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江蘇igbt模塊

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-20

無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān):可控硅模塊的作用當(dāng)然也不僅是整流,它還可以作為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)來(lái)用,以便于更好的快速接通或者切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。

可以看出,可控硅模塊在電路中的作用還是很大的,可控硅模塊已然能夠代替一些傳統(tǒng)的控制元件,為更好的使用一些電氣設(shè)備以及用電打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)??煽毓枘K具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、方便操作、安全可靠等優(yōu)點(diǎn),對(duì)于電氣行業(yè)起著至關(guān)重要的作用,它的分類也是比較多,不同類型具有不同的功能, IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。江蘇igbt模塊

鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)。控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過(guò),因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說(shuō)明元件已損壞。重慶變頻模塊高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主。

背景技術(shù):目前,國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)型的igbt模塊是由igbt(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與fwd(二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的igbt模塊直接應(yīng)用于變頻器、ups不間斷電源等設(shè)備上;igbt模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上越來(lái)越多見(jiàn)。然而,這種igbt模塊的成本較高,嚴(yán)重制約了國(guó)內(nèi)變流技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。為了解決國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)型igbt模塊成本較高的問(wèn)題,目前國(guó)內(nèi)出現(xiàn)了一種將igbt單管并聯(lián)后形成igbt模塊的方案,這種igbt模塊與國(guó)外相同技術(shù)參數(shù)規(guī)格下的標(biāo)準(zhǔn)型igbt模塊相比,成本要低15%~20%,進(jìn)而能夠促進(jìn)國(guó)內(nèi)變流技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展;但是,這種igbt模塊中的各igbt單管一般由螺釘固定在安裝板上,這就降低了igbt模塊的生產(chǎn)效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:有鑒于此,本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊,能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊,包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側(cè)的igbt單管,所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件,所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。可選的,所述壓緊件包括連接部和具有彈性的壓緊部,所述連接部一端與所述壓緊部相連,另一端與所述安裝板相連,所述壓緊部抵設(shè)在所述igbt單管的上側(cè),將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。超快恢復(fù)二極管模塊它具有頻率高,超快恢復(fù),超軟和超耐固的特點(diǎn)。

    IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅(qū)動(dòng)功率小,控制電路簡(jiǎn)單,開(kāi)關(guān)損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件,它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,開(kāi)關(guān)頻率高(可達(dá)20khz),這兩點(diǎn)非常顯著的特性,**近西門子公司又推出低飽和壓降()的npt-IGBT性能更佳,相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦已在開(kāi)發(fā)研制新品種。IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、伺服控制器、UPS、開(kāi)關(guān)電源、斬波電源、無(wú)軌電車等。問(wèn)世迄今有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、MOSFET、雙極型達(dá)林頓管等如今功率可高達(dá)1MW的低頻應(yīng)用中,單個(gè)元件電壓可達(dá)(pt結(jié)構(gòu))一(npt結(jié)構(gòu)),電流可達(dá)。 從輸電端來(lái)看,特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件。重慶模塊代理品牌

IGBT模塊按封裝工藝來(lái)看主要可分為焊接式與壓接式兩類。江蘇igbt模塊

一、600V系列EUPEC IGBT模塊,infineon IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,優(yōu)派克IGBT模塊,部分型號(hào)如下:兩單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊: BSM50GB60DLC  BSM75GB60DLC  BSM100GB60DLC  BSM150GB60DLC  BSM200GB60DLC   BSM300GB60DLC  FF200R06KE3  FF300R06KE3  FF400R06KE3功率集成模塊PIM:BSM10GP60  BSM20GP60  BSM50GP60  BSM75GP60  BSM100GP60    FP10R06YE3  二、1200V系列EUPEC IGBT模塊infineon IGBT模塊英飛凌IGBT模塊優(yōu)派克IGBT模塊,部分型號(hào)如下:一單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊:BSM200GA1**N2  BSM300GA1**N2   BSM400GA1**N2  FZ1200R12KF4  FZ1600R12KF4  FZ1800R12KF4  BSM300GA1**LC  BSM400GA1**LC  FZ400R12KE3  FZ600R12KE3  FZ1600R12KE3  FZ2400R12KE3  FZ400R12KS4二單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊:BSM50GB1**N2  BSM75GB1**N2  BSM100GB1**N2  BSM150GB1**N2  BSM200GB1**N2   FF400R12KF4  FF600R12KF4  BSM100GB1**LC BSM150GB1**LC  BSM200GB1**LC  BSM300GB1**LC   FF100R12KS4  FF150R12KS4  FF200R12KS4  FF300R12KS4  FF200R12KE3  FF300R12KE3  FF400R12KE3  FF600R12KE3     FF200R12KT3  FF300R12KT3  FF400R12KT3    江蘇igbt模塊

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