EVG®301特征

使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔

單面清潔刷（選件）

用于晶圓清洗的稀釋化學(xué)品

防止從背面到正面的交叉污染

完全由軟件控制的清潔過(guò)程

選件

帶有紅外檢查的預(yù)鍵合臺(tái)

非SEMI標(biāo)準(zhǔn)基材的工具

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開(kāi)室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）

超音速噴嘴

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：30-60W

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域：?4.0mm

材質(zhì)：聚四氟乙烯 EVG500系列鍵合機(jī)是基于獨(dú)特模塊化鍵合室設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡(jiǎn)單技術(shù)轉(zhuǎn)換。山東半導(dǎo)體鍵合機(jī)

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途：自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級(jí)3D集成的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-。因此，經(jīng)過(guò)實(shí)踐檢驗(yàn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達(dá)300mm尺寸的無(wú)空隙SOI晶片的高通量，高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。臺(tái)積電鍵合機(jī)價(jià)格EVG鍵合機(jī)使用直接（實(shí)時(shí)）或間接對(duì)準(zhǔn)方法，能夠支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝，如陽(yáng)極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì)，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉(zhuǎn)換時(shí)間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM（量產(chǎn)）工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移，這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。

二、EVG501晶圓鍵合機(jī)特征：

   帶有150 mm或200 mm加熱器的鍵合室

   獨(dú)特的壓力和溫度均勻性

   與EVG的機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器兼容

   靈活的設(shè)計(jì)和研究配置

從單芯片到晶圓   

各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）  

可選渦輪泵（<1E-5 mbar）  

可升級(jí)陽(yáng)極鍵合   

開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì)，便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)

兼容試生產(chǎn)需求：

同類(lèi)產(chǎn)品中的蕞低擁有成本

開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì)，便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)

蕞小占地面積的200 mm鍵合系統(tǒng)：0.8㎡

程序與EVG HVM鍵合系統(tǒng)完全兼容

以上產(chǎn)品由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。 晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合機(jī)。

EVG®810LT技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

50-200、100-300毫米

LowTemp?等離子活化室

工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）

通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000sccm）

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar

腔室的打開(kāi)/關(guān)閉：自動(dòng)化

腔室的加載/卸載：手動(dòng)（將晶圓/基板放置在加載銷(xiāo)上）

可選功能：

卡盤(pán)適用于不同的晶圓尺寸

無(wú)金屬離子活化

混合氣體的其他工藝氣體

帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力

符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)

Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/

Si（熱氧化）

TEOS/TEOS（熱氧化）

絕緣體鍺（GeOI）的Si/Ge

Si/Si3N4

玻璃（無(wú)堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半導(dǎo)體：GaAs，GaP，InP

聚合物：PMMA，環(huán)烯烴聚合物

用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根據(jù)要求提供完整列表）

EVG鍵合機(jī)晶圓加工服務(wù)包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合、等離子活化直接鍵合。臺(tái)積電鍵合機(jī)價(jià)格

EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過(guò)程是怎么樣的呢？山東半導(dǎo)體鍵合機(jī)

SmartView®NT自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，用于通用對(duì)準(zhǔn)。

全自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，采用微米級(jí)面對(duì)面晶圓對(duì)準(zhǔn)的專有方法進(jìn)行通用對(duì)準(zhǔn)。

用于通用對(duì)準(zhǔn)的SmartViewNT自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了微米級(jí)面對(duì)面晶圓級(jí)對(duì)準(zhǔn)的專有方法。這種對(duì)準(zhǔn)技術(shù)對(duì)于在嶺先技術(shù)的多個(gè)晶圓堆疊中達(dá)到所需的精度至關(guān)重要。SmartView技術(shù)可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以在隨后的全自動(dòng)平臺(tái)上進(jìn)行長(zhǎng)久鍵合。

特征：

適合于自動(dòng)化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560®，GEMINI®200和300mm配置）。

用于3D互連，晶圓級(jí)封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 山東半導(dǎo)體鍵合機(jī)