金屬化陶瓷薄膜電路
采用薄膜工藝在玻璃或陶瓷基片上制作電路元、器件及其接線，并加以封裝而成。薄膜工藝包括蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相淀積等。特點(diǎn)為電阻、電容數(shù)值控制較精確，且數(shù)值范圍寬，但集成度不高。主要用于線性電路。
薄膜集成電路是將整個(gè)電路的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件以及它們之間的互連引線，全部用厚度在１微米以下的金屬、半導(dǎo)體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質(zhì)薄膜，并通過真空蒸發(fā)、濺射和電鍍等工藝制成的集成電路。薄膜集成電路中的有源器件，即晶體管
路 ，有兩種材料結(jié)構(gòu)形式：一種是薄膜場效應(yīng)硫化鎘或硒化鎘晶體管，另一種是薄膜熱電子放大器。更多的實(shí)用化的薄膜集成電路采用混合工藝，即用薄膜技術(shù)在玻璃、微晶玻璃、鍍釉和拋光氧化鋁陶瓷基片上制備無源元件和電路元件間的連線，再將集成電路、晶體管、二極管等有源器件的芯片和不使用薄膜工藝制作的功率電阻、大容量的電容器、電感等元件用熱壓焊接、超聲焊接、梁式引線或凸點(diǎn)倒裝焊接等方式，就可以組裝成一塊完整的集成電路。
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