這樣可以減小瓶壁的吸附作用。如果需要濃度更低的氣體,在大瓶子中配氣后,可用抽真空法再進(jìn)行稀釋。例如,將大瓶子中的氣體壓力抽至原有壓力的一半,然后再充進(jìn)干凈空氣至原來的壓力,即可得到原來濃度一半的標(biāo)準(zhǔn)氣體。2.注射器配氣法對(duì)于需氣量較小的工作,用注射器配氣是很方便的。取兩個(gè)大小不等的注射器,大注射器一般用100毫升的,小注射器根據(jù)配氣情況而定。配氣時(shí),在大注射器中放一小金屬片,將活塞推入,再用小注射器取一定量的原料氣,將兩注射器按圖2連接,把小注射器的氣體推入大注射器,去掉小注射器和橡皮帽,抽動(dòng)大注射器活塞,用干凈空氣將氣體稀釋到100毫升,搖動(dòng)注射器中的金屬片,使氣體混合均勻,即得到較低濃度的標(biāo)準(zhǔn)氣體。稀釋后的濃度可根據(jù)稀釋前后氣體體積計(jì)算出來。如果一次稀釋達(dá)不到要求,還可進(jìn)行第二次、第三次稀釋…。進(jìn)行再次稀釋時(shí),只要將大注射器中配好的氣體推出一部分,然后吸入干凈空氣進(jìn)行稀釋,即可得到更低濃度的標(biāo)準(zhǔn)氣體。740)">3.塑料袋配氣法用100毫升注射器或通過濕式流量計(jì)將一部分空氣注入塑料袋內(nèi),然后按圖3連接一個(gè)事先裝入原料氣的氣體定量管。繼續(xù)通氣將定量管中的原料氣壓入塑料袋中,稀釋至一定體積。用手揉捏塑料袋,使氣體混合均勻。重慶氣體源頭廠家推薦四川僑源氣體股份有限公司。重慶氣體采購

    GB16163-1996)中，根據(jù)工業(yè)純氣在氣瓶內(nèi)的物理狀態(tài)和臨界溫度進(jìn)行分類，并按其化學(xué)性能，燃燒性、毒性、腐蝕性進(jìn)行分組。第1類為長久氣體，其臨界溫度〈-10℃，在充裝時(shí)以及在允許的工作溫度下儲(chǔ)運(yùn)和使用過程中均為氣態(tài)，分為a、b兩組：a組為不燃無毒和不燃**氣體(包括氧、氮、氬等)，b組為可燃無毒和可燃**氣體(包括氫等)。第2類為液化氣體，其臨界溫度≥-10℃，包括高壓液化氣體和低壓液化氣體。其中，高壓液化氣體臨界溫度≥-10℃、且≤70℃，在充裝時(shí)為液態(tài)，但在允許的工作溫度下儲(chǔ)運(yùn)和使用過程中隨著溫度升高至臨界溫度時(shí)即蒸發(fā)為氣態(tài)，分為a、b、c三組：a組為不燃無毒和不燃**氣體(包括二氧化碳)；b組為可燃無毒和自燃**氣體；c組為易分解或聚合的可燃?xì)怏w。低壓液化氣體臨界溫度〉70℃，在充裝時(shí)以及在允許的工作溫度下儲(chǔ)運(yùn)和使用過程中均為液態(tài)，也分為a、b、c三組：a組為不燃無毒和不燃**及酸性腐蝕氣體(包括氯)；b組為可燃無毒和可燃**及堿性腐蝕氣體(包括氨)；c組為易分解或聚合的可燃?xì)怏w。第3類為溶解乙炔。在壓力下溶解于氣瓶內(nèi)溶劑的氣體，*有a組：易分解或聚合的可燃?xì)怏w(包括乙炔)。此分類是混合氣配制的基礎(chǔ)。工業(yè)混合氣是近二十年來出現(xiàn)的新品種。成都乙烷標(biāo)準(zhǔn)氣體供應(yīng)重慶工業(yè)氣體源頭廠家推薦四川僑源氣體股份有限公司。

