需指出的是：IGBT參數(shù)表中標出的IC是集電極比較大直流電流，但這個直流電流是有條件的，首先比較大結溫不能超過150℃，其次還受安全工作區(qū)（SOA）的限制，不同的工作電壓、脈沖寬度，允許通過的比較大電流不同。同時，各大廠商也給出了2倍于額定值的脈沖電流，這個脈沖電流通常是指脈沖寬度為1ms的單脈沖能通過的比較大通態(tài)電流值，即使可重復也需足夠長的時間。如果脈沖寬度限制在10μs以內，英飛凌NPT-IGBT短路電流承受能力可高達10倍的額定電流值。這種短路也不允許經(jīng)常發(fā)生，器件壽命周期內總次數(shù)不能大于1000次，兩次短路時間間隔需大于1s。但對于PT型IGBT，這種短路總次數(shù)不能大于100次，這是由于NPT-IGBT過載能力、可靠性比PT型高的原因。在電力電子設備中，選擇IGBT模塊時，通常是先計算通過IGBT模塊的電流值，然后根據(jù)電力電子設備的特點，考慮到過載、電網(wǎng)波動、開關尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應的IGBT模塊。但嚴格的選擇，應根據(jù)不同的應用情況，計算耗散功率，通過熱阻核算具比較高結溫不超過規(guī)定值來選擇器件。通過比較高結溫核標可選擇較小的IGBT模塊通過更大的電流，更加有效地利用IGBT模塊。開關性能經(jīng)過優(yōu)化，可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調整軟起動器，以適應不同的工作電壓。青海電源管理模塊

在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前，功率場效應管MOSFET被用于需要快速開關的中低壓場合，晶閘管、GTO被用于中高壓領域。MOSFET雖然有開關速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、驅動電路簡單的優(yōu)點;但是，在200V或更高電壓的場合，MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的增加會迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在著不能得到高耐壓、大容量元件等缺陷。雙極晶體管具有優(yōu)異的低正向導通壓降特性，雖然可以得到高耐壓、大容量的元件，但是它要求的驅動電流大，控制電路非常復雜，而且交換速度不夠快。貴州通用模塊大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應用的效率，覆蓋10 kW-10 GW的寬廣功率范圍。

    在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。2IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時應該降等使用。3使用中的注意事項由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號。

雙向可控硅作用 有例如1、雙向可控硅在電路中的作用是：用于交流調壓或交流電子開關。2、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。3、可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。當加上輸入信號VI（一般為高電平）、并且交流負載電源電壓通過零點時，雙向晶閘管被觸發(fā)，將負載電源接通。

    隨集電極-發(fā)射極電壓的升高而增強（請參見等式（8））。低阻抗（即，低雜散電感）柵極驅動電路，也可比較大限度地降低發(fā)生寄生導通事件的風險。開關時間數(shù)據(jù)表中給出的開關時間，為確定半橋配置中的互補器件的接通與關斷之間的恰當空載時間，提供了有用信息。關于設置恰當?shù)目蛰d時間的更多信息，請參閱參考資料[1]。數(shù)據(jù)表中給出的開關時間的定義如下，如圖14中的示意圖所示。?接通延時（tdon）：10%柵極-發(fā)射極電壓，至10%集電極電流?升高時間（tr）：10%集電極電流，至90%集電極電流?關斷延時（tdoff）：90%柵極-發(fā)射極電壓，至90%集電極電流?下降時間（tf）：90%集電極電流，至10%集電極電流開關時間不能提供關于開關損耗的可靠信息，因為電壓升高時間和下降時間以及電流拖尾均未確定。因此，每個脈沖造成的功率損耗需單獨確定。圖14開關波形示意圖以及開關時間和功率損耗定義在數(shù)據(jù)表中，將每個脈沖造成的開關損耗定義為如下積分：積分范圍t1和t2為：?每個脈沖造成的接通功率損耗（Eon）：10%集電極電流，至2%集電極-發(fā)射極電壓?每個脈沖造成的關斷功率損耗（Eoff）：10%集電極-發(fā)射極電壓，至2%集電極電流這樣，開關時間和每個脈沖造成的功率損耗。用于定性描述這兩者關系的曲線稱為伏安特性曲線。模塊

通過晶體管圖示儀觀察到硅二極管的伏安特性如下圖所示。青海電源管理模塊

英飛凌IGBT綜述：我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級，適用于幾乎所有應用。市場**的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三電平、升壓器或單開關配置，電流等級從6A到3600A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數(shù)兆瓦。這些產(chǎn)品可用于通用驅動器、牽引、伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風電應用）等應用，具有高可靠性、出色性能、高效率和使用壽命長的優(yōu)勢。IGBT模塊采用預涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應用實現(xiàn)一致性的散熱性能。此外，IGBT模塊可以借助壓接引腳進行安裝，從而實現(xiàn)無焊料無鉛的功率模塊安裝。英飛凌可控硅：綜述：6.5kV片式晶閘管系列包括四款強大而可靠的片式器件，專為滿足中壓軟起動器應用的特殊要求而開發(fā)。所有器件均具備很強的抗浪涌電流能力。開關性能經(jīng)過優(yōu)化，可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調整軟起動器，以適應不同的工作電壓。該器件還適用于通用線電壓整流器應用，如電源和標準驅動。青海電源管理模塊

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