可以替代地修改余弦接收線圈，并且相對于余弦接收線圈定義正弦接收線圈。為了說明的目的，圖13示出對關于圖12所描述的正弦接收線圈的修改。接收線圈(rx)設計可以用雙環(huán)路迭代來定義。初，貴州管道傳感器線圈，在步驟1206中，正弦形狀的rx線圈1316(結合參考系1314)沿x方向對稱地部分延伸(如跡線1310所示)，以補償由于目標非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的線圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線圈1316所有點上的適當?shù)奈灰坪瘮?shù)，使正弦形線圈1316沿y方向變形，貴州管道傳感器線圈，如跡線1312。給定這些設置，在步驟1210中，算法計算通孔的位置，貴州管道傳感器線圈。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號失配，而建立通孔位置1308。每當一個接收器線圈中的通孔比另一個接收器線圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不對稱)時，就會出現(xiàn)電壓失配。所導致的電壓失配是當目標移動時正弦信號相對于余弦信號的較大峰峰值幅度(反之亦然)。為了實現(xiàn)減少電壓失配的目標，通孔的設計方式是使sin(1316)rx線圈和cos(1318)rx線圈在pcb底部中的部分的長度相同。此外，通孔相對于設計的對稱中心是對稱的。在步驟1212中，定義正弦接收線圈跡線和余弦接收線圈跡線。在一些實施例中，使用一維模型來定義跡線。在步驟1214中。蘇州市制作傳感器線圈的地方；貴州管道傳感器線圈

    仿真可以輸入pcb跡線的幾何形狀、金屬目標的幾何形狀、氣隙、金屬目標在由跡線形成的線圈上的平移/旋轉、以及另外的固定導體，其例如可用于仿真pct或傳感器附近的其他導體的接地層。仿真可以輸出線圈上方的金屬目標的一系列位置處來自接收器線圈的仿真電壓。在一些實施例中，在本申請中也可以使用有限元方法(fem)或類似方法。然而，在一些情況下，執(zhí)行這些仿真可能需要大量的計算時間�？梢灶A期，相對于上述bim方法，每個傳感器目標位置的計算可能使用兩個或更多個數(shù)量級的計算時間。此外，可能需要針對每個目標位置從頭開始重建計算域的網(wǎng)格。而且，由于長而細的導體需要大量的網(wǎng)格元素來獲得精確的解，因此這些技術的準確性可能受限。這些計算也可能受到存儲器和計算時間資源的限制。圖10a示出算法700的仿真步驟704的示例。實際上，如圖7a的示例中所示的算法700基本上補償了上述的非理想性，并因此產(chǎn)生與提供精確的位置定位系統(tǒng)的問題的物理學相容的佳的可能的解。為此，開發(fā)了位置定位系統(tǒng)的一種真實高效的數(shù)值模型。如下面更詳細地討論的，在一些實施例中，形成發(fā)射線圈、接收器線圈和連接線的跡線用一維金屬導線表示。一些實施例可以使用更精細的仿真算法。貴州管道傳感器線圈傳感器線圈哪家服務好，無錫東英電子有限公司為您服務！期待您的光臨！

    但可以提高速度。例如，如果每次仿真需要10秒鐘來完成，則使用100次迭代的優(yōu)化可能需要16分鐘。然而，如果每次仿真需要10分鐘完成，則同一優(yōu)化可能需要16個小時來完成。在一些實施例中使用的有效簡化是用一維導線模型來表示用于形成發(fā)射線圈和接收器線圈的導電跡線。在與一維導線模型偏離嚴重的情況下，考慮一個具有35μm的高度和。該矩形跡線可以由例如銅的任何非磁性導電材料形成。其他金屬也可以用來形成跡線，但銅更為典型。對于厚度為趨膚深度的大約兩倍的跡線部分，矩形跡線中流動的電流的電流密度可以是非常均勻的。對于銅，在5mhz的頻率下的趨膚深度為30μm。因此，對于上述基準矩形跡線，跡線內(nèi)的電流密度將是基本上均勻的。圖10b示出由承載電流的一維導線1020生成的場。如果在兩個結構中流動的電流相同，則由導線1020或由一定直徑的直的圓柱體生成的場沒有差異。然而，圖10c示出在基準跡線1022周圍生成的場，基準跡線1022是上述由銅形成的并且具有35μm的高度和。如圖10c所示，即使在小于1mm的短距離處，該場看起來也與圖10b中的由導線1020所生成的場相同。區(qū)別在距離跡線小于約1mm的場中。

