也可以用模塊中的2個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大2倍的半橋模塊,即將分別將G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相橋模塊,6in1模塊三相橋(3-Phasebridge模塊的內(nèi)部等效電流如圖5所示。圖5三相橋模塊的內(nèi)部等效電路三相橋模塊也稱為6in1模塊,用于直接構(gòu)成三相橋電路,也可以將模塊中的3個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大3倍的半橋模塊。三相橋常用的領(lǐng)域是變頻器和三相UPS、三相逆變器,不同的應(yīng)用對(duì)IGBT的要求有所不同,故制造商習(xí)慣上會(huì)推出以實(shí)際應(yīng)用為產(chǎn)品名稱的三相橋模塊,如3-Phaseinvertermodule(三相逆變器模塊)等。,CBI模塊,7in1模塊歐美廠商一般將包含圖6所示的7in1模塊稱為CBI模塊(Converter-Brake-InverterModule,整流-剎車-逆變)模塊,日系廠商則習(xí)慣稱其為PIM模塊。圖67in1模塊內(nèi)部的等效電路制造商一般都會(huì)分別給出模塊中個(gè)功能單元的參數(shù),表1是IXYS的MUBW15-12T7模塊的主要技術(shù)規(guī)格。表1MUBW15-12T7的主要技術(shù)規(guī)格三相整流橋斷路器三相逆變器NTCVRRM=1600VVCES=1200VVCES=1200VR25=ΩIFAVM=38AIC25=30AIC25=30AB25/50=3375KIFSM=300AVCE(sat)=(sat)=其中,斷路器和三相逆變器給出的都是IGBT管芯的技術(shù)規(guī)格。1965年,小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ)。家居模塊施工
l輸入電壓380V±10%l頻率50HZ;l輸出電壓500~1500V可調(diào)(可多個(gè)電源組成)l輸出電流10A;l電壓控制精度1%l電壓調(diào)整率<;l紋波電壓<1%;l工作溫度室溫~40℃;l保護(hù)有過(guò)壓、過(guò)流、短路保護(hù)功能。2)直流電容器分為支撐電容、儲(chǔ)能電容,分別用于補(bǔ)償充電和實(shí)驗(yàn)時(shí)的大電流放電,滿足動(dòng)態(tài)測(cè)試、短路電流、反偏安全工作區(qū)的測(cè)試需求。至少包含8mF的容量。l單體電容容量1mFl額定電壓3300Vl脈沖電流1kAl工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%3)動(dòng)態(tài)測(cè)試負(fù)載電感l(wèi)電感量20μH、50μH100μH200μH500μH1000μH、2000μHl電流通過(guò)選擇不同檔位電感,滿足0~1kA電流輸出需求(10ms)l瞬態(tài)電壓大于3300Vl負(fù)載電感配備自動(dòng)切換開關(guān),可分別接通不同電感值,由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通;自動(dòng)切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。4)安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感l(wèi)電感量1mH、10mH、50mH、100mHl電流通過(guò)選擇不同檔位電感,滿足0~200A電流輸出需求(10ms)l瞬態(tài)電壓大于10kVl負(fù)載電感配備自動(dòng)切換開關(guān),可分別接通不同電感值,由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通;自動(dòng)切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。5)補(bǔ)充充電回路限流電感限制充電回路中的di/dt。l電感量100μHl電流能力6000A。私人模塊誠(chéng)信合作IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件,MOSFET為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的復(fù)合器件。
**摘要本實(shí)用新型涉及一種非絕緣雙塔型二極管模塊,包括底板、二極管芯片、主電極及外殼,二極管芯片的下端面通過(guò)下過(guò)渡層固定連接在底板上,二極管芯片的上端面通過(guò)上渡層與連接橋板的一側(cè)固定連接,連接橋板是具有兩個(gè)以上折彎的條板,連接橋板的另一側(cè)通過(guò)絕緣體固定在底板上,頂部具有定位凹槽的外殼固定在底板上;主電極為兩個(gè)以上的折邊的條板形,主電極的內(nèi)側(cè)與連接橋板固定連接,主電極的另一側(cè)穿出外殼并覆在外殼頂部,且主電極上設(shè)有的過(guò)孔與殼體上的定位凹槽對(duì)應(yīng),上下過(guò)渡層、二極管芯片、連接橋板、絕緣體以及主電極一側(cè)的連接區(qū)灌注軟彈性膠密封。本實(shí)用新型在安裝以及運(yùn)行過(guò)程中能降低二極管芯片的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力,能提高二極管工作可靠性。文檔編號(hào)H01L25/11GKSQ0公開日2008年5月21日申請(qǐng)日期2007年7月26日優(yōu)先權(quán)日2007年7月26日發(fā)明者劉利峰,王曉寶。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)?*器件,是電力電子裝置的“CPU”。采用IGBT進(jìn)行功率變換,能夠提高用電效率和質(zhì)量,具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn),是解決能源短缺問題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件,MOSFET為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的復(fù)合器件。其外部有三個(gè)電極,分別為G-柵極,C-集電極,E-發(fā)射極。在IGBT使用過(guò)程中,可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。