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向漏極注入空穴,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門(mén)極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N一層的空穴(少子),對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N一層的電阻,使IGBT在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓。IGBT單管產(chǎn)品圖IGBT單管結(jié)構(gòu)圖IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于變頻調(diào)速外,600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,**降低電路接線電感,提高系統(tǒng)效率,現(xiàn)已開(kāi)發(fā)成功第二代IPEM,其中所有的無(wú)源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點(diǎn)。與 BJT 或 MOS管相比,絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優(yōu)勢(shì)在于它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益。江蘇大規(guī)模模塊報(bào)價(jià)表
原標(biāo)題:可控硅模塊在電路中的作用的什么?提到可控硅模塊,人們都會(huì)想到它是一種類似于二極管的東西,但是詳細(xì)作用往往不是特別了解,尤其是在電路中的作用更是知之甚少,下面,正高電氣就在給你普及一下相關(guān)知識(shí),詳細(xì)講解可控硅模塊在電路中的作用??煽毓柙陔娐分械淖饔靡话阌袃煞N,主要是可控整流和無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)??煽卣鳎阂话銇?lái)說(shuō),普通的可控硅模塊在電路中的用途就是可控整流,像大家都比較熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,如果能夠?qū)⒍O管換成可控硅模塊,就能夠構(gòu)成可控整流電路、逆變、電機(jī)調(diào)速、電機(jī)勵(lì)磁、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)機(jī)自動(dòng)控制等多個(gè)方面的應(yīng)用。在電工技術(shù)中,經(jīng)常將交流電的半個(gè)周期為180度,稱為電角度,這樣在U2的每個(gè)正半周,從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度成為控制角α;在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān):可控硅模塊的作用當(dāng)然也不**是整流,它還可以作為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)來(lái)用,以便于更好的快速接通或者切斷電路。江蘇有什么模塊批發(fā)然而,柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。
螺釘應(yīng)以推薦的夾緊力矩范圍予以?shī)A緊。如果該力矩不足,可能使接觸熱阻變大,或在工作中產(chǎn)生松動(dòng)。反之,如果力矩過(guò)大,可能引起外殼破壞。將IGBT模塊安裝在由擠壓模制作的散熱器上時(shí),IGBT模塊的安裝與散熱器擠壓方向平行,這是為了減小散熱器變形的影響。圖2螺釘?shù)膴A緊方法把模塊焊接到PCB時(shí),應(yīng)注意焊接時(shí)間要短。注意波形焊接機(jī)的溶劑干燥劑的用量,不要使用過(guò)量的溶劑。模塊不能沖洗。用網(wǎng)版印刷技術(shù)在散熱器表面印刷50μm的散熱復(fù)合用螺釘把模塊和PCB安裝在散熱器上。在未上螺釘之前,輕微移動(dòng)模塊可以更好地分布散熱膏。安裝螺釘時(shí)先用合適的力度固定兩個(gè)螺釘,然后用推薦的力度旋緊螺釘。在IGBT模塊的端子上,將柵極驅(qū)動(dòng)電路和控制電路錫焊時(shí),一旦焊錫溫度過(guò)高,可能發(fā)生外殼樹(shù)脂材料熔化等不良情況。一般性產(chǎn)品的端子耐熱性試驗(yàn)條件:焊錫溫度:260±5℃。焊接時(shí)間:10±1s。次數(shù):1次。IGBT模塊安裝中應(yīng)注意的事項(xiàng):1)要在無(wú)電源時(shí)進(jìn)行安裝,裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺(tái),接地地面,接地腕帶等防靜電措施。先讓人體和衣服上所帶的靜電通過(guò)高電阻(1Ωn左右)接地線放電后,再在接地的導(dǎo)電性墊板上進(jìn)行操作。要拿封裝主體,不要直接觸碰端子(特別是控制端子)部。
分兩種情況:②若柵-射極電壓UGE<Uth,溝道不能形成,IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。②若柵-射極電壓UGE>Uth,柵極溝道形成,IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)(正常工作)。此時(shí),空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減少N基區(qū)電阻RN的值,使IGBT通態(tài)壓降降低。IGBT各世代的技術(shù)差異回顧功率器件過(guò)去幾十年的發(fā)展,1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO,該時(shí)段的產(chǎn)品通態(tài)電阻很??;電流控制,控制電路復(fù)雜且功耗大;1970年代單極型器件VD-MOSFET。但隨著終端應(yīng)用的需求,需要一種新功率器件能同時(shí)滿足:驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,以降低成本與開(kāi)關(guān)功耗、通態(tài)壓降較低,以減小器件自身的功耗。1980年代初,試圖把MOS與BJT技術(shù)集成起來(lái)的研究,導(dǎo)致了IGBT的發(fā)明。1985年前后美國(guó)GE成功試制工業(yè)樣品(可惜后來(lái)放棄)。自此以后,IGBT主要經(jīng)歷了6代技術(shù)及工藝改進(jìn)。從結(jié)構(gòu)上講,IGBT主要有三個(gè)發(fā)展方向:1)IGBT縱向結(jié)構(gòu):非透明集電區(qū)NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區(qū)NPT型和FS電場(chǎng)截止型;2)IGBT柵極結(jié)構(gòu):平面柵機(jī)構(gòu)、Trench溝槽型結(jié)構(gòu);3)硅片加工工藝:外延生長(zhǎng)技術(shù)、區(qū)熔硅單晶;其發(fā)展趨勢(shì)是:①降低損耗②降低生產(chǎn)成本總功耗=通態(tài)損耗(與飽和電壓VCEsat有關(guān))+開(kāi)關(guān)損耗(EoffEon)。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來(lái)為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。