    通過角位置來確定線性位置。在角位置定位系統(tǒng)中，正弦定向線圈112和余弦定向線圈110可以被布置為使得該角位置可以等于關于金屬目標124的旋轉的金屬目標124的實際角位置。重要的是要注意指示位置定位傳感器100的理想操作的以下條件。在那些條件中，發(fā)射器線圈106的形狀不重要，只要其覆蓋放置接收器線圈104的區(qū)域即可。此外，接收器線圈104的形狀等于完美的幾何重疊的正弦和余弦。另外，金屬目標124的形狀對工作原理沒有影響，只要目標的區(qū)域覆蓋接收器線圈104的總區(qū)域的一部分即可。理想的一組線圈和理想的金屬目標的這些條件從未被滿足。在實際系統(tǒng)中，情況大不相同。非理想性導致金屬目標124的位置的確定的不準確性。導致位置確定的不正確性的問題包括發(fā)射線圈106中生成的電磁場的不均勻；發(fā)射/接收電路102和接收線圈104之間的金屬跡線的連接以及發(fā)射/接收電路102和發(fā)射線圈106之間的金屬跡線的連接，其也對所生成的電磁場有貢獻；金屬目標124與安裝有接收線圈104和發(fā)射線圈106的pcb之間的氣隙(ag)；正弦定向線圈112和余弦定向線圈110之間的幅度偏差；來自正弦定向線圈112和余弦定向線圈110的接收信號之間的失配；正弦定向線圈112和余弦定向線圈110中的不同的耦合效應。傳感器線圈哪家服務好，無錫東英電子有限公司為您服務！歡迎各位新老朋友垂詢！

   根據(jù)法拉第電磁感應定律，當塊狀導體置于交變磁場或在固定磁場中運動時，導體內(nèi)產(chǎn)生感應電流，此電流在導體內(nèi)閉合，稱為渦流。電渦流式傳感器，將位移、厚度、材料損傷等非電量轉換為電阻抗的變化（或電感、Q值的變化），從而進行非電量的測量。一、工作原理電渦流式傳感器由傳感器激勵線圈和被測金屬體組成。根據(jù)法拉第電磁感應定律，當傳感器激勵線圈中通過以正弦交變電流時，線圈周圍將產(chǎn)生正選交變磁場，是位于蓋磁場中的金屬導體產(chǎn)生感應電流，該感應電流又產(chǎn)生新的交變磁場。新的交變磁場阻礙原磁場的變化，使得傳感器線圈的等效阻抗發(fā)生變化。傳感器線圈受電渦流影響時的等效阻抗Z為式中，ρ為被測體的電阻率；μ為被測體的磁導率；r為線圈與被測體的尺寸因子；f為線圈中激磁電流的頻率；x為線圈與導體間的距離。由此可見，線圈阻抗的變化完全取決于被測金屬的電渦流效應，分別與以上因素有關。如果只改變式中的一個參數(shù)，保持其他參數(shù)不變，傳感器線圈的阻抗Z就只與該參數(shù)有關，如果測出傳感器線圈阻抗的變化，就可以確定該參數(shù)。在實際應用中，通常是改變線圈與導體間的距離x，而保持其他參數(shù)不變，來實現(xiàn)位移和距離測量。二、等效電路討論電渦流式傳感器時。新傳感器線圈芯，無錫東英電子有限公司。批發(fā)傳感器線圈市場價

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如圖2b所示，在正弦定向線圈112中，金屬目標124完全覆蓋環(huán)路116，并且使環(huán)路114和環(huán)路118未被覆蓋。結果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓撲的金屬目標124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結束位置對目標進行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標124相對于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。貴州管道傳感器線圈

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