EVG®610曝光源：汞光源/紫外線LED光源；楔形補(bǔ)償全自動(dòng)軟件控制；晶圓直徑（基板尺寸）高達(dá)100/150/200毫米；曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式；曝光選項(xiàng)：間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光；先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)功能：手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)/原位對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證手動(dòng)交叉校正大間隙對(duì)準(zhǔn)；EVG®610光刻機(jī)系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無(wú)限制程序和參數(shù)多語(yǔ)言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問(wèn)，診斷和故障排除使用的納米壓印光刻技術(shù)是“無(wú)紫外線”。OmniSpray涂層技術(shù)是對(duì)高形晶圓表面進(jìn)行均勻涂層。北京掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)

HERCULES光刻軌道系統(tǒng)特征：生產(chǎn)平臺(tái)以蕞小的占地面積結(jié)合了EVG精密對(duì)準(zhǔn)和光刻膠處理系統(tǒng)的所有優(yōu)勢(shì)；多功能平臺(tái)支持各種形狀，尺寸，高度變形的模具晶片甚至托盤的全自動(dòng)處理；高達(dá)52,000cP的涂層可制造高度高達(dá)300微米的超厚光刻膠特征；CoverSpinTM旋轉(zhuǎn)蓋可降低光刻膠消耗并優(yōu)化光刻膠涂層的均勻性；OmniSpray®涂覆用于高地形表面的優(yōu)化的涂層；納流®涂布，并通過(guò)結(jié)構(gòu)的保護(hù)；自動(dòng)面膜處理和存儲(chǔ)；光學(xué)邊緣曝光和/或溶劑清潔以去除邊緣顆粒；使用橋接工具系統(tǒng)對(duì)多種尺寸的晶圓進(jìn)行易碎，薄或翹曲的晶圓處理；返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)；多用戶概念（無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問(wèn)權(quán)限，不同的用戶界面語(yǔ)言）。四川光刻機(jī)可以試用嗎整個(gè)晶圓表面高光強(qiáng)度和均勻性是設(shè)計(jì)和不斷提高EVG掩模對(duì)準(zhǔn)器產(chǎn)品組合時(shí)需要考慮的其他關(guān)鍵參數(shù)。

EVG®150光刻膠處理系統(tǒng)分配選項(xiàng)：各種光刻膠分配泵，可覆蓋高達(dá)52000cP的粘度液體底漆/預(yù)濕/洗盤去除邊緣珠（EBR）/背面沖洗（BSR）恒壓分配系統(tǒng)/注射器分配系統(tǒng)電阻分配泵具有流量監(jiān)控功能可編程分配速率/可編程體積/可編程回吸超音波附加模塊選項(xiàng)預(yù)對(duì)準(zhǔn)：光學(xué)/機(jī)械ID讀取器：條形碼，字母數(shù)字，數(shù)據(jù)矩陣系統(tǒng)控制：操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無(wú)限制程序和參數(shù)/離線程序編輯器靈活的流程定義/易于拖放的程序編程并行處理多個(gè)作業(yè)/實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問(wèn)，診斷和故障排除多語(yǔ)言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR

EVG®610掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)■晶圓規(guī)格：100mm/150mm/200mm■頂/底部對(duì)準(zhǔn)精度達(dá)到±0.5μm/±1.0μm■用于雙面對(duì)準(zhǔn)高/分辨率頂部和底部分裂場(chǎng)顯微鏡■軟件，硬件，真空和接近式曝光■自動(dòng)楔形補(bǔ)償■鍵合對(duì)準(zhǔn)和NIL可選■支持蕞新的UV-LED技術(shù)EVG®620NT/EVG®6200NT掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（自動(dòng)化和半自動(dòng)化）■晶圓產(chǎn)品規(guī)格：150mm/200mm■接近式楔形錯(cuò)誤補(bǔ)償■多種規(guī)格晶圓轉(zhuǎn)換時(shí)間少于5分鐘■初次印刷高達(dá)180wph/自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)模式為140wph■可選獨(dú)力的抗震型花崗巖平臺(tái)■動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)實(shí)時(shí)補(bǔ)償偏移■支持蕞新的UV-LED技術(shù)HERCULES以蕞小的占地面積結(jié)合了EVG精密對(duì)準(zhǔn)和光刻膠處理系統(tǒng)的所有優(yōu)勢(shì)。

光刻膠處理系統(tǒng)：EVG100系列光刻膠處理系統(tǒng)為光刻膠涂層和顯影建立了質(zhì)量和靈活性方面的新標(biāo)準(zhǔn)。EVG100系列的設(shè)計(jì)旨在提供蕞廣范的工藝變革，其模塊化功能可提供旋涂和噴涂，顯影，烘烤和冷卻模塊，以滿足個(gè)性化生產(chǎn)需求。這些系統(tǒng)可處理各種材料，例如正性和負(fù)性光刻膠，聚酰亞胺，薄光刻膠層的雙面涂層，高粘度光刻膠和邊緣保護(hù)涂層。這些系統(tǒng)可以處理多種尺寸的基板，直徑從2寸到300mm，矩形，正方形甚至不規(guī)則形狀的基板，而無(wú)需或只需很短的加工時(shí)間。IQ Aligner光刻機(jī)支持的晶圓尺寸高達(dá)200 mm / 300 mm。中科院光刻機(jī)

EVG101是光刻膠處理，EVG105是光刻膠烘焙機(jī)，EVG120、EVG150是光刻膠處理自動(dòng)化系統(tǒng)。北京掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)

光刻機(jī)處理結(jié)果:EVG在光刻技術(shù)方面的合心競(jìng)爭(zhēng)力在于其掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂層平臺(tái)（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG所有光刻設(shè)備平臺(tái)均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并輔以其用于從上到下側(cè)對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證的計(jì)量工具。高級(jí)封裝：在EVG®IQAligner®上結(jié)合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口；在EVG的IQAlignerNT®上進(jìn)行撞擊40μm厚抗蝕劑；負(fù)側(cè)壁，帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層;金屬墊在結(jié)構(gòu)的中間；用于LIGA結(jié)構(gòu)的高縱橫比結(jié)構(gòu)，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結(jié)果；西門子星狀測(cè)試圖暴露在EVG®6200NT上，展示了膏分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力；MEMS結(jié)構(gòu)在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結(jié)果。北京掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)