以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發(fā)射極間開路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò)。這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場(chǎng)合，當(dāng)柵極回路不正常或柵極回路損壞時(shí)（柵極處于開路狀態(tài)），若在主回路上加上電壓，則IGBT就會(huì)損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，比較好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。4保管時(shí)的注意事項(xiàng)一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃，常濕的規(guī)定在45～75％左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕;盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合。完整的模塊封裝技術(shù)組合，一站式 購(gòu)齊。西藏電源模塊

西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結(jié)構(gòu)和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。西門康IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域微型模塊售價(jià)EconoBRIDGE 整流器模塊應(yīng)用在完善的Econo2 和 Econo4 封裝中。

    ⑷在工作電流較大的情況下，為了減小關(guān)斷過(guò)電壓，應(yīng)盡量減小主電路的布線電感，吸收電容應(yīng)采用低感或無(wú)感型；⑸IGBT與MOSFET都是電壓驅(qū)動(dòng)，都具有一個(gè)～5V的閾值電壓，有一個(gè)容性輸入阻抗，因此IGBT對(duì)柵極電荷非常敏感故驅(qū)動(dòng)電路必須很可靠，要保證有一條低阻抗值的放電回路，即驅(qū)動(dòng)電路與IGBT的連線要盡量短；⑹用內(nèi)阻小的驅(qū)動(dòng)源對(duì)柵極電容充放電，以保證柵極控制電壓Uge,有足夠陡的前后沿，使IGBT的開關(guān)損耗盡量小。另外，IGBT開通后，柵極驅(qū)動(dòng)源應(yīng)能提供足夠的功率，使IGBT不退出飽和而損壞；⑺驅(qū)動(dòng)電平Uge也必須綜合考慮。Uge增大時(shí)，IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降，但負(fù)載短路時(shí)的Ic增大，IGBT能承受短路電流的時(shí)間減小，對(duì)其安全不利，因此在有短路過(guò)程的設(shè)備中Uge應(yīng)選得小些，一般選12～15V；在關(guān)斷過(guò)程中，為盡快抽取PNP管的存儲(chǔ)電荷，須施加一負(fù)偏壓Uge,但它受IGBT的G、E間**大反向耐壓限制，一般取1～10V；⑻在大電感負(fù)載下，IGBT的開關(guān)時(shí)間不能太短，以限制出di/dt形成的尖峰電壓，確保IGBT的安全；⑼由于IGBT在電力電子設(shè)備中多用于高壓場(chǎng)合，故驅(qū)動(dòng)電路與控制電路在電位上應(yīng)嚴(yán)格隔離；⑽IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)盡可能簡(jiǎn)單實(shí)用，**好自身帶有對(duì)IGBT的保護(hù)功能。

    需指出的是：IGBT參數(shù)表中標(biāo)出的IC是集電極比較大直流電流，但這個(gè)直流電流是有條件的，首先比較大結(jié)溫不能超過(guò)150℃，其次還受安全工作區(qū)（SOA）的限制，不同的工作電壓、脈沖寬度，允許通過(guò)的比較大電流不同。同時(shí)，各大廠商也給出了2倍于額定值的脈沖電流，這個(gè)脈沖電流通常是指脈沖寬度為1ms的單脈沖能通過(guò)的比較大通態(tài)電流值，即使可重復(fù)也需足夠長(zhǎng)的時(shí)間。如果脈沖寬度限制在10μs以內(nèi)，英飛凌NPT-IGBT短路電流承受能力可高達(dá)10倍的額定電流值。這種短路也不允許經(jīng)常發(fā)生，器件壽命周期內(nèi)總次數(shù)不能大于1000次，兩次短路時(shí)間間隔需大于1s。但對(duì)于PT型IGBT，這種短路總次數(shù)不能大于100次，這是由于NPT-IGBT過(guò)載能力、可靠性比PT型高的原因。在電力電子設(shè)備中，選擇IGBT模塊時(shí)，通常是先計(jì)算通過(guò)IGBT模塊的電流值，然后根據(jù)電力電子設(shè)備的特點(diǎn)，考慮到過(guò)載、電網(wǎng)波動(dòng)、開關(guān)尖峰等因素考慮一倍的安全余量來(lái)選擇相應(yīng)的IGBT模塊。但嚴(yán)格的選擇，應(yīng)根據(jù)不同的應(yīng)用情況，計(jì)算耗散功率，通過(guò)熱阻核算具比較高結(jié)溫不超過(guò)規(guī)定值來(lái)選擇器件。通過(guò)比較高結(jié)溫核標(biāo)可選擇較小的IGBT模塊通過(guò)更大的電流，更加有效地利用IGBT模塊。二極管承受反向電壓時(shí)，加強(qiáng)了PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)，二極管呈現(xiàn)很大電阻，此時(shí)*有很小的反向電流。

