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來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-04-03

    包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側(cè)的igbt單管,所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件,所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。這樣,在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時(shí),只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件,然后將所述igbt單管放置到安裝位上后,再松開所述壓緊件即可實(shí)現(xiàn)所述igbt單管的固定。相比于目前通過螺釘固定所述igbt單管的方法,**節(jié)約了igbt單管在安裝板上的安裝時(shí)間,并且減少了總裝的零件數(shù)量,提高了igbt模塊的生產(chǎn)效率,還降低了因螺釘松動而引起的igbt模塊損壞風(fēng)險(xiǎn)。附圖說明為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖**是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種igbt模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為圖1中的igbt模塊的局部示意圖;圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的其中一種壓緊件的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為圖1中的igbt模塊去掉igbt單管后的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)明確。有的外殼里只有一顆IGBT芯片,有的可能會十幾顆,二十幾顆芯片。出口模塊代理品牌

IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、MOSFET、雙極型達(dá)林頓管等如今功率可高達(dá)1MW的低頻應(yīng)用中,單個元件電壓可達(dá)4.0KV(pt結(jié)構(gòu))一6.5KV(npt結(jié)構(gòu)),電流可達(dá)1.5KA,是較為理想的功率模塊。a,柵極與任何導(dǎo)電區(qū)要絕緣,以免產(chǎn)生靜電而擊穿,所以包裝時(shí)將g極和e極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料,將它短接。裝配時(shí)切不可用手指直接接觸,直到g極管腳進(jìn)行長久性連接。  b、主電路用螺絲擰緊,控制極g要用插件,盡可能不用焊接方式。云南模塊大概價(jià)格多少GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大。

IGBT模塊上有一個“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢?答:當(dāng)PWM波輸出的時(shí)候,它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的。我在說明變頻器逆變原理的時(shí)候,用的一個電阻做負(fù)載。電阻做負(fù)載,它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷,上圖所示的原理沒有問題。但變頻器實(shí)際是要驅(qū)動電機(jī)的,接在電機(jī)的定子上面,定子是一組線圈繞成的,就是“電感”。電感有一個特點(diǎn):它的內(nèi)部的電流不能進(jìn)行突變。所以當(dāng)采用PWM波輸出電壓波形時(shí),加在電機(jī)上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的,這樣電機(jī)內(nèi)的電流就會“斷斷續(xù)續(xù)”的,這就給電機(jī)帶來嚴(yán)重的后果:由于電感斷流時(shí),會產(chǎn)生反電動勢,這個電動勢加在IGBT上面,對IGBT會有損害。解決的辦法:在IGBT的CE極上并聯(lián)“續(xù)流二極管”。有了這個續(xù)流二極管,電機(jī)的電流就是連續(xù)的。具體怎么工作的呢?如下圖,負(fù)載上換成了一個電感L。當(dāng)1/4開通時(shí),電感上會有電流流過。然后PWM波控制1/4關(guān)斷,這樣上圖中標(biāo)箭頭的這個電路中就沒有電流流過。由于電感L接在電路中,電感的特性,電流不能突然中斷,所以電感中此時(shí)還有電流流過,同時(shí)因?yàn)殡娐飞想娏髦袛嗔耍瑢?dǎo)致它會產(chǎn)生一個反電動勢,這個反電動勢將通過3的續(xù)流二極管加到正極上,由于正極前面有濾波電容。

    但在中**MOSFET及IGBT主流器件市場上,90%主要依賴進(jìn)口,基本被國外歐美、日本企業(yè)壟斷。國外企業(yè)如英飛凌、ABB、三菱等廠商研發(fā)的IGBT器件產(chǎn)品規(guī)格涵蓋電壓600V-6500V,電流2A-3600A,已形成完善的IGBT產(chǎn)品系列。英飛凌、三菱、ABB在1700V以上電壓等級的工業(yè)IGBT領(lǐng)域占***優(yōu)勢;在3300V以上電壓等級的高壓IGBT技術(shù)領(lǐng)域幾乎處于壟斷地位。在大功率溝槽技術(shù)方面,英飛凌與三菱公司處于國際**水平。西門康、仙童等在1700V及以下電壓等級的消費(fèi)IGBT領(lǐng)域處于優(yōu)勢地位。盡管我國擁有**大的功率半導(dǎo)體市場,但是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國際大公司相比還存在很大差距,特別是IGBT等**器件差距更加明顯。**技術(shù)均掌握在發(fā)達(dá)國家企業(yè)手中,IGBT技術(shù)集成度高的特點(diǎn)又導(dǎo)致了較高的市場集中度。跟國內(nèi)廠商相比,英飛凌、三菱和富士電機(jī)等國際廠商占有***的市場優(yōu)勢。形成這種局面的原因主要是:1、國際廠商起步早,研發(fā)投入大,形成了較高的**壁壘。2、國外**制造業(yè)水平比國內(nèi)要高很多,一定程度上支撐了國際廠商的技術(shù)優(yōu)勢。中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前技術(shù)處于劣勢的局面,特別是要在產(chǎn)業(yè)鏈上游層面取得突破,改變目前功率器件領(lǐng)域封裝強(qiáng)于芯片的現(xiàn)狀??偟膩碚f。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅(qū)動功率小,控制電路簡單,開關(guān)損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個復(fù)合功率器件,它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,開關(guān)頻率高(可達(dá)20khz),這兩點(diǎn)非常顯著的特性,**近西門子公司又推出低飽和壓降(2.2v)的npt-IGBT性能更佳,相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。黑龍江模塊商家

前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊。出口模塊代理品牌

    原標(biāo)題:可控硅模塊在電路中的作用的什么?提到可控硅模塊,人們都會想到它是一種類似于二極管的東西,但是詳細(xì)作用往往不是特別了解,尤其是在電路中的作用更是知之甚少,下面,正高電氣就在給你普及一下相關(guān)知識,詳細(xì)講解可控硅模塊在電路中的作用??煽毓柙陔娐分械淖饔靡话阌袃煞N,主要是可控整流和無觸點(diǎn)開關(guān)。可控整流:一般來說,普通的可控硅模塊在電路中的用途就是可控整流,像大家都比較熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,如果能夠?qū)⒍O管換成可控硅模塊,就能夠構(gòu)成可控整流電路、逆變、電機(jī)調(diào)速、電機(jī)勵磁、無觸點(diǎn)開關(guān)機(jī)自動控制等多個方面的應(yīng)用。在電工技術(shù)中,經(jīng)常將交流電的半個周期為180度,稱為電角度,這樣在U2的每個正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度成為控制角α;在每個正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。無觸點(diǎn)開關(guān):可控硅模塊的作用當(dāng)然也不**是整流,它還可以作為無觸點(diǎn)開關(guān)來用,以便于更好的快速接通或者切斷電路。出口模塊代理品牌

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