    以確保安全2、氣體的飽和蒸氣壓及其他性能要了解各組分的飽和蒸氣壓及其他性能，考虎是否會(huì)產(chǎn)生冷凝作用、標(biāo)準(zhǔn)氣體中組分與鋼瓶同僻壁材質(zhì)之間的作用、各組分間的反應(yīng)等。3、標(biāo)準(zhǔn)氣體中組分之間的反應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)氣體在制備之前，應(yīng)考慮標(biāo)準(zhǔn)氣體中各組分間是否發(fā)生化學(xué)反應(yīng)（即化學(xué)穩(wěn)定性問題），實(shí)際上必須搞清楚哪些氣體組分不能化學(xué)匹配，否則，制備出的標(biāo)準(zhǔn)氣體量值不準(zhǔn)確，甚至可能會(huì)發(fā)生**。4、標(biāo)準(zhǔn)氣體中組分與鋼瓶（容器）材料的反應(yīng)在制備標(biāo)準(zhǔn)氣體之前，還應(yīng)考慮組分氣體與鋼瓶及閥門所用材質(zhì)是否發(fā)生化學(xué)反應(yīng)（如氧化、腐蝕、吸附等）問題，以便保證標(biāo)準(zhǔn)氣體的穩(wěn)定性。依據(jù)組分氣體與包裝容器材質(zhì)的相容性，選用不同材質(zhì)的鋼瓶和瓶閥來儲(chǔ)裝標(biāo)準(zhǔn)氣體。另外，在往氣瓶中充入每一個(gè)組分之前，配氣系統(tǒng)各管路應(yīng)抽成真空，或者用待充的組分氣體反復(fù)進(jìn)行增壓—減壓來置換清洗閥門和管路，直到符合要求為止。為了避免先穩(wěn)量的組分氣體的損失，在往氣瓶中充入第二個(gè)組分時(shí)，該組分氣體的壓力應(yīng)遠(yuǎn)高于氣瓶中的壓力。為了防止組分氣體的反擴(kuò)散，在充完每一個(gè)組分后，在熱平衡的整個(gè)期間應(yīng)關(guān)閉氣瓶閥門，然后進(jìn)行稱量。

    標(biāo)準(zhǔn)氣體靜態(tài)配氣靜態(tài)配氣[4]是把一定量的液體或原料氣加到已知容積的稀釋氣體的容器中,混合均勻。根據(jù)所加入的液體或原料氣的量和容器的容積,即可計(jì)算出所配制標(biāo)準(zhǔn)氣體的濃度。常用的靜態(tài)配氣技術(shù)有以下幾種。1.大瓶子配氣法將大容積的玻璃瓶或聚乙烯塑料瓶洗凈、烘干,充入干凈空氣代替瓶中原有氣體后,抽成負(fù)壓,再充入一定量的液體或原料氣。若原料在常溫下是氣體,用氣體定量管加入(見圖1),充入干凈空氣至常壓。若原料是揮發(fā)性液體,可在一個(gè)小安培瓶中稱取一定量的液體,放入大瓶中,抽氣使成負(fù)壓,再搖碎安瓶,待液體揮發(fā)后,再充入干凈空氣到常壓。大瓶子配氣法所制得的標(biāo)準(zhǔn)氣體的濃度,可根據(jù)加入原料氣的濃度或液體的量及大瓶子的容積求得:當(dāng)加入瓶中的是原料氣時(shí),按下式計(jì)算:740)">式中:V1:原料氣的體積(mL);L:原料氣的濃度(ppm);V0:大瓶子的容積(L);Z:所配氣體的濃度(ppm);當(dāng)加入瓶中的是揮發(fā)性的液體時(shí):740)">式中:t:氣體的溫度(℃);m:加入液體的量(g);M:液體的摩爾質(zhì)量(g?mol);Z和V0同上式。740)">用大瓶子配氣時(shí),由于器壁的吸附作用,配成的標(biāo)準(zhǔn)氣體的實(shí)際濃度往往比計(jì)算值低。為避免這種影響,可以將***次配好的氣體放置一段時(shí)間后抽掉,再進(jìn)行第二次配氣。成都一氧化氮標(biāo)準(zhǔn)氣體源頭廠家推薦四川僑源氣體股份有限公司。

    對(duì)不同特種氣體的純度或組成、有害雜質(zhì)允許的**高含量、產(chǎn)品的包裝貯運(yùn)等都有極其嚴(yán)格的要求，屬于高技術(shù)，高附加值產(chǎn)品。通常，可以將特種氣體分為三類，即高純或超高純氣體、標(biāo)準(zhǔn)校正氣體和具有特定組成的混合氣體。氣體產(chǎn)品作為現(xiàn)代工業(yè)重要的基礎(chǔ)原料，應(yīng)用范圍十分***，在冶金、鋼鐵、石油、化工、機(jī)械、電子、玻璃、陶瓷、建材、建筑、食品加工、醫(yī)*醫(yī)療等部門，均使用大量的常用氣體或特種氣體。因?yàn)闅怏w產(chǎn)品的應(yīng)用覆蓋面大，一般將氣體的生產(chǎn)和供應(yīng)與供電、供水一樣，作為工業(yè)投資環(huán)境的基礎(chǔ)設(shè)施，被視為國民經(jīng)濟(jì)“命脈”而列為公用事業(yè)行業(yè)。隨著我國國民經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，氣體產(chǎn)品應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大，用量不斷增加，新產(chǎn)品不斷推出，純度不斷提高，市場需求不斷擴(kuò)大，產(chǎn)值增長速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過同期國民經(jīng)濟(jì)總值的增長速度，達(dá)到年12%的增長率。**氣體產(chǎn)品市場年銷售額約為400億元。雖然氣體工業(yè)總產(chǎn)值在國民經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)總值中所占的比例不算大。但它對(duì)當(dāng)前飛速發(fā)展的微電子、航空航天、生物工程、新型材料、精密冶金、環(huán)境科學(xué)等高新技術(shù)部門有重要影響，是這些部門不可缺少的原材料氣或工藝氣。正是由于各種新興工業(yè)部門和現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的需要和推動(dòng)。四川乙炔標(biāo)準(zhǔn)氣體源頭廠家推薦四川僑源氣體股份有限公司。甲烷標(biāo)準(zhǔn)氣體廠家直銷

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    CVD)的方法生長一層或多層材料所用氣體稱為外延氣體。硅外延氣體有4種,即硅烷、二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀積,多晶硅淀積,淀積氧化硅膜,淀積氮化硅膜,太陽電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積。外延生長是一種單晶材料淀積并生長在襯底表面上的過程。此外延層的電阻率往往與襯底不同。5.蝕刻氣體(Etchinggases)：蝕刻就是把基片上無光刻膠掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金屬膜等蝕刻掉,而使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來,這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是,圖形邊緣整齊,線條清晰,圖形變換差小,且對(duì)光刻膠膜及其掩蔽保護(hù)的表面無損傷和鉆蝕。蝕刻方式有濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體,通常多為氟化物氣體,例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蝕刻由于蝕刻方向性強(qiáng)、工藝控制精確、方便、無脫膠現(xiàn)象、無基片損傷和沾污,所以其應(yīng)用范圍日益***。6.摻雜氣體(DopantGases)：在半導(dǎo)體器件和集成電路制造中,將某種或某些雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體材料內(nèi),以使材料具有所需要的導(dǎo)電類型和一定的電阻率,用來制造PN結(jié)、電阻、埋層等。摻雜工藝所用的氣體摻雜源被稱為摻雜氣體。重慶氣體采購