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來源: 發(fā)布時間:2023-04-02

IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個極控制。如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電,使IGBT關(guān)斷。由圖2可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT是一個超級電子開關(guān),它能耐受超高電壓。節(jié)能模塊歡迎選購

    不要做讓模塊電極的端子承受過大應(yīng)力。2)IGBT模塊的散熱器應(yīng)根據(jù)使用條件和環(huán)境及IGBT模塊參數(shù)進行匹配選擇,以保證GBT模塊工作時對散熱器的要求。為了減少接觸熱阻,推薦在散熱器與IGBT模塊之間涂上一層很薄的導(dǎo)熱硅脂。3)IGBT模塊安裝到散熱片上時,要先在模塊的反面涂上散熱絕緣混合劑(導(dǎo)熱膏),再用推薦的夾緊力距充分旋緊。另外,散熱片上安裝螺絲的位置之間的平坦度應(yīng)控制在100μm以下,表面粗糙度應(yīng)控制在10μm以下。散熱器表面如有凹陷,會導(dǎo)致接觸熱阻(Rth(c—f)的增加。另外,散熱器表面的平面度在上述范圍以外時,IGBT模塊安裝時(夾緊時)會給IGBT模塊內(nèi)部的芯片與位于金屬基板間的絕緣基板增加應(yīng)力,有可能產(chǎn)生絕緣破壞。4)IGBT模塊底板為銅板的模塊,在散熱器與IGBT模塊均勻受力后,從IGBT模塊邊緣可看出有少許導(dǎo)熱硅脂擠出為**佳。IGBT模塊底板為DBC基板的模塊,散熱器表面必須平整、光潔,采用絲網(wǎng)印刷或圓滾滾動的方法涂敷一薄層導(dǎo)熱硅脂后,使兩者均勻壓接。IGBT模塊直接固定在散熱器上時,每個螺釘需按說明書中給出的力矩旋緊,螺釘一定要受力均勻,力矩不足導(dǎo)致熱阻增加或運動中出現(xiàn)螺釘松動。兩點安裝緊固螺絲時。江蘇哪里有模塊市價反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。

    5ms)l瞬時耐壓10kVl工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%6)短路保護放電回路緊急情況下快速放電,保證緊急情況時快速使設(shè)備處于安全電位。l回路耐壓DC10kVl放電電流10kA(5ms)l工作溫度室溫~40℃;l工作濕度<70%7)正常放電回路用于設(shè)備正常關(guān)機時放電,使設(shè)備處于安全電位。l回路耐壓10kVl放電電流50Al工作溫度室溫~40℃;l工作濕度<70%8)高壓大功率開關(guān)l電流能力200Al隔離耐壓10kVl響應(yīng)時間150msl脈沖電流20kA(不小于10ms)l工作方式氣動控制l工作氣壓l工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%9)尖峰抑制電容用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。l電容容量200μFl分布電感小于10nHl脈沖電流200Al工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%11)動態(tài)測試續(xù)流二極管用于防止測試過程中的過電壓。l壓降小于1Vl浪涌電流大于20kAl反向恢復(fù)時間小于2μsl工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%12)安全工作區(qū)測試續(xù)流二極管l浪涌電流大于20kAl反向恢復(fù)時間小于2μSl工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%13)被測器件旁路開關(guān)被測安全接地開關(guān),設(shè)備不運行時,被測接地。

    分兩種情況:②若柵-射極電壓UGE<Uth,溝道不能形成,IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。②若柵-射極電壓UGE>Uth,柵極溝道形成,IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)(正常工作)。此時,空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進行電導(dǎo)調(diào)制,減少N基區(qū)電阻RN的值,使IGBT通態(tài)壓降降低。IGBT各世代的技術(shù)差異回顧功率器件過去幾十年的發(fā)展,1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO,該時段的產(chǎn)品通態(tài)電阻很小;電流控制,控制電路復(fù)雜且功耗大;1970年代單極型器件VD-MOSFET。但隨著終端應(yīng)用的需求,需要一種新功率器件能同時滿足:驅(qū)動電路簡單,以降低成本與開關(guān)功耗、通態(tài)壓降較低,以減小器件自身的功耗。1980年代初,試圖把MOS與BJT技術(shù)集成起來的研究,導(dǎo)致了IGBT的發(fā)明。1985年前后美國GE成功試制工業(yè)樣品(可惜后來放棄)。自此以后,IGBT主要經(jīng)歷了6代技術(shù)及工藝改進。從結(jié)構(gòu)上講,IGBT主要有三個發(fā)展方向:1)IGBT縱向結(jié)構(gòu):非透明集電區(qū)NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區(qū)NPT型和FS電場截止型;2)IGBT柵極結(jié)構(gòu):平面柵機構(gòu)、Trench溝槽型結(jié)構(gòu);3)硅片加工工藝:外延生長技術(shù)、區(qū)熔硅單晶;其發(fā)展趨勢是:①降低損耗②降低生產(chǎn)成本總功耗=通態(tài)損耗(與飽和電壓VCEsat有關(guān))+開關(guān)損耗(EoffEon)。你可以看到輸入側(cè)**具有柵極端子的 MOS管,輸出側(cè)**具有集電極和發(fā)射極的 BJT。

    與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。igbt的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N一層的空穴(少子),對N一層進行電導(dǎo)調(diào)制,減小N一層的電阻,使IGBT在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。igbt驅(qū)動電路圖:igbt驅(qū)動電路圖一igbt驅(qū)動電路圖二igbt驅(qū)動電路圖三igbt驅(qū)動電路的選擇:絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到***的應(yīng)用,在實際使用中除IGBT自身外,IGBT驅(qū)動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導(dǎo)致IGBT和驅(qū)動器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。IGBT的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT門極電容分布示意圖。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。哪里有模塊供應(yīng)商家

收集器區(qū)域(或注入?yún)^(qū)域)和 N 漂移區(qū)域之間的連接點是 J2。節(jié)能模塊歡迎選購

    **摘要本實用新型涉及一種非絕緣雙塔型二極管模塊,包括底板、二極管芯片、主電極及外殼,二極管芯片的下端面通過下過渡層固定連接在底板上,二極管芯片的上端面通過上渡層與連接橋板的一側(cè)固定連接,連接橋板是具有兩個以上折彎的條板,連接橋板的另一側(cè)通過絕緣體固定在底板上,頂部具有定位凹槽的外殼固定在底板上;主電極為兩個以上的折邊的條板形,主電極的內(nèi)側(cè)與連接橋板固定連接,主電極的另一側(cè)穿出外殼并覆在外殼頂部,且主電極上設(shè)有的過孔與殼體上的定位凹槽對應(yīng),上下過渡層、二極管芯片、連接橋板、絕緣體以及主電極一側(cè)的連接區(qū)灌注軟彈性膠密封。本實用新型在安裝以及運行過程中能降低二極管芯片的機械應(yīng)力和熱應(yīng)力,能提高二極管工作可靠性。文檔編號H01L25/11GKSQ0公開日2008年5月21日申請日期2007年7月26日優(yōu)先權(quán)日2007年7月26日發(fā)明者劉利峰,王曉寶。節(jié)能模塊歡迎選購

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