1~1200AVge柵極電壓-30V~30V-30~0V±1%±;0~+30V±1%±-30V~30VQg柵極電荷400~20000nCIg:0~50A±3%±400~20000nCtd(on)、td(off)開(kāi)通/關(guān)斷延遲10~1000ns10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降時(shí)間10~1000ns10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns;Eon、Eoff開(kāi)通/關(guān)斷能量1~5000mJ1~50mJ±2%±;50~200mJ±2%±1mJ;200~1000mJ±2%±2mJ;1000~5000mJ±1%±5mJ;表格5二極管反向恢復(fù)測(cè)試主要參數(shù)測(cè)試范圍精度要求測(cè)試條件Vcc二極管電壓50~1500V200~500V±3%±1V;500~1500V±2%±2V;200~1500VIRM反向恢復(fù)電流50~1200A50~200A±3%±1A;50~1200AQrr反向關(guān)斷電荷1~20000μC50~200μC±3%±1μC;200~1000μC±3%±2μC;1000~5000μC±2%±5μC;5000~20000μC±2%±10μC;1~20000μCtrr反向恢復(fù)時(shí)間20~2000ns20~100±3%±1ns;100~500±3%±2ns;500~2000±2%±5ns;20~2000nsErec反向關(guān)斷能量損失1~5000mJ1~50mJ±3%±;50~200mJ±3%±1mJ;200~1000mJ±2%±2mJ;1000~5000mJ±1%±5mJ1~5000mJ表格6IGBT短路測(cè)試主要參數(shù)測(cè)試范圍精度要求測(cè)試條件Vce集射極電壓150~1500V150~1000V±2%±2V;1000~3300V±1%±5V。IGBT是能源變換與傳輸?shù)?*器件。上海哪里有模塊量大從優(yōu)
IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N-溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。江蘇大規(guī)模模塊報(bào)價(jià)表
1范圍本技術(shù)規(guī)范提出的是比較低限度的要求,并未對(duì)所有技術(shù)細(xì)節(jié)作出規(guī)定,也未充分引述有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的條文,供貨方應(yīng)提供符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范的質(zhì)量產(chǎn)品。本技術(shù)規(guī)范所使用的標(biāo)準(zhǔn)如遇與供貨方所執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)不一致時(shí),應(yīng)按較高標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。2應(yīng)遵循的主要現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)該功率半導(dǎo)體模塊測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、制造、檢查、試驗(yàn)等遵循如下國(guó)內(nèi)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),但不限于以下標(biāo)準(zhǔn)。GB13869-2008用電安全導(dǎo)則GB19517-2004國(guó)家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范GB/T運(yùn)動(dòng)設(shè)備及系統(tǒng)GB4208-2008外殼防護(hù)等級(jí)(IP代碼)(IEC60529:2001,IDT)GB/T191-2008包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB/T15139-1994電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件GB/T2423電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)GB/T3797-2005電氣控制設(shè)備GB/T印制板的設(shè)計(jì)和使用GB/T9969-2008工業(yè)產(chǎn)品使用說(shuō)明書(shū)總則GB/T6988-2008電氣技術(shù)用文件的編制GB/T半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器GB/T絕緣配合第1部分:定義、原則和規(guī)則IEC60747-2/GB/T4023-1997半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管IEC60747-9:2007/GB/T29332-2012半導(dǎo)體器件分立器件第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)3技術(shù)要求功能與測(cè)試對(duì)象*1)功能GBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。*2)測(cè)試對(duì)象被測(cè)器件IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)。江蘇大規(guī)模模塊報(bào)價(jià)表
江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司是一家貿(mào)易型類企業(yè),積極探索行業(yè)發(fā)展,努力實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新。公司是一家有限責(zé)任公司(自然)企業(yè),以誠(chéng)信務(wù)實(shí)的創(chuàng)業(yè)精神、專業(yè)的管理團(tuán)隊(duì)、踏實(shí)的職工隊(duì)伍,努力為廣大用戶提供***的產(chǎn)品。公司始終堅(jiān)持客戶需求優(yōu)先的原則,致力于提供高質(zhì)量的IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器。江蘇芯鉆時(shí)代以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念,打造高指標(biāo)的服務(wù),引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展。