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來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-02-06

    即導(dǎo)通角為180°(或p)。正是由于正弦波被切割、波形遭受破壞,會(huì)給電網(wǎng)帶來干擾等問題……好的調(diào)光設(shè)備應(yīng)采取必要措施,努力降低使用可控硅技術(shù)后產(chǎn)生的干擾??煽毓璧淖饔每煽毓璧淖饔弥痪褪强煽卣鳎@也是可控硅基本也重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能,并沒有實(shí)現(xiàn)可控,而一旦把二極管換做可控硅,便構(gòu)成了一個(gè)可控整流電路。在一個(gè)基本的單相半波可控整流電路中,當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時(shí),只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時(shí),可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通,負(fù)載上才會(huì)有電壓輸出,因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時(shí)間,來進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值,達(dá)到可控整流的作用??煽毓璧淖饔弥褪怯米鳠o(wú)觸點(diǎn)開關(guān),經(jīng)常用于自動(dòng)化設(shè)備中,代替通用繼電器,具有無(wú)噪音、壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)??煽毓璧淖饔萌洪_關(guān)和調(diào)壓作用可控硅的作用之三就是起到開關(guān)和調(diào)壓的作用,經(jīng)常應(yīng)用于交流電路中,由于其被觸發(fā)時(shí)間不同,因此通過它的電流只有其交流周期的一部分,通過它的電壓只有全電壓的一部分,因而起到調(diào)節(jié)輸出電壓的作用。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。北京可控硅工廠直銷

    雖然改變了正弦交流電的幅值,但并未改變其正弦波形的本質(zhì)。與變壓器、電阻器相比,可控硅調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機(jī)理,它是采用相位控制方法來實(shí)現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的。對(duì)于普通反向阻斷型可控硅,其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽(yáng)極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí),可控硅就導(dǎo)通;這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持,一直到加上反向陽(yáng)極電壓或陽(yáng)極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過零后的某一時(shí)刻t1(或某一相位角wt1),在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖,使可控硅導(dǎo)通,根據(jù)前面介紹過的可控硅開關(guān)特性,這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束。因此在正弦波的正半周(即0~p區(qū)間)中,0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通,這一范圍稱為控制角,常用a表示;而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通,這一范圍稱為導(dǎo)通角,常用j表示。同理在正弦波交流電的負(fù)半周,對(duì)處于反向聯(lián)接的另一個(gè)可控硅(對(duì)兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言)在t2時(shí)刻(即相位角wt2)施加觸發(fā)脈沖,使其導(dǎo)通。如此周而復(fù)始,對(duì)正弦波每半個(gè)周期控制其導(dǎo)通,獲得相同的導(dǎo)通角。如改變觸發(fā)脈沖的施加時(shí)間(或相位)。貿(mào)易可控硅排行榜在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件。

    改變負(fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。1:小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流:IA小于2A。2:大;功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3:大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中;高頻熔煉爐等??煽毓梃b別編輯可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應(yīng)用較多??煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽(yáng)極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié)??煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅??煽毓桦妷簻y(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,可以把從陰極向上數(shù)的第1、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。

    若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。可控硅工作原理是什么?(圖)可控硅工作原理是什么?(圖)可控硅相當(dāng)于可以控制的二極管,當(dāng)控制極加一定的電壓時(shí),陰極和陽(yáng)極就導(dǎo)通了??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極(K)、陽(yáng)極(A)、控制極(G)。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2極,其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連,其引出端稱T2極,剩下則為控制極(G)。1、單、雙向可控硅的判別:先任測(cè)兩個(gè)極,若正、反測(cè)指針均不動(dòng)(R×1擋),可能是A、K或G、A極(對(duì)單向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G極(對(duì)雙向可控硅)。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,黑筆接的為G極,剩下即為A極。若正、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè),其中必有一次阻值稍大,則稍大的一次紅筆接的為G極,黑筆所接為T1極,余下是T2極。2、性能的差別:將旋鈕撥至R×1擋,對(duì)于1~6A單向可控硅,紅筆接K極,黑筆同時(shí)接通G、A極。應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個(gè)參致。

    圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)(包括P+和P一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannelregion)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Draininjector),它是IGBT特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N一層的空穴(少子),對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N一層的電阻,使IGBT在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件(晶閘管)簡(jiǎn)單地說:整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管。按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。山東定制可控硅供應(yīng)商

可控硅的特性主要是:1.陽(yáng)極伏安特性曲線,2.門極伏安特性區(qū)。北京可控硅工廠直銷

    4、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí),可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等??煽毓韫ぷ髟碓诜治隹煽毓韫ぷ髟頃r(shí),我們經(jīng)常將這種四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)看作由一個(gè)PNP管和NPN管構(gòu)成,如下圖所示。當(dāng)陽(yáng)極A端加上正向電壓時(shí),BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),此時(shí)由控制極G端輸入正向觸發(fā)信號(hào),使得BG2管有基極電流ib2通過,經(jīng)過BG2管的放大后,其集電極電流為ic2=β2ib2。而ic2沿電路流至BG1的基極,故有ib1=ic2,電流又經(jīng)BG1管的放大作用后,得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2。此電流又流回BG2的基極,使得BG2的基極電流ib2增大,從而形成正向反饋使電流劇增,進(jìn)而使得可控硅飽和并導(dǎo)通。由于在電路中形成了正反饋,所以可控硅一旦導(dǎo)通后無(wú)法關(guān)斷,即使控制極G端的電流消失,可控硅仍能繼續(xù)維持這種導(dǎo)通的狀態(tài)。北京可控硅工廠直銷

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