英飛凌 Infineon、賽米控（西門康）SEMIKRON 可控硅 IGBT 系列產(chǎn)品，本公司可直接向德國訂貨，貨源穩(wěn) 交期快 量大更優(yōu)惠！保證每顆型號都為原裝正品新件。歡迎新老客戶咨詢！

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IGBT

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

英飛凌（EUPEC）:、、IGBT功率模塊、單管IGBT、1單元、2單元、6單元（600V-6500V）

FZ系列　　　
FZ800R12KF4、FZ1200R12KF4、FZ1600R12KF4、FZ1800R12KF4
FZ2400R12KF4、FZ800R12KL4C、FZ1200R12KL4C、FZ1800R17KF6C_B2
FZ1800R12KL4C、FZ2400R12KL4C、FZ400R12KS4、FZ800R17KF6C_B2
FZ600R17KE3、FZ300R12KE3G、FZ400R12KE3、FZ2400R17KF6C_B2
FZ400R12KE3_B1、FZ400R12KE4、FZ400R12KP4、FZ400R12KS4、
FZ800R12KE3、FZ800R12KF4、FZ800R12KL4C、FZ800R12KS4_B2
FZ900R12KE4、FZ900R12KP4
FZ1200R12KE3、FZ1200R16KF4_S1、FZ1200R12KL4C、FZ1200R12HP4
FZ1600R12KE3、FZ1600R17KF6C_B2、FZ1600R12KL4C
FZ1800R12KF4、FZ1800R12KL4C、FZ1800R12HP4_B9
FZ3600R12KE3、FZ600R12KS4、FZ600R12KE3、FZ600R12KE3_B1
FZ600R12KE4、FZ600R12KP4、FZ600R12KS4

FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R12KL4C、FZ2400R12KE3、FZ400R17KE3、FZ800R12KS4_B2
FZ1200R17KE3、FZ1600R17KE3、
FZ2400R12KE3、FZ2400R12KE3_B9、FZ2400R12KF4
FZ2400R12KL4C、FZ2400R12HP4_B9
FZ2400R17KE3、FZ2400R12HP4
FZ3600R12KE3、FZ3600R12HP4、
FD300R12KS4_B5　

FF系列　　　
FF200R12KT4  FF300R12KT4
FF450R12KT4
FF200R06KE3、FF300R06KE3、FF400R06KE3、FF400R12KF4
FF600R12KF4、FF800R12KF4、FF400R12KL4C、FF600R12KL4C
FF800R12KL4C、FF150R12KE3G、FF200R12KE3、FF300R12KE3
FF400R12KE3、FF600R12KE3、FF800R12KE3、FF800R17KF6C_B2
FF200R12KT3、FF300R12KT3、FF400R12KT3、FF600R17KF6C_B2
FF600R16KF4、FF650R17IE4
FF400R16KF4、FF1200R12KE3、FF400R17KF6C_B2
FF300R17KE3、FF600R17KE3
FF800R17KE3、FF1000R17IE4、FF1000R17IE4D_B2
FF1200R17KE3
FF1400R12IP4、FF1200R17KE3_B2  

使用中的注意事項

 由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：  在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸； 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊； 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。  此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。  在使用IGBT的場合，當柵極回路不正�；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。  在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。 

保管時的注意事項

 一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態(tài)，不應偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機加濕; 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合； 在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方； 保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物； 裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。  IGBT模塊由于具有多種優(yōu)良的特性，使它得到了快速的發(fā)展和普及，已應用到電力電子的各方各面。因此熟悉IGBT模塊性能，了解選擇及使用時的注意事項對實際中的應用是十分必要的。

全新原裝歐派克可控硅
TT18N12KOF、TT18N14KOF、TT18N16KOF
TT18N18KOF、TT25N12KOF
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TT25N18KOF、TT31N12KOF
TT31N14KOF、TT31N16KOF
TT36N12KOF、TT36N14KOF
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TT46N12KOF、TT46N14KOF
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TT60N16KOF、TT61N12KOF
TT61N14KOF、TT61N16KOF
TT66N08KOF、TT66N12KOF
TT66N14KOF、TT66N16KOF
TT66N18KOF、TT70N16KOF
TT70N18KOF、TT70N20KOF
TT70N22KOF、TT70N24KOF
TT75N08KOF、TT75N12KOF
TT75N14KOF、TT75N16KOF
TT75N18KOF、TT85N20KOF
TT92N08KOF、TT92N12KOF
TT92N14KOF、TT92N16KOF
TT93N08KOF、TT93N12KOF
TT93N14KOF、TT93N16KOF
TT95N08KOF、TT95N12KOF
TT95N14KOF、TT95N16KOF
TT95N18KOF
TT104N08KOF、TT104N12KOF
TT104N14KOF、TT104N16KOF
TT105N12KOF、TT105N14KOF
TT105N16KOF、TT105N18KOF
TT106N08KOF、TT106N12KOF
TT106N14KOF、TT106N18KOF
TT121N12KOF、TT121N14KOF
TT121N16KOF、TT121N18KOF
TT122N16KOF、TT122N18KOF
TT122N20KOF、TT122N22KOF
TT122N24KOF、TT131N12KOF
TT131N14KOF、TT131N16KOF
TT142N12KOF、TT142N14KOF
TT142N16KOF、TT142N18KOF
TT162N12KOF、TT162N14KOF
TT162N16KOF、TT150N18KOF
TT150N20KOF、TT150N24KOF
TT150N26KOF、TT170N08KOF
TT170N12KOF、TT170N14KOF
TT170N16KOF、TT210N08KOF
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TT215N18KOF、TT215N20KOF
TT210N24KOF、TT240N28KOF
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TT570N16KOF、TT570N18KOF