VS4分別組成,分別為光耦和MOSFET管Q3提供驅(qū)動電平。Q3在光耦控制下,工作在開關(guān)狀態(tài)。MOSFET管Q1、Q2組成推挽放大電路,將放大后的輸出信號輸入到IGBT門極,提供門極的驅(qū)動信號。當(dāng)輸入控制信號,光耦U導(dǎo)通,Q3截止,Q2導(dǎo)通輸出+15V驅(qū)動電壓。當(dāng)控制信號為零時,光耦U截止,Q3、Q1導(dǎo)通,輸出-15V電壓,在IGBT關(guān)斷時時給門極提供負(fù)的偏置,提高lGBT的抗干擾能力。穩(wěn)壓管VS3~VS6分別對Q2、Q1輸入驅(qū)動電壓限幅在-10V和+15V,防止Q1、Q2進(jìn)入深度飽和,影響MOS管的響應(yīng)速度。電阻R6、R7與電容C0為Q1、Q2組成偏置網(wǎng)絡(luò)。其中的電容C0是為了在開通時,加速Q(mào)2管的漏極電流上升速度,為柵極提供過沖電流,加速柵極導(dǎo)通。圖3柵極驅(qū)動電路原理IGBT柵極耐壓一般在±20V左右。外加正向電壓較小時,二極管呈現(xiàn)的電阻較大,正向電流幾乎為零。寧夏代理模塊

我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列,它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級,適用于幾乎所有應(yīng)用。市場**的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術(shù)。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三電平、升壓器或單開關(guān)配置,電流等級從6A到3600A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦,高至數(shù)兆瓦。這些產(chǎn)品可用于通用驅(qū)動器、牽引、伺服裝置和可再生能源發(fā)電(如光伏逆變器或風(fēng)電應(yīng)用)等應(yīng)用,具有高可靠性、出色性能、高效率和使用壽命長的優(yōu)勢。上海模塊加工廠開關(guān)性能經(jīng)過優(yōu)化,可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動器,以適應(yīng)不同的工作電壓。

雙向可控硅應(yīng)用現(xiàn)在可控硅應(yīng)用市場很多,可控硅應(yīng)用在自動控制領(lǐng)域,機(jī)電領(lǐng)域,工業(yè)電器及家電等方面都有可控硅的身影。許先生告訴記者,他目前的幾個大單中還有用于卷發(fā)產(chǎn)品的單,可見可控硅在人們的生活中都有應(yīng)用。更重要的是,可控硅應(yīng)用相當(dāng)穩(wěn)定,比方說用于家電產(chǎn)品中的電子開關(guān),可以說是鮮少變化的。無論其他的元件怎么變化,可控硅的變化是不大的,這相對來說,等于擴(kuò)大的可控硅的應(yīng)用市場,減少了投資的風(fēng)險??煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。

    根據(jù)數(shù)據(jù)表中標(biāo)示的IGBT的寄生電容,可以分析dV/dt引起的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象。可能的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象,是由集電極-柵極和柵極-發(fā)射極之間的固有容性分壓器引起的(請參見圖9)。考慮到集電極-發(fā)射極上的較高瞬態(tài)電壓,這個固有的容性分壓器比受限于寄生電感的外接?xùn)艠O驅(qū)動電路快得多。因此,即使柵極驅(qū)動器關(guān)斷了IGBT,即,在零柵極-發(fā)射極電壓狀態(tài)下,瞬態(tài)集電極-發(fā)射極電壓也會引起與驅(qū)動電壓不相等的柵極-發(fā)射極電壓。忽略柵極驅(qū)動電路的影響,可以利用以下等式,計算出柵極-發(fā)射極電壓:因此,商數(shù)Cres/Cies應(yīng)當(dāng)盡可能低,以避免dV/dt引起寄生導(dǎo)通現(xiàn)象(商數(shù)約為35,請參見圖12)。此外,輸入電容應(yīng)當(dāng)盡可能低,以避免柵極驅(qū)動損耗。圖12IGBT的寄生電容(摘自數(shù)據(jù)表)數(shù)據(jù)表中給出的寄生電容是在恒定的25V集電極-發(fā)射極電壓條件下的值(請參見圖12)。柵極-發(fā)射極電容約為該恒定集電極-發(fā)射極電壓條件下的值(等式(9))。反向傳遞電容嚴(yán)重依賴于集電極-發(fā)射極電壓,可以利用等式(10)估算得到(請參見圖13):圖13利用等式(9)和(10)計算得到的不同集電極-發(fā)射極電壓條件下的輸入和反向傳遞電容近似值所以,防止dV/dt引起的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象的穩(wěn)定性。當(dāng)外加正向電壓超過死區(qū)電壓時,PN結(jié)內(nèi)電場幾乎被抵消,二極管呈現(xiàn)的電阻很小。

在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前,功率場效應(yīng)管MOSFET被用于需要快速開關(guān)的中低壓場合,晶閘管、GTO被用于中高壓領(lǐng)域。MOSFET雖然有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單的優(yōu)點(diǎn);但是,在200V或更高電壓的場合,MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的增加會迅速增加,使得其功耗大幅增加,存在著不能得到高耐壓、大容量元件等缺陷。雙極晶體管具有優(yōu)異的低正向?qū)▔航堤匦?,雖然可以得到高耐壓、大容量的元件,但是它要求的驅(qū)動電流大,控制電路非常復(fù)雜,而且交換速度不夠快。構(gòu)成了晶體二極管,如下圖所示。P區(qū)的引出的電極稱為正極或陽極,N區(qū)的引出的電極稱為負(fù)極或陰極。本地模塊代理價錢

大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應(yīng)用的效率,覆蓋10 kW-10 GW的寬廣功率范圍。寧夏代理模塊

西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結(jié)構(gòu)和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。西門康IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域?qū)幭拇砟K

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