IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。

IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體化。又因先進的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開關(guān)頻率高（可達20khz），這兩點非常顯著的特性，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種。應用編輯 IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。上海貿(mào)易模塊廠家直銷

    可控硅模塊觸發(fā)電路時需要滿足的必定要求來源：日期：2019年06月26日點擊數(shù)：載入中...可控硅模塊的作用主要體驗在電路中，在電路中經(jīng)常會見到可控硅模塊的身影，由此可見它的應用是多么的強大，可控硅模塊的其中一個作用就是觸發(fā)電路，但是觸發(fā)電路時需要滿足三個必定條件，下面正高電氣帶您來看看這三個條件是什么？一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號應有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā)，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流，必須大于元件門極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值，并且留有足夠的余量。另外，由于可控硅的觸發(fā)是有一個過程的，也就是可控硅觸發(fā)電路的導通需要一定的時間，不是一觸即通，只有當可控硅的陽極電流即主回路電流上升到可控硅的擎住電流IL以上時，管子才能導通，所以觸發(fā)脈沖信號應有一定的寬度才能保證被觸發(fā)的可控硅可靠導通。例如：一般可控硅的導通時間在6μs左右，故觸發(fā)脈沖的寬度至少在6μs以上，一般取20～50μs，對于大電感負載，由于電流上升較慢，觸發(fā)脈沖寬度還應加大，否則脈沖終止時主回路電流還未上升到可控硅的擎任電流以上，則可控硅又重新關(guān)斷。上海貿(mào)易模塊廠家直銷你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 MOS 的輸入特性和BJT 管的輸出特性。

    所述工裝槽321設置在向上翹起的所述端部上。這樣，所述壓緊部上設置有所述工裝槽的部分就不會貼合在igbt單管上，方便從所述工裝槽內(nèi)退出工裝。如圖1所示，可選的，所述igbt單管2的數(shù)量為一個以上，各所述igbt單管2成排設置在所述安裝板1上。本實施例中，應當理解的是，各所述igbt單管之間相互并聯(lián)，且各所述igbt單管之間的并聯(lián)方法屬于現(xiàn)有技術(shù)，例如：各所述igbt單管通過母線銅排相并聯(lián)，本實施例對各所述igbt單管之間的電連接關(guān)系不再贅述。各所述igbt單管成排布置，一方面方便對各所述igbt單管進行辨認和電連接，另一方面還便于各所述壓緊件的布置。如圖1和圖2所示，可選的，所述壓緊件3的數(shù)量與所述igbt單管2的排數(shù)相等，每個所述壓緊件3將其中一排所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實施例，一個所述壓緊件可以將一排所述igbt單管抵壓在所述安裝板，可以**的提高所述igbt單管的安裝效率。如圖2所示，可選的，所述壓緊件3的連接板31呈長條狀，所述壓緊件3包括一個以上的所述壓緊部32，各所述壓緊部32沿所述連接板31的長度方向依次連接在所述連接板31的上端。本實施例，每個所述壓緊部下方可以安裝一個igbt單管，這樣，相比于將所述壓緊部做成長條狀。

    本實用新型涉及變流技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種igbt模塊。背景技術(shù)：目前，國外標準型的igbt模塊是由igbt(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與fwd(二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的igbt模塊直接應用于變頻器、ups不間斷電源等設備上；igbt模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點，隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產(chǎn)品在市場上越來越多見。然而，這種igbt模塊的成本較高，嚴重制約了國內(nèi)變流技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。為了解決國外標準型igbt模塊成本較高的問題，目前國內(nèi)出現(xiàn)了一種將igbt單管并聯(lián)后形成igbt模塊的方案，這種igbt模塊與國外相同技術(shù)參數(shù)規(guī)格下的標準型igbt模塊相比，成本要低15％～20％，進而能夠促進國內(nèi)變流技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展；但是，這種igbt模塊中的各igbt單管一般由螺釘固定在安裝板上，這就**降低了igbt模塊的生產(chǎn)效率。技術(shù)實現(xiàn)要素：有鑒于此，本實用新型實施例提供一種igbt模塊，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。本實用新型實施例提供一種igbt模塊，包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側(cè)的igbt單管，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上?？蛇x的。要弄明白IGBT模塊，就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng)。

    200～1500V一次短路電流1～1200A1～200A±3%±1A；1～1200AVge柵極電壓10～30V10～+30V±1%±10～30V本測試單元包括動態(tài)參數(shù)測試組成部分，主要組成材料及其要求如下所示。動態(tài)參數(shù)測試部分主要材料清單表格12動態(tài)參數(shù)測試部分組成序號組成部分單位數(shù)量1可調(diào)充電電源套12直流電容器個83動態(tài)測試負載電感套14安全工作區(qū)測試負載電感套15補充充電回路限流電感L個16短路保護放電回路套17正常放電回路套18高壓大功率開關(guān)個59尖峰抑制電容個110主回路正向?qū)ňчl管個211動態(tài)測試續(xù)流二極管個212安全工作區(qū)測試續(xù)流二極管個313被測器件旁路開關(guān)個114工控機及操作系統(tǒng)套115數(shù)據(jù)采集與處理單元套116機柜及其面板套117壓接夾具及其配套系統(tǒng)套118加熱裝置套119其他輔件套1動態(tài)參數(shù)測試單元技術(shù)要求環(huán)境條件1)海拔高度：海拔不超過1000m；2)溫度：儲存環(huán)境溫度-20℃～60℃；3)工作環(huán)境溫度：-5℃～40℃；4)濕度：20%RH至90%RH(無凝露，濕球溫度計溫度:40℃以下)；5)震動：抗地震能力按7級設防，地面抗震動能力≤；6)防護：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；1）可調(diào)充電電壓源用來給電容器充電，實現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的直流母線電壓，滿足動態(tài)測試、短路電流的測試需求。于是，就形成了各種各樣的IGBT單管和模塊。山東貿(mào)易模塊品牌

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導通。上海貿(mào)易模塊廠家直銷

    采用焊接或粘接等方式將主電極6、連接橋板5、絕緣體7以及底板l可靠的固定連接，外殼9則固定在底板1上，外殼9的頂部具有定位凹槽91。見圖1所示，本實用新型的主電極6為兩個以上折邊的條板，同樣經(jīng)彎曲后的主電極6也具有吸收和釋放機械應力和熱應力的特點，主電極6的內(nèi)側(cè)與連接橋板5固定連接，主電極6的另一側(cè)穿出外殼9并彎折后覆在外殼9頂部，而覆在外殼9頂部的主電極6上設有過孔61，該過孔61與殼體9上的定位凹槽91對應，定位凹槽91的槽邊至少設有兩個平行的平面，可對螺母進行定位，由于主電極6不受外力，可保證二極管芯片3不受外力影響，在定位凹槽91的下部設有過孔，保證螺栓不會頂在殼體9上，而下過渡層4、二極管芯片3、上過渡層2、連接橋板5、絕緣體7以及主電極6—側(cè)的外周灌注軟彈性膠8密封，將連接區(qū)域保護密封，***再用環(huán)氧樹脂灌注充滿殼體空間。權(quán)利要求1、一種非絕緣雙塔型二極管模塊，包括底板(1)、二極管芯片(3)、主電極(6)以及外殼(9)，其特征在于所述二極管芯片(3)的下端面通過下過渡層(4)固定連接在底板(1)上，二極管芯片(3)的上端面通過上渡層(2)與連接橋板(5)的一側(cè)固定連接，連接橋板(5)是具有兩個以上折彎的條板，連接橋板(5)的另一側(cè)通過絕緣體。上海貿(mào)易模塊廠家直銷

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