可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等。海南代理西門康可控硅代理商

■首先，我們可以把從陰極向上數(shù)的第1、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來分析。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能。北京好的西門康可控硅供應(yīng)商電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。

   它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。一、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應(yīng)用較多。■可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號見圖表-26。■從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?！隹煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅兀肯旅嫖覀冇脠D表-27來簡單分析可控硅的工作原理?！鍪紫?，我們可以把從陰極向上數(shù)的第1、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27。

 在門極G上加以正電壓或正脈沖信號，則GT0導(dǎo)通；當(dāng)門極上信號消失后，GTO仍然保持導(dǎo)通狀態(tài)，這與普通SCR性能完全一樣。這時如在門極與陰極之間加入反向電壓或較強(qiáng)的反向脈沖信號，可使GTO關(guān)斷。GTO在門極加負(fù)脈沖關(guān)斷信號時，有一個反向偏置工作安全區(qū)問題。就是指一定條件下GT0能可靠關(guān)斷的陽極電流和陽極電壓的軌跡。以上圖可控硅模塊來說，怎么判斷可控硅模塊如下1、這種模塊已經(jīng)標(biāo)注有詳細(xì)的圖，在門極上部也清楚標(biāo)注有希拉數(shù)字4、5、6、7。也就是說可控硅模塊無需極性判別。簡單的判別，可用數(shù)字萬用表的電阻擋位200Ω，測量一下k1=4、G1=5、k2=7、G2=6，是否一一對應(yīng)。如不對應(yīng)表示模塊內(nèi)部已經(jīng)出現(xiàn)損壞了。正常時k1與G1正反向電阻值都為一樣14Ω。K2與G2的兩個端點的電阻也應(yīng)該是14Ω。如果測得陰極k與門極G電阻值等于o時，說明元件內(nèi)部己經(jīng)短路擊穿損壞。上面三個電流緊固電極（1~AK2）、（2~K1）、（3~A）。2、將萬用表200MΩ擋位測量，它們之間的電阻值，均為∞無窮大均為好。如果它們?nèi)c之中其中有二點有電阻值，表明模塊已壞。3、可將用于整流作用的模塊可控硅單獨(dú)分為一只可控硅看，為安全起見，采用24V直流穩(wěn)壓電源，與一直流24V5W燈泡如下圖進(jìn)行簡單的判別?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪健⑵桨迨胶推降资饺N，螺旋式的應(yīng)用較多。

答；可控硅有兩種叫法，精細(xì)一點叫晶閘管。常用的電力半導(dǎo)體器件有；普通可控硅（SCR）、門極（GTO）關(guān)斷可控硅、電力可控硅（GTR）、電力MoS場效應(yīng)晶體管（MosFET）、絕緣柵雙極型晶體管、（lGBT）、Mos柵控可控硅等等?？煽毓枘K；是根據(jù)不同的用途與技術(shù)要求，將單向可控進(jìn)行組合。兩只單向可控硅的串聯(lián)（一只的陽極A與另一只的陰極K相接）這樣就組成了一個可控硅模塊。常用于大功率三相橋式、單相橋式整流電路之中。兩只單相可控硅反向并聯(lián)（就是一只的陽極A與另一只的陰極K聯(lián)接，另一端點一只陰極k與一只陽極A相接）組成一只雙向可控硅模塊。常用于大功率三相或單相交流調(diào)壓電路中。例如軟啟動器中改變電壓控制電動機(jī)啟動的電路中。無論是什么結(jié)構(gòu)，它們的控制端都是由陰極K與門極G有二根線引出來控制的。下面簡述一下GT0門極可關(guān)斷可控硅的組成。見下面圖門極可關(guān)斷晶閘管簡稱可關(guān)斷晶閘管，用GTO表示。它是一種耐高電壓大電流全控器件。它屬全控型三端器件。GT0可控硅的基本結(jié)構(gòu)與普通可控硅ScR類似，它的三個極也是陽極A、陰極k、門極G。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)及符號如上圖所示。其陽極伏安特性如下圖所示。當(dāng)陽極加有正電壓、陰極加有負(fù)電壓時。硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化。北京本地西門康可控硅銷售廠家

采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。海南代理西門康可控硅代理商

  BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發(fā)信號是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了?？煽毓柽@種通過觸發(fā)信號（小觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見表1應(yīng)用舉例：可控硅在實際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路，概括起來有直流觸發(fā)電路，交流觸發(fā)電路，相位觸發(fā)電路等等。1、直流觸發(fā)電路：如圖2是一個電視機(jī)常用的過壓保護(hù)電路，當(dāng)E+電壓過高時A點電壓也變高，當(dāng)它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時DZ道通，可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路，使保險絲RJ熔斷，從而起到過壓保護(hù)的作用。2、相位觸發(fā)電路：相位觸發(fā)電路實際上是交流觸發(fā)電路的一種，如圖3，這個電路的方法是利用RC回路控制觸發(fā)信號的相位。當(dāng)R值較少時，RC時間常數(shù)較少，觸發(fā)信號的相移A1較少，因此負(fù)載獲得較大的電功率；當(dāng)R值較大時，RC時間常數(shù)較大，觸發(fā)信號的相移A2較大。海南代理西門康可控硅代理商

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