1)當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負(fù)電壓時(shí),MOSFET內(nèi)溝道消失,IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。2)當(dāng)集-射極電壓UCE<0時(shí),J3的PN結(jié)處于反偏,IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。3)當(dāng)集-射極電壓UCE>0時(shí)。光控晶閘具有良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過(guò)電壓承受能力。
測(cè)試溫度范圍Tj=25°及125°。IGBT模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)測(cè)試單元對(duì)IGBT模塊和FRD的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2。以下參數(shù)的測(cè)試可以在不同的電壓等級(jí)、電流等級(jí)、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。1)動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)IGBT的開通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2、圖3所示。1)圖2IGBT開通過(guò)程及其參數(shù)定義動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)IGBT的開通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2、圖3所示。圖2IGBT開通過(guò)程及其參數(shù)定義圖3IGBT關(guān)斷過(guò)程及其參數(shù)定義表格2可測(cè)量的IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)參數(shù)名稱符號(hào)參數(shù)名稱符號(hào)開通延遲時(shí)間td(on)關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)上升時(shí)間tr下降時(shí)間tf開通時(shí)間ton關(guān)斷時(shí)間toff開通損耗Eon關(guān)斷損耗Eoff柵極電荷Qg短路電流ISC//可測(cè)量的FRD動(dòng)態(tài)參數(shù)參數(shù)名稱符號(hào)參數(shù)名稱符號(hào)反向恢復(fù)電流IRM反向恢復(fù)電荷Qrr反向恢復(fù)時(shí)間trr反向恢復(fù)損耗Erec*2)動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)指標(biāo)表格4IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)指標(biāo)主要參數(shù)測(cè)試范圍精度要求測(cè)試條件Vce集射極電壓150~1500V150~500V±3%±1V;500~1000V±2%±2V;1000~1500V±1%±5V;150~1500VIc集射極電流1~1200A1~200A±3%±1A;200~1200A±3%±2A。IGBT其外部有三個(gè)電極,分別為G-柵極,C-集電極,E-發(fā)射極。湖南模塊
當(dāng) 晶閘管模塊 開啟時(shí),只要有一定的陽(yáng)極電壓,無(wú)論門極電壓如何,晶閘管保持開啟,在晶閘管開啟后失去功能。家居模塊施工
所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊,能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。如圖1所示,本實(shí)用新型提供的一種igbt模塊,包括安裝板1、以及布置在所述安裝板1上側(cè)的igbt單管2,所述安裝板1上還連接有具有彈性的壓緊件3,所述壓緊件3將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例,在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時(shí),只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件,然后將所述igbt單管放置到安裝位上后,再松開所述壓緊件即可實(shí)現(xiàn)所述igbt單管的固定。相比于目前通過(guò)螺釘固定所述igbt單管的方法,**節(jié)約了igbt單管在安裝板上的安裝時(shí)間,并且減少了總裝的零件數(shù)量,提高了igbt模塊的生產(chǎn)效率,還降低了因螺釘松動(dòng)而引起的igbt模塊損壞風(fēng)險(xiǎn)。如圖1和圖2所示,可選的,所述壓緊件3包括連接部31和具有彈性的壓緊部32,所述連接部31一端與所述壓緊部32相連,另一端與所述安裝板1相連,所述壓緊部3抵設(shè)在所述igbt單管2的上側(cè),將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例,在使用所述壓緊件時(shí)。家居模塊施工
江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司依托可靠的品質(zhì),旗下品牌英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼以高質(zhì)量的服務(wù)獲得廣大受眾的青睞。旗下英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼在電子元器件行業(yè)擁有一定的地位,品牌價(jià)值持續(xù)增長(zhǎng),有望成為行業(yè)中的佼佼者。我們?cè)诎l(fā)展業(yè)務(wù)的同時(shí),進(jìn)一步推動(dòng)了品牌價(jià)值完善。隨著業(yè)務(wù)能力的增長(zhǎng),以及品牌價(jià)值的提升,也逐漸形成電子元器件綜合一體化能力。公司坐落于昆山開發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201,業(yè)務(wù)覆蓋于全國(guó)多個(gè)省市和地區(qū)。持續(xù)多年業(yè)務(wù)創(chuàng)收,進(jìn)一步為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)、社會(huì)協(xié)調(diào)發(fā)展做出了貢獻(xiàn)。