    全橋逆變電路IGBT模塊的實(shí)用驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)作者：海飛樂(lè)技術(shù)時(shí)間：2017-04-2116:311.前言全僑式逆變電路應(yīng)用***，國(guó)內(nèi)外許多廠家的焊機(jī)都采用此主電路結(jié)構(gòu)。全橋式電路的優(yōu)點(diǎn)是輸出功率較大，要求功率開關(guān)管耐壓較低，便于選管。在硬開關(guān)僑式電路中，IGBT在高壓下導(dǎo)通，在大電流下關(guān)斷，處于強(qiáng)迫開關(guān)過(guò)程，功率器件IGBT能否正?？煽渴褂闷鹬陵P(guān)重要的作用。驅(qū)動(dòng)電路的作用就是將控制電路輸出的PWM信號(hào)進(jìn)行功率放大，滿足驅(qū)動(dòng)IGBT的要求。其性能直接關(guān)系到IGBT的開關(guān)速度和功耗、整機(jī)效率和可靠性。隨著開關(guān)工作頻率的提高，驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)更為重要。2.硬開關(guān)全橋式電路工作過(guò)程分析全橋式逆變主電路由功率開關(guān)管IGBT和中頻變壓器等主要元器件組成，如圖1所示快速恢復(fù)二極管VD1~VD4與lGBT1～I(xiàn)GBT4反向并聯(lián)、承受負(fù)載產(chǎn)生的反向電流以保護(hù)IGBT。IGBT1和IGBT4為一組，IGBT2和IGBT3為一組，每組IGBT同時(shí)導(dǎo)通與關(guān)斷，當(dāng)激勵(lì)脈沖信號(hào)輪流驅(qū)動(dòng)IGBT1、IGBT4和IGBT2、IGBT3時(shí)，逆變主電路把直流高壓轉(zhuǎn)換為20kHz的交流電壓送到中頻變壓器，經(jīng)降壓整流濾波輸出。圖1全橋式逆變電路全橋式逆變器的一大缺陷就是存在中頻變壓器偏磁問(wèn)題，正常工作情況下。當(dāng)外加正向電壓超過(guò)死區(qū)電壓時(shí)，PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)幾乎被抵消，二極管呈現(xiàn)的電阻很小。上海進(jìn)口模塊廠家直銷

市場(chǎng)**的62 mm、Easy和Econo系列、IHM / IHV B系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術(shù)。西藏電源模塊

    IGBT模塊驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)1.引言IGBT是MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)，又具有功率晶體管高電壓、電流大等優(yōu)點(diǎn)。其特性發(fā)揮出MOSFET和功率晶體管各自的優(yōu)點(diǎn)，正常情況下可工作于幾十kHz的頻率范圍內(nèi)，故在較高頻率應(yīng)用范圍中，其中中、大功率應(yīng)用占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極發(fā)射極之間施加十幾V的直流電壓，只有μA級(jí)的電流流過(guò)，基本上不消耗功率。但I(xiàn)GBT的柵極發(fā)射極之間存在較大的寄生電容（幾千至上萬(wàn)pF），在驅(qū)動(dòng)脈沖的上升和下降沿需要提供數(shù)A級(jí)的充放電電流，才能滿足開通和關(guān)斷的動(dòng)態(tài)要求，這使得它的驅(qū)動(dòng)電路也必須輸出一定的峰值電流。IGBT作為一種大功率的復(fù)合器件，存在著過(guò)流時(shí)可能發(fā)生閉鎖現(xiàn)象而造成損壞的問(wèn)題。在過(guò)流時(shí)如采取一定的速度***柵極電壓，過(guò)高的電流變化會(huì)引起過(guò)電壓，需要采用軟關(guān)斷技術(shù)，因此掌握好IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)特性對(duì)于設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)是十分必要的。2．IGBT的柵極特性IGBT的柵極通過(guò)氧化膜和發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般只能達(dá)到20到30V，因此柵極擊穿是IGBT**常見(jiàn)的失效原因之一。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)**大額定柵極電壓。西藏電源模塊

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司坐落在昆山開發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201，是一家專業(yè)的一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；電子元器件批發(fā)；電子元器件零售；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售；電力電子元器件銷售；電子設(shè)備銷售；電子測(cè)量?jī)x器銷售；機(jī)械電氣設(shè)備銷售；風(fēng)動(dòng)和電動(dòng)工具銷售；電氣設(shè)備銷售；光電子器件銷售；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；半導(dǎo)體照明器件銷售；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售；半導(dǎo)體分立器件銷售；集成電路銷售；五金產(chǎn)品批發(fā)；五金產(chǎn)品零售；模具銷售；電器輔件銷售；電力設(shè)施器材銷售；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售；儀器儀表銷售；辦公設(shè)備銷售；辦公設(shè)備耗材銷售；辦公用品銷售；日用百貨銷售；機(jī)械設(shè)備銷售；超導(dǎo)材料銷售；密封用填料銷售；密封件銷售；高性能密封材料銷售；橡膠制品銷售；塑料制品銷售；文具用品批發(fā)；文具用品零售；金屬材料銷售；金屬制品銷售；金屬工具銷售；環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售；生態(tài)環(huán)境材料銷售；集成電路設(shè)計(jì)；集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)）公司。公司目前擁有專業(yè)的技術(shù)員工，為員工提供廣闊的發(fā)展平臺(tái)與成長(zhǎng)空間，為客戶提供高質(zhì)的產(chǎn)品服務(wù)，深受員工與客戶好評(píng)。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營(yíng)宗旨，深受客戶好評(píng)。一直以來(lái)公司堅(jiān)持以客戶為中心、IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器市場(chǎng)為導(dǎo)向，重信譽(yù)，保質(zhì)量，想客戶之所想，急用戶之所急，全力以赴滿足客戶的一切需要。