WNM6001：單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNM6001是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的槽型技術(shù)和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 槽型技術(shù)

· 超高密度單元設計

· 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅(qū)動器

· DC-DC轉(zhuǎn)換器

· 電路電源開關(guān)

· 負載開關(guān)充電

       WNM6001是一款采用先進槽型技術(shù)的N溝道MOSFET，專為高效能應用而設計。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。此外，WNM6001的超高密度單元設計和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。無論是驅(qū)動繼電器、電磁閥還是電機，或是為LED供電，WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS72551E-5/TR 運算放大器 封裝：SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR190N65TF

    WNM2030是一種N型增強型MOS場效應晶體管，采用先進的溝槽技術(shù)和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2030為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設計

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

   WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設計的高性能MOS場效應晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進溝槽技術(shù)，提供高密度和低功耗。快速開關(guān)操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設備，且無鉛設計滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2805EWPM2015-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3。

     SD5302F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設計的極低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列。它特別設計用于保護連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD（靜電放電）引起的過應力影響。ESD5302F結(jié)合了兩對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

主要特性：

· 截止電壓：5V

· 每條線路均符合IEC61000-4-2（ESD）標準的瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）

· 符合IEC61000-4-4（EFT）標準的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

· 符合IEC61000-4-5（浪涌）標準的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=20V@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應用領(lǐng)域：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

      ESD5302F保護高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電等損害，確保信號完整性，承受力強。適合緊湊設備，環(huán)保。是高速數(shù)據(jù)接口的理想保護組件。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。

WS4603E：可調(diào)電流限制、電源分配開關(guān) 

描述

   WS4603E是一款具有高側(cè)開關(guān)和低導通電阻P-MOSFET的開關(guān)。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。此外，WS4603E還集成了反向保護功能，當設備關(guān)閉時，可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設備關(guān)閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護設備和負載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品無鉛且不含鹵素。

特性

1、輸入電壓范圍：2.5~5.5V

2、主開關(guān)RON：80mΩ@VIN=5V

3、調(diào)整電流限制范圍：0.4~2A（典型值）

4、電流限制精度：±20%

5、自動放電

6、反向阻斷（無“體二極管”）

7、過溫保護

應用

· USB外設

· USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關(guān)

· 3.3V或5V電源分配

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于WS4603E的進一步問題或需求，請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。 WNM3013-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-723。

WL2815低功耗CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）

產(chǎn)品描述：

     WL2815系列是一款低壓差線性穩(wěn)壓器，專為電池供電系統(tǒng)提供高性能解決方案，以實現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設計用于使用低成本陶瓷電容器，確保輸出電流的穩(wěn)定性，提高效率，從而延長這些便攜式設備的電池壽命。WL2815穩(wěn)壓器采用DFN1x1-4L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

靜態(tài)電流：1.5μA（典型值）

輸入電壓：2.1V~5.5V

輸出電壓：1.1V~3.3V

輸出電流：@VOUT=3.3V時為300mA

輸出電流：@VOUT=2.0V時為200mA

輸出電流：@VOUT=1.5V時為150mA

壓差電壓：@100mA時為100mV

推薦電容器：1uF或更大

工作溫度：-40°C至+85°C

輸出短路保護

應用領(lǐng)域：

MP3/MP4播放器

手機

藍牙耳機

無線鼠標

其他電子設備

    WL2815是專為便攜式設備設計的低功耗CMOS穩(wěn)壓器，性能優(yōu)異，低靜態(tài)電流，高效能，延長電池壽命。優(yōu)化設計，使用低成本陶瓷電容器，在多種應用中提供穩(wěn)定輸出。適用于MP3/MP4播放器、手機、藍牙耳機等。緊湊封裝，符合環(huán)保標準，是現(xiàn)代電子設備的理想選擇。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WMM7027ATHD1-4/TR MEMS麥克風（硅麥） 封裝：SMD-4P,1.9x2.8mm。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2805E

ESD9X5VL-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD） 封裝：FBP-02C。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR190N65TF

ESD9B5VL：單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD9B5VL可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達3A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 反向截止電壓：±5VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路

· 瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：20A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：3A（8/20μs）

· 電容：CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應用領(lǐng)域

· 手機

· 平板電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設備

· 網(wǎng)絡通信設備    

    ESD9B5VL是高效的瞬態(tài)電壓抑制器，保護電子設備免受靜電放電等瞬態(tài)事件影響。適用于手機、平板等便攜式設備，保護敏感電子組件。高保護能力、低泄漏和低箝位電壓，穩(wěn)定可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR190N65TF