igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結構，igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領域。目錄1特點2應用3注意事項4發(fā)展趨勢IGBT功率模塊特點編輯igbt功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優(yōu)點于一體化。又因先進的加工技術使它通態(tài)飽和電壓低，開關頻率高（可達20khz），這兩點非常顯著的特性，近西門子公司又推出低飽和壓降（）的npt-igbt性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦己在開發(fā)研制新品種。IGBT功率模塊應用編輯igbt是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例，單個元件電壓可達（pt結構）一（npt結構），電流可達。IGBT功率模塊注意事項編輯a,柵極與任何導電區(qū)要絕緣，以免產(chǎn)生靜電而擊穿。 Easy封裝(俗稱“方盒子”):這類封裝是低成本小功率的封裝形式:工作電流從10A~35A。天津哪里有英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足

    20-電流檢測區(qū)域；201-第二發(fā)射極單元；202-第三發(fā)射極單元；30-接地區(qū)域；100-公共柵極單元；200-公共集電極單元；40-檢測電阻；2-第1發(fā)射極單元金屬；3-空穴收集區(qū)電極金屬；4-氧化物；5-多晶硅；6-n+源區(qū)；7-p阱區(qū)；8-空穴收集區(qū)；9-n型耐壓漂移層；11-p+區(qū)；12-公共集電極金屬；13-接觸多晶硅；50-半導體功率模塊；51-igbt芯片；52-驅(qū)動集成塊；521-模塊引線端子；522-導線；60-dcb板。具體實施方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。如圖1所示，igbt器件是由bjt(bipolarjunctiontransistor，雙極型三極管)和mos(metaloxidesemiconductor，絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件。在實際應用中，igbt器件兼有mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，金氧半場效晶體管)的高輸入阻抗和gtr(gianttransistor，電力晶體管)的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。 天津哪里有英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足斬波IGBT模塊:以FD開頭。其實這個完全可以使用FF半橋來替代。只要將另一單元的IGBT處于關閉狀態(tài)。

    在現(xiàn)代電力電子技術中得到了越來越的應用，在較高頻率的大、率應用中占據(jù)了主導地位。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。1、IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時應該降等使用。2、使用中的注意事項由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時。

    增加電力網(wǎng)的穩(wěn)定，然后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流。直流——交流中頻加熱和交流電動機的變頻調(diào)速、串激調(diào)速等變頻，交流——頻率可變交流四、斬波調(diào)壓（脈沖調(diào)壓）斬波調(diào)壓是直流——可變直流之間的變換，用在城市電車、電氣機車、電瓶搬運車、鏟車（叉車）、電氣汽車等，高頻電源用于電火花加工。五、無觸點功率靜態(tài)開關（固態(tài)開關）作為功率開關元件，代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合晶閘管導通條件：晶閘管加上正向陽極電壓后，門極加上適當正向門極電壓，使晶閘管導通過程稱為觸發(fā)。晶閘管一旦觸發(fā)導通后，門極就對它失去控制作用，通常在門極上只要加上一個正向脈沖電壓即可，稱為觸發(fā)電壓。門極在一定條件下可以觸發(fā)晶閘管導通，但無法使其關斷。要使導通的晶閘管恢復阻斷，可降低陽極電壓，或增大負載電阻，使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流（IH）（當門極斷開時，晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導通所需的小陽極電流叫維持電流），電流會突然降到零，之后再提高電壓或減小負載電阻，電流不會再增大，說明晶閘管已恢復阻斷。根據(jù)晶閘管陽極伏安特性，可以總結出：1．門極斷開時。 同時，開關損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。

    作為工作區(qū)域10和電流檢測區(qū)域20的公共集電極單元200。此外，當空穴收集區(qū)8內(nèi)設置有溝槽時，如圖10所示，此時空穴收集區(qū)8中的溝槽與空穴收集區(qū)電極金屬3接觸，即接觸多晶硅13?？蛇x的，在圖7的基礎上，圖11為圖7中的空穴收集區(qū)電極金屬3按照b-b’方向的橫截圖，如圖11所示，此時，電流檢測區(qū)域20的空穴收集區(qū)8與空穴收集區(qū)電極金屬3接觸，且，與p阱區(qū)7連通；當空穴收集區(qū)8通過設置有多晶硅5的溝槽與p阱區(qū)7隔離時，橫截面如圖12所示，此時，如果工作區(qū)域10設置有多晶硅5的溝槽終止于空穴收集區(qū)8的邊緣時，則橫截面如圖13所示，且，空穴收集區(qū)8內(nèi)是不包含設置有多晶硅5的溝槽的情況。此外，當空穴收集區(qū)8內(nèi)包含設置有多晶硅5的溝槽時，如圖14所示，此時，空穴收集區(qū)8的溝槽通過p阱區(qū)7與工作區(qū)域10內(nèi)的設置有多晶硅5的溝槽隔離，這里空穴收集區(qū)8的溝槽與公共集電極金屬接觸并重合。因此，本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片，在電流檢測區(qū)域20內(nèi)沒有開關控制電級，即使有溝槽mos結構，溝槽中的多晶硅5也與公共集電極單元200接觸，且，與公共柵極單元100絕緣。又由于電流檢測區(qū)域20中的空穴收集區(qū)8為p型區(qū)，可以與工作區(qū)域10的p阱區(qū)7在芯片橫向上聯(lián)通為一體，也可以隔離開；此外。 Infineon的IGBT模塊常用的電壓為:600V，1200V，1700V。海南代理英飛凌infineonIGBT模塊代理商

使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。天津哪里有英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足

    將igbt模塊中雙極型三極管bjt的集電極和絕緣柵型場效應管mos的漏電極斷開，并替代包含鏡像電流測試的電路中的取樣igbt，從而得到包含無柵極驅(qū)動的電流檢測的igbt芯片的等效測試電路，即圖5中的igbt芯片結構，從而得到第二發(fā)射極單元201和第三發(fā)射極單元202，此時，bjt的集電極單獨引出，即第二發(fā)射極單元201，作為測試電流的等效電路，電流檢測區(qū)域20只取bjt的空穴電流作為檢測電流，且，空穴電流與工作區(qū)域10的工作電流成比例關系，從而通過檢測電流檢測區(qū)域20中的電流即可得到igbt芯片的工作區(qū)域10的電流，避免了現(xiàn)有方法中柵極對地電位變化造成的偏差，提高了檢測電流的精度。此外，在第1表面上，電流檢測區(qū)域20設置在工作區(qū)域10的邊緣區(qū)域，且，電流檢測區(qū)域20的面積小于工作區(qū)域10的面積。此外，igbt芯片為溝槽結構的igbt芯片，在電流檢測區(qū)域20和工作區(qū)域10的對應位置內(nèi)分別設置多個溝槽，可選的，電流檢測區(qū)域20和工作區(qū)域10可以同時設置有多個溝槽，或者，工作區(qū)域10設置有多個溝槽，本發(fā)明實施例對此不作限制說明。以及，當設置有溝槽時，在每個溝槽內(nèi)還填充有多晶硅。此外，在第1表面和第二表面之間，還設置有n型耐壓漂移層和導電層。 天津哪里